一种多级放大器间的隔离电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种多级放大器间的隔离电路，包括：包括：一级放大模块和二级放大模块，所述一级放大模块的输入端接入输入信号，所述一级放大模块的输出端连接所述二级放大模块的输入端，所述二级放大模块的输出端输出输出信号，所述一级放大模块还接入电源VCC1,所述二级放大模块还接入电源VCC2,其特征在于,所述电源VCC1和电源VCC2之间连接隔离模块，所述隔离模块设于LGA基板上。实施本实用新型专利技术的多级放大器间的隔离电路，具有以下有益效果：隔离模块不需要重新设计修改原有的一级放大模块和二级放大模块，即可高效快速地解决放大器级间隔离度不足的问题，避免了信号干扰，保证了信号质量，简单便捷易操作。简单便捷易操作。简单便捷易操作。

【技术实现步骤摘要】
一种多级放大器间的隔离电路


[0001]本技术涉及射频放大电路领域，更具体地说，涉及一种多级放大器间的隔离电路。

技术介绍

[0002]通信技术对于射频器件的功率增益指标有较高的要求，现有的半导体技术无法通过单级放大来实现较高的功率增益需求，而是采用多级放大的电路设计结构来提高功率增益。但是多级放大电路的功率管集电极之间如果隔离不够好的话，就会导致一些严重的信号干扰，使信号质量严重降低，甚至出现严重的电路信号震荡问题。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提出一种多级放大器间的隔离电路。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提出一种多级放大器间的隔离电路，包括：一级放大模块和二级放大模块，所述一级放大模块的输入端接入输入信号，所述一级放大模块的输出端连接所述二级放大模块的输入端，所述二级放大模块的输出端输出输出信号，所述一级放大模块还接入电源VCC1,所述二级放大模块还接入电源VCC2,其特征在于，所述电源VCC1和电源VCC2之间连接隔离模块，所述隔离模块设于LGA基板上。
[0005]在一些实施例中，所述隔离模块包括：电感L1、电感L2和电容C1；
[0006]所述电感L1和L2串联于所述电源VCC1和电源VCC2之间，所述电容C1的一端连接于所述电感L1和L2之间，所述电容C1的另一端接地。
[0007]在一些实施例中，所述电感L1、电感L2和电容C1为SMD元件。
[0008]在一些实施例中，所述电感L1和电感L2通过多层所述LGA基板绕线设计所得，所述电容C1为SMD元件。
[0009]在一些实施例中，所述隔离模块还包括：电感L3和电容C2；
[0010]所述电感L3串联于电感L2和电源VCC2之间，所述电容C2的一端连接于所述电感L2和电感L3之间，所述电容C2的另一端接地。
[0011]在一些实施例中，所述一级放大模块包括：三极管Q1、电容C3和电容C4；
[0012]所述电容C3串联于所述输入信号和三极管Q1的基极之间，所述三极管Q1的集电极连接电源VCC1,所述三极管Q1的集电极还连接电感L1的第一端和电容C4的第一端，所述三极管Q1的发射极接地。
[0013]在一些实施例中，所述二级放大模块包括：三极管Q2、电容C5、电容C6和电感L4；
[0014]所述电容C5串联于所述电容C4和三极管Q2的基极之间，所述电容L4的一端连接于所述电容C4和电容C5之间，所述电容L4的另一端接地，所述三极管Q2的集电极连接电源VCC2,所述三极管Q2的集电极还连接电容C6并输出输出信号，所述三极管Q2的发射极接地。
[0015]实施本技术的多级放大器间的隔离电路，具有以下有益效果：隔离模块不需
要重新设计修改原有的一级放大模块和二级放大模块，即可高效快速地解决放大器级间隔离度不足的问题，避免了信号干扰，保证了信号质量，简单便捷易操作。
附图说明
[0016]下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中：
[0017]图1是本技术的多级放大器间的隔离电路的原理图；
