一种芯片工艺偏差自动识别矫正方法及系统技术方案

本发明专利技术提供了一种芯片工艺偏差自动识别矫正方法及系统，涉及数据处理技术领域，该方法包括：获取芯片的待涂胶表面以及预设涂胶厚度；生成多次涂胶工序；对多次涂胶工序中每次涂胶工序进行实时监测，获取多组实时监测数据集，每组实时监测数据集包括平台转速监测数据

【技术实现步骤摘要】
一种芯片工艺偏差自动识别矫正方法及系统


[0001]本专利技术涉及数据处理
，具体涉及一种芯片工艺偏差自动识别矫正方法及系统
。

技术介绍

[0002]在进行芯片生产时，芯片表面一般会有环氧胶
、UV
胶
、
导热胶等胶水涂抹
、
灌封
、
填充
、
滴胶，起到加固
、
密封
、
绝缘等作用，更好地保护芯片，延长使用寿命
。
但是现有的芯片涂胶工艺，由于对涂胶质量的监测不准确，导致芯片表面涂胶均匀性不佳，进而降低芯片使用寿命
。
[0003]综上，现有技术中存在由于对涂胶质量的监测不准确，导致芯片表面涂胶均匀性不佳的技术问题
。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种芯片工艺偏差自动识别矫正方法及系统，用以解决现有技术中存在由于对涂胶质量的监测不准确，导致芯片表面涂胶均匀性不佳的技术问题
。
[0005]根据本专利技术的第一方面，提供了一种芯片工艺偏差自动识别矫正方法，包括：获取芯片的待涂胶表面以及预设涂胶厚度；基于所述预设涂胶厚度进行单次涂胶厚度分解，生成多次涂胶工序，其中，每次涂胶工序以单次涂胶厚度为目标控制涂胶机；将所述芯片固定于所述涂胶机的放置台上，对所述多次涂胶工序中每次涂胶工序进行实时监测，获取多组实时监测数据集，其中，每组实时监测数据集包括平台转速监测数据
、
滴胶速度监测数据以及滴胶量监测数据；以所述平台转速监测数据
、
滴胶速度监测数据以及滴胶量监测数据建立偏差影响识别网络层，根据所述偏差影响识别网络层对每组实时监测数据集进行偏差影响识别，获取第一偏差影响指标，其中，所述第一偏差影响指标为偏差数据造成光刻胶单次均匀度受到影响的程度；基于所述第一偏差影响指标生成调节数据集，用于对下一涂胶工序的涂胶控制参数进行校正
。
[0006]根据本专利技术的第二方面，提供了一种芯片工艺偏差自动识别矫正系统，包括：待涂胶信息获取模块，所述待涂胶信息获取模块用于获取芯片的待涂胶表面以及预设涂胶厚度；单次涂胶厚度分解模块，所述单次涂胶厚度分解模块用于基于所述预设涂胶厚度进行单次涂胶厚度分解，生成多次涂胶工序，其中，每次涂胶工序以单次涂胶厚度为目标控制涂胶机；涂胶工序监测模块，所述涂胶工序监测模块用于将所述芯片固定于所述涂胶机的放置台上，对所述多次涂胶工序中每次涂胶工序进行实时监测，获取多组实时监测数据集，其中，每组实时监测数据集包括平台转速监测数据
、
滴胶速度监测数据以及滴胶量监测数据；偏差影响识别模块，所述偏差影响识别模块用于以所述平台转速监测数据
、
滴胶速度监测数据以及滴胶量监测数据建立偏差影响识别网络层，根据所述偏差影响识别网络层对每组实时监测数据集进行偏差影响识别，获取第一偏差影响指标，其中，所述第一偏差影响指标为偏差数据造成光刻胶单次均匀度受到影响的程度；参数校正模块，所述参数校正模块用
于基于所述第一偏差影响指标生成调节数据集，用于对下一涂胶工序的涂胶控制参数进行校正
。
[0007]根据本专利技术采用的一个或多个技术方案，可达到的有益效果如下：获取芯片的待涂胶表面以及预设涂胶厚度，基于预设涂胶厚度进行单次涂胶厚度分解，生成多次涂胶工序，其中，每次涂胶工序以单次涂胶厚度为目标控制涂胶机，将芯片固定于涂胶机的放置台上，对多次涂胶工序中每次涂胶工序进行实时监测，获取多组实时监测数据集，其中，每组实时监测数据集包括平台转速监测数据
、
滴胶速度监测数据以及滴胶量监测数据，以平台转速监测数据
、
滴胶速度监测数据以及滴胶量监测数据建立偏差影响识别网络层，根据偏差影响识别网络层对每组实时监测数据集进行偏差影响识别，获取第一偏差影响指标，其中，第一偏差影响指标为偏差数据造成光刻胶单次均匀度受到影响的程度，基于第一偏差影响指标生成调节数据集，用于对下一涂胶工序的涂胶控制参数进行校正
。
由此通过对多次涂胶工序进行偏差校正，达到提升芯片涂胶均匀性，进而提升芯片涂胶工艺质量，保证使用寿命的技术效果
。
附图说明
[0008]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍
。
构成本专利技术的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图
。
