一种具有离散势垒层的半导体激光元件制造技术

本发明专利技术涉及一种具有离散势垒层的半导体激光元件

【技术实现步骤摘要】
一种具有离散势垒层的半导体激光元件


[0001]本专利技术属于半导体激光元件
，具体涉及一种具有离散势垒层的半导体激光元件
。

技术介绍

[0002]激光器广泛应用于激光显示
、
激光电视
、
激光投影仪
、
通讯
、
医疗
、
武器
、
制导
、
测距
、
光谱分析
、
切割
、
精密焊接
、
高密度光存储等领域
。
激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体
、
气体
、
液体
、
半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体激光器具有体积小
、
效率高
、
重量轻
、
稳定性好
、
寿命长
、
结构简单紧凑
、
小型化等优点
。
[0003]激光器与氮化物半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种具有离散势垒层的半导体激光元件，其特征在于，该元件从下至上依次包括衬底
、
下限制层
、
下波导层
、
有源层
、
上波导层
、
电子阻挡层
、
上限制层，所述上波导层与上限制层之间和
/
或下限制层与下波导层之间设置有离散势垒层
。2.
根据权利要求1所述的一种具有离散势垒层的半导体激光元件，其特征在于：所述离散势垒层与上限制层
、
上波导层的连接界面形成不对称的离散势垒，和
/
或所述离散势垒层与下限制层
、
下波导层的连接界面形成不对称的离散势垒
。3.
根据权利要求1所述的一种具有离散势垒层的半导体激光元件，所述离散势垒层的厚度为5～
500nm。4.
根据权利要求1所述的一种具有离散势垒层的半导体激光元件，其特征在于：所述离散势垒层为
2D
‑
MoS2@3D
‑
LiFePO4、2D
‑
WS2@3D
‑
Ta2Pd3Se8、2D
‑
MnO3@3D
‑
Ta2Pt3Se8、2D
‑
WTe2@3D
‑
CoSe2、2D
‑
CdSe@3D
‑
CdS
的任意一种或任意组合的多维拓扑核壳结构
。5.
根据权利要求1所述的一种具有离散势垒层的半导体激光元件，其特征在于：所述离散势垒层的任意组合包括以下二元组合的多维拓扑核壳结构：
2D
‑
MoS2@3D
‑
LiFePO4/2D
‑
WS2@3D
‑
Ta2Pd3Se8
，
2D
‑
MoS2@3D
‑
LiFePO4/2D
‑
MnO3@3D
‑
Ta2Pt3Se8
，
2D
‑
MoS2@3D
‑
LiFePO4/2D
‑
WTe2@3D
‑
CoSe2
，
2D
‑
MoS2@3D
‑
LiFePO4/2D
‑
CdSe@3D
‑
CdS
，
2D
‑
WS2@3D
‑
Ta2Pd3Se8/2D
‑
MnO3@3D
‑
Ta2Pt3Se8
，
2D
‑
WS2@3D
‑
Ta2Pd3Se8/2D
‑
WTe2@3D
‑
CoSe2
，
2D
‑
WS2@3D
‑
Ta2Pd3Se8/2D
‑
CdSe@3D
‑
CdS
，
2D
‑
MnO3@3D
‑
Ta2Pt3Se8/2D
‑
WTe2@3D
‑
CoSe2
，
2D
‑
MnO3@3D
‑
Ta2Pt3Se8/2D
‑
CdSe@3D
‑
CdS
，
2D
‑
WTe2@3D
‑
CoSe2/2D
‑
CdSe@3D
‑
CdS。6.
根据权利要求1所述的一种具有离散势垒层的半导体激光元件，其特征在于：所述离散势垒层的任意组合包括以下三元组合的多维拓扑核壳结构：
2D
‑
MoS2@3D
‑
LiFePO4/2D
‑
WS2@3D
‑
Ta2Pd3Se8/2D
‑
MnO3@3D
‑
Ta2Pt3Se8
，
2D
‑
MoS2@3D
‑
LiFePO4/2D
‑
WS2@3D
‑
Ta2Pd3Se8/2D
‑
WTe2@3D
‑
CoSe2
，
2D
‑
MoS2@3D
‑
LiFePO4/2D
‑
WS2@3D
‑
Ta2Pd3Se8/2D
‑
CdSe@3D
‑
CdS
，
2D
‑
WS2@3D
‑
Ta2Pd3Se8/2D
‑
MnO3@3D
‑
Ta2Pt3Se8/2D
‑
WTe2@3D
‑
CoSe2
，
2D
‑
WS2@3D
‑
Ta2Pd3Se8/2D
‑
MnO3@3D
‑
Ta2Pt3Se8/2D

【专利技术属性】
技术研发人员：陈婉君，王星河，黄军，张会康，蔡鑫，刘紫涵，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：