[0018]图2是本技术的多级放大器间的隔离电路的电路图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]如图1所示，本技术的多级放大器间的隔离电路，包括：一级放大模块100和二级放大模块200，一级放大模块100的输入端接入输入信号RFIN，一级放大模块100的输出端连接二级放大模块200的输入端，二级放大模块200的输出端输出输出信号RFOUT，一级放大模块100还接入电源VCC1,二级放大模块200还接入电源VCC2,，电源VCC1和电源VCC2之间连接隔离模块300，隔离模块300设于LGA(触点阵列封装)基板上。
[0021]具体地，隔离模块300不需要重新设计修改原有的一级放大模块100和二级放大模块200，即可高效快速地解决放大器级间隔离度不足的问题，避免了信号干扰，保证了信号质量，还可以实现量产化。
[0022]进一步地，在一些实施例中，隔离模块300包括：电感L1、电感L2和电容C1；电感L1和L2串联于电源VCC1和电源VCC2之间，电容C1的一端连接于电感L1和L2之间，电容C1的另一端接地。
[0023]电感L1、电感L2隔离一级放大模块100和二级放大模块200之间的高频信号，并通过电容C1接地进一步滤除高频信号，避免高频信号对功率放大的干扰作用。
[0024]可以理解地，对于不同工作频段的放大模块，电感L1、电感L2和电容C1的数值会有所不同。
[0025]进一步地，在一些实施例中，电感L1、电感L2和电容C1为SMD元件。可以理解地，一级放大模块100和二级放大模块200可以是芯片的一部分，而隔离模块300是通过回流焊的方式将电感L1、电感L2和电容C1焊接在LGA基板上，隔离模块300起到放大模块级间隔离作用的同时，不需要改变一级放大模块100和二级放大模块200的设计方式，简单便捷易操作。
[0026]进一步地，在一些实施例中，电感L1和电感L2通过多层LGA基板绕线设计所得，电容C1为SMD元件。
[0027]进一步地，在一些实施例中，隔离模块300还包括：电感L3和电容C2；电感L3串联于电感L2和电源VCC2之间，电容C2的一端连接于电感L2和电感L3之间，电容C2的另一端接地。
[0028]根据放大电路的实际需要，还可以增加电感L3和电容C2来提高级间的隔离度，增强放大信号的稳定性。
[0029]在一些实施例中，一级放大模块100包括：三极管Q1、电容C3和电容C4；电容C3串联
于输入信号RFIN和三极管Q1的基极之间，三极管Q1的集电极连接电源VCC1,三极管Q1的集电极还连接电感L1的第一端和电容C4的第一端，三极管Q1的发射极接地。
[0030]进一步地，在一些实施例中，二级放大模块200包括：三极管Q2、电容C5、电容C6和电感L4；电容C5串联于电容C4和三极管Q2的基极之间，电容L4的一端连接于电容C4和电容C5之间，电容L4的另一端接地，三极管Q2的集电极连接电源VCC2,三极管Q2的集电极还连接电容C6并输出输出信号RFOUT，三极管Q2的发射极接地。
[0031]具体地，输入信号RFIN控制三极管Q1的导通或者关断，当三极管Q1导通时，一级放大模块100输出低电平，则三极管Q2导通，二级放大模块200输出信号RFOUT为低；当三极管Q1截止时，一级放大模块100输出高电平，则三极管Q2截止，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多级放大器间的隔离电路，包括：一级放大模块和二级放大模块，所述一级放大模块的输入端接入输入信号，所述一级放大模块的输出端连接所述二级放大模块的输入端，所述二级放大模块的输出端输出输出信号，所述一级放大模块还接入电源VCC1,所述二级放大模块还接入电源VCC2,其特征在于，所述电源VCC1和电源VCC2之间连接隔离模块，所述隔离模块设于LGA基板上。2.根据权利要求1所述的多级放大器间的隔离电路，其特征在于，所述隔离模块包括：电感L1、电感L2和电容C1；所述电感L1和L2串联于所述电源VCC1和电源VCC2之间，所述电容C1的一端连接于所述电感L1和L2之间，所述电容C1的另一端接地。3.根据权利要求2所述的多级放大器间的隔离电路，其特征在于，所述电感L1、电感L2和电容C1为SMD元件。4.根据权利要求2所述的多级放大器间的隔离电路，其特征在于，所述电感L1和电感L2通过多层所述LGA基板绕线设计所得，所述电容C1为SMD元件。5.根据权利要求2所述的多级放大...

【专利技术属性】
技术研发人员：张泽洲，张海涛，
申请(专利权)人：芯百特微电子无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：