一种设有拓扑声子态层的半导体激光元件制造技术

技术编号：39552478 阅读：8 留言：0更新日期：2023-12-01 10:57

本实用新型专利技术提供了一种设有拓扑声子态层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底

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【技术实现步骤摘要】
一种设有拓扑声子态层的半导体激光元件

[0001]本技术涉及半导体光电器件
，具体而言，涉及一种设有拓扑声子态层的半导体激光元件
。

技术介绍

[0002]激光器广泛应用于激光显示
、
激光电视
、
激光投影仪
、
通讯
、
医疗
、
武器
、
制导
、
测距
、
光谱分析
、
切割
、
精密焊接
、
高密度光存储等领域
。
激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体
、
气体
、
液体
、
半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体激光器具有体积小
、
效率高
、
重量轻
、
稳定性好
、
寿命长
、
结构简单紧凑
、
小型化等优点
。
激光器与氮化物半导体发光二极管存在较大的区别，
1)
激光是由载流子发生受激辐射产生，光谱半高宽较小，亮度很高，单颗激光器输出功率可在
W
级，而氮化物半导体发光二极管则是自发辐射，单颗发光二极管的输出功率在
mW
级；
2)
激光器的使用电流密度达
KA/cm2
，比氮化物发光二极管高2个数量级以上，从而引起更强的电子泄漏...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种设有拓扑声子态层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底
(100)、
下限制层
(101)、
下波导层
(102)
，有源层
(103)、
上波导层
(104)、
电子阻挡层
(105)、
上限制层
(106)
，其特征在于：有源层
(103)
与上波层
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李水清，王星河，刘紫涵，蔡鑫，蒙磊，季徐芳，张会康，黄军，胡志勇，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：

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