[0009]图1为本专利技术实施例提供的一种芯片工艺偏差自动识别矫正方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种芯片工艺偏差自动识别矫正系统的结构示意图
。
[0010]附图标记说明：待涂胶信息获取模块
11
，单次涂胶厚度分解模块
12
，涂胶工序监测模块
13
，偏差影响识别模块
14
，参数校正模块
15。
具体实施方式
[0011]为了使得本专利技术的目的
、
技术方案和优点更为明显，下面将参照附图详细描述本专利技术的示例实施例
。
显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是本专利技术的全部实施例，应理解，本专利技术不受这里描述的示例实施例的限制
。
[0012]说明书中使用的术语用于描述实施例，而不是限制本专利技术
。
如在说明书中所使用的，单数术语“一”“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有清楚指示
。
当在说明书中使用时，术语“包括”和
/
或“包含”指定了步骤
、
操作
、
元件和
/
或组件的存在，但是不排除一个或多个其他步骤
、
操作
、
元件
、
组件和
/
或其组的存在或添加
。
[0013]除非另有定义，本说明书中使用的所有术语
(
包括技术和科学术语
)
应具有与本专利技术所属领域的技术人员通常理解的相同含义
。
术语，如常用词典中定义的术语，不应以理想化或过于正式的意义来解释，除非在此明确定义
。
在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件
。
[0014]需要说明的是，本专利技术所涉及的用户信息
(
包括但不限于用户设备信息
、
用户个人信息等
)
和数据
(
包括但不限于用于展示的数据
、
分析的数据等
)
，均为经用户授权或者经过
各方充分授权的信息和数据
。
实施例一<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种芯片工艺偏差自动识别矫正方法，其特征在于，所述方法包括：获取芯片的待涂胶表面以及预设涂胶厚度；基于所述预设涂胶厚度进行单次涂胶厚度分解，生成多次涂胶工序，其中，每次涂胶工序以单次涂胶厚度为目标控制涂胶机；将所述芯片固定于所述涂胶机的放置台上，对所述多次涂胶工序中每次涂胶工序进行实时监测，获取多组实时监测数据集，其中，每组实时监测数据集包括平台转速监测数据
、
滴胶速度监测数据以及滴胶量监测数据；以所述平台转速监测数据
、
滴胶速度监测数据以及滴胶量监测数据建立偏差影响识别网络层，根据所述偏差影响识别网络层对每组实时监测数据集进行偏差影响识别，获取第一偏差影响指标，其中，所述第一偏差影响指标为偏差数据造成光刻胶单次均匀度受到影响的程度；基于所述第一偏差影响指标生成调节数据集，用于对下一涂胶工序的涂胶控制参数进行校正
。2.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述涂胶机的放置台进行离心旋转时，根据振动传感模块获取所述放置台的振动传感数据集，其中，所述振动传感模块与振动传感器连接，用于接收所述振动传感器的数据，所述振动传感器设置于所述放置台的转轴杆上；以所述振动传感数据集进行振动指标识别，输出放置台振动指标，当所述振动指标大于预设振动指标，生成第一提醒信息，用于提醒所述放置台异常振动
。3.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，以所述平台转速监测数据
、
滴胶速度监测数据以及滴胶量监测数据建立偏差影响识别网络层，方法还包括：建立偏差影响识别网络层，其中，所述偏差影响识别网络层包括转速
‑
影响监测通道
、
滴胶速度
‑
影响监测通道以及滴胶量
‑
影响监测通道；利用所述转速
‑
影响监测通道
、
所述滴胶速度
‑
影响监测通道以及所述滴胶量
‑
影响监测通道进行光刻胶单次均匀度影响权重因子训练，当误差趋于收敛时停止训练，输出所述偏差影响识别网络层
。4.
如权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述偏差影响识别网络层对每组实时监测数据集进行偏差影响识别，方法还包括：根据所述偏差影响识别网络层比对当前组的实时监测数据集与上一组的实时监测数据集，获取异常转速
、
异常滴胶速度以及异常滴胶量；基于所述异常转速
、
所述异常滴胶速度以及所述异常滴胶量的偏差数据大小和偏差持续时长，建立三组异常偏差向...

【专利技术属性】
技术研发人员：路庆海，顾志强，焦国玺，
申请(专利权)人：江苏永鼎股份有限公司，
类型：发明
国别省市：