一种碳化硅生长过程可测量晶体重量的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种碳化硅生长过程可测量晶体重量的装置，它涉及晶体重量测量装置技术领域；所述支撑轴通过旋转电机带动支撑盘进行旋转，所述支撑盘上固定安装有坩埚，坩埚内装有粉料，所述坩埚的侧壁上通过坩埚台阶固定安装有导气筒，所述坩埚盖的上端通过扣链与固定在天花板上的称重模块进行连接，所述坩埚盖的底部固定安装有籽晶，所述圆环与坩埚之间保持卡接，它通过称重模块可称量坩埚盖及与之相连的晶体重量，可通过实时测量数据获取各时间段的速率，便于实时调整和对位错

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅生长过程可测量晶体重量的装置


[0001]本技术属于晶体重量测量装置
，具体涉及一种碳化硅生长过程可测量晶体重量的装置
。

技术介绍

[0002]作为第三代半导体材料，碳化硅单晶具有高热导率
、
高击穿场强
、
高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，其优异的性能可以满足现代电子技术对高温
、
高频
、
高功率
、
高压以及抗辐射的新要求，成为半导体材料领域最有前景的材料之一
。
[0003]物理气相传输法
(Physical Vapor Transport
，
PVT)
是目前公认的生长碳化硅单晶最成熟的方法，已实现了商业化
。
该方法通过电阻或线圈感应方式对石墨坩埚进行加热，在较低的压力下通过将粉源加热至一定温度使其升华，并在温度梯度作用下传输至籽晶处结晶而形成碳化硅单晶
。
[0004]整个生长过程在由石墨坩埚和石墨底托组成的腔体中进行，而腔体内晶体生长重量不可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种碳化硅生长过程可测量晶体重量的装置，其特征在于：它包含称重模块
(1)、
扣链
(2)、
坩埚盖
(3)、
圆环
(4)、
导气筒
(5)、
籽晶
(6)、
坩埚
(7)、
粉料
(8)、
支撑盘
(9)、
支撑轴
(10)
和线圈
(11)
；所述线圈
(11)
内转动安装有支撑盘
(9)
，支撑盘
(9)
的底部固定安装有支撑轴
(10)
，所述支撑轴
(10)
通过旋转电机带动支撑盘
(9)
进行旋转，所述支撑盘
(9)
上固定安装有坩埚
(7)
，坩埚
(7)
内装有粉料
(8)
，所述坩埚
(7)
的侧壁上通过坩埚台阶
(71)
固定安装有导气筒
(5)
，所述坩埚盖
(3)
的上端通过扣链
(2)
与固定在天花板上的称重模块
(1)
进行连接，所述坩埚...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡动力，王人松，刘建永，黎志欣，
申请(专利权)人：连城凯克斯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：