一种高静电防护的阳光传感器及汽车制造技术

本实用新型专利技术提供了一种高静电防护的阳光传感器及汽车，包括：引线框架，所述引线框架上形成芯片键合区；光敏二极管，位于所述芯片键合区；

【技术实现步骤摘要】
一种高静电防护的阳光传感器及汽车


[0001]本技术属于光电传感器
，具体涉及一种高静电防护的阳光传感器及汽车
。

技术介绍

[0002]阳光传感器使用光敏二极管，是一种可以检测太阳光辐射强度，并可以把光信号转换成电信号的光电传感器
。
可应用在汽车空调控制方面，根据阳光的强弱转换成强弱的电信号，通过电信号的强弱调控空调的开关，进而实现车内温度的调节
。
[0003]目前单通道和双通道光敏二极管由于安装方便，具有广泛的应用，但无法防止接触放电，往往需要电路中外加
TVS
静电保护器件等方法实现
。
但是，外加
TVS
静电保护器件成本较高，且更换安装繁琐等问题多发，无法提供出色的浪涌和
ESD
保护
。

技术实现思路

[0004]因此，本技术要解决的技术问题在于，现有技术中的阳光传感器通过外接
TVS
器件问题多发，无法提供出色的浪涌和
ESD
保护，本技术提供一种高静电防护的阳光传感器及汽车，具有出色的感光性能和高接触放电能力
。
[0005]一种高静电防护的阳光传感器，包括：
[0006]引线框架，所述引线框架上形成芯片键合区；
[0007]光敏二极管，位于所述芯片键合区；
[0008]TVS
器件，位于所述芯片键合区；
[0009]所述光敏二极管和所述
TVS
器件并联在所述引线框架上
。
[0010]进一步地，所述芯片键合区包括第一芯片键合区和第二芯片键合区，所述第一芯片键合区的面积大于所述第二芯片键合区的面积，所述光敏二极管与所述第一芯片键合区连接，所述
TVS
器件与所述第二芯片键合区连接
。
[0011]进一步地，所述光敏二极管通过粘接的方式与所述第一芯片键合区连接
。
[0012]进一步地，所述光敏二极管的面积为所述第一芯片键合区面积的
85
％～
90
％
。
[0013]进一步地，所述
TVS
器件通过粘接的方式与所述第二芯片键合区连接
。
[0014]进一步地，所述
TVS
器件为贴片式
TVS
器件
。
[0015]进一步地，所述引线框架还包括第一引线和第二引线，所述第一引线与所述芯片键合区连接，所述第二引线分别与所述光敏二极管和
TVS
器件线键合
。
[0016]进一步地，所述光敏二极管通过双线键合方式与所述第二引线连接
。
[0017]进一步地，所述阳光传感器外层由环氧树脂压膜包覆
。
[0018]一种汽车，包括上述的高静电防护的阳光传感器
。
[0019]本技术提供的一种高静电防护的阳光传感器，通过将
TVS
器件和光敏二极管并联在引线框架上，在实现优秀感光性的同时满足高接触放电能力，可以避免终端电路中外接
TVS
器件或瞬态二极管繁琐故障造成的困扰
。
附图说明
[0020]图1为本技术实施例提供的一种高静电防护的阳光传感器的引线框架结构示意图
。
[0021]图2为本技术实施例的一种高静电防护的阳光传感器的内部结构图
(Bonding
图
)。
[0022]图3为本技术实施例的一种高静电防护的阳光传感器的信号处理原理图
。
[0023]附图标记表示为：
1、
引线框架，
1011、
第一芯片键合区，
1012
第二芯片键合区，
1021、
第一引线，
1022、
第二引线，
2、
光敏二极管，
3、TVS
器件，
4、
键合线
。
具体实施方式
[0024]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制
。
[0025]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量
。
由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征
。
在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定
。
[0026]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通
。
对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义
。
[0027]以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术，并不用于限定本技术
。
[0028]结合参见图1至图3所示，根据本技术的实施例，一种高静电防护的阳光传感器，包括：
[0029]引线框架1，所述引线框架1上形成芯片键合区；
[0030]光敏二极管2，位于所述芯片键合区；
[0031]TVS
器件3，位于所述芯片键合区；
[0032]所述光敏二极管2和所述
TVS
器件3并联在所述引线框架1上
。
[0033]本技术提供的高静电防护的阳光传感器，通过将
TVS
器件3和光敏二极管2并联在引线框架1上，在实现优秀感光性的同时满足高接触放电能力，可以避免终端电路中外接
TVS
器件或瞬态二极管繁琐故障造成的困扰
。
[0034]进一步地，芯片键合区包括第一芯片键合区
1011
和第二芯片键合区
1012
，第一芯片键合区
1011
的面积大于第二芯片键合区
1012
的面积，光敏二极管2与第一芯片键合区
1011
连接，
TVS
器件3与第二芯片键合区
1012
连接
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高静电防护的阳光传感器，其特征在于，包括：引线框架
(1)
，所述引线框架
(1)
上形成芯片键合区；光敏二极管
(2)
，位于所述芯片键合区；
TVS
器件
(3)
，位于所述芯片键合区；所述光敏二极管
(2)
和所述
TVS
器件
(3)
并联在所述引线框架
(1)
上
。2.
根据权利要求1所述的高静电防护的阳光传感器，其特征在于，所述芯片键合区包括第一芯片键合区
(1011)
和第二芯片键合区
(1012)
，所述第一芯片键合区
(1011)
的面积大于所述第二芯片键合区
(1012)
的面积，所述光敏二极管
(2)
与所述第一芯片键合区
(1011)
连接，所述
TVS
器件
(3)
与所述第二芯片键合区
(1012)
连接
。3.
根据权利要求2所述的高静电防护的阳光传感器，其特征在于，所述光敏二极管
(2)
通过粘接的方式与所述第一芯片键合区
(1011)
连接
。4.
根据权利要求3所述的高静电防护的阳光传感器，其特征在于，所述光敏二极管
(2)
的面积为所述第一芯片键合区
(1011...

【专利技术属性】
技术研发人员：祝明，
申请(专利权)人：沈阳中光电子有限公司，
类型：新型
国别省市：