均流板制造技术

本实用新型专利技术实施例提供一种均流板

【技术实现步骤摘要】
均流板、坩埚和长晶炉


[0001]本技术涉及半导体领域，具体而言，涉及一种均流板
、
坩埚和长晶炉
。

技术介绍

[0002]在碳化硅晶体生长时会根据热场与温度分布的状况让碳化硅气相往中间或往两旁聚集沉积
,
若大量的气流往中间聚集沉积晶体生长后会让晶体形成凸形晶体
,
相反的因热场造成碳化硅气相往两旁聚集沉积晶体生长后会让晶体形成凹形晶体
,
过凸或过凹的晶体形状对碳化硅的品质都有严重的影响甚至会因为应力差异过大造成取下来的晶体破裂或中间与边部的晶相产生变化
。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种均流板
、
坩埚和长晶炉，其能够对汽化后的碳化硅进行均流，从而改善晶体在沉积过程形成凸截面或凹界面
。
[0004]本技术的实施例是这样实现的：
[0005]第一方面，本技术提供一种均流板，应用于长晶坩埚，所述均流板包括本体，所述本体上设置有多个均流孔；
[0006]在所述均流板单位面积内的所述均本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种均流板，应用于长晶坩埚，其特征在于，所述均流板包括本体
(110)
，所述本体
(110)
上设置有多个均流孔
(111)
；在所述均流板单位面积内的所述均流孔
(111)
的占比沿着所述本体
(110)
的中心向所述本体
(110)
的边缘逐渐增加；或，在所述均流板单位面积内的所述均流孔
(111)
的占比沿着所述本体
(110)
的中心向所述本体
(110)
的边缘逐渐减少
。2.
根据权利要求1所述的均流板，其特征在于，在所述均流板单位面积内的所述均流孔
(111)
的占比沿着所述本体
(110)
的中心向所述本体
(110)
的边缘逐渐增加的情况下，多个所述均流孔
(111)
的尺寸由所述本体
(110)
的中心向着所述本体
(110)
的边缘方向逐渐增大
。3.
根据权利要求1所述的均流板，其特征在于，在所述均流板单位面积内的所述均流孔
(111)
的占比沿着所述本体
(110)
的中心向所述本体
(110)
的边缘逐渐增加的情况下，所述均流孔
(111)
的数量由所述本体
(110)
的中心向着所述本体
(110)
的边缘方向逐渐增多
。4.
根据权利要求1所述的均流板，其特征在于，在所述均流板单位面积内的所述均流孔
(111)
的占比沿着所述本体
(110)
的中心向着所述本体
(110)
的边缘方向逐渐增加的情况下，所述均流孔
(111)
的数量由所述本体
(110)
的中心向着所述本体
(110)
的边缘逐渐增多，且多个所述均流孔
(111)
的尺寸由所述本体

【专利技术属性】
技术研发人员：张炜国，
申请(专利权)人：通威微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：