液晶手写板制造技术

本申请公开了一种液晶手写板，属于显示技术领域

【技术实现步骤摘要】
液晶手写板


[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种液晶手写板
。

技术介绍

[0002]手写板是一种用于实现文字书写和绘画的电子设备
。
其中，液晶手写板具有功耗低且笔迹清晰的优势，近年来在占据了较多的市场份额
。
[0003]为了能够对液晶手写板所显示的书写笔迹进行局部擦除，需要在液晶手写板中设置对目标光线比较敏感的晶体管
。
在采用擦除工具
(
例如，能发出光强较强的目标光线的板擦
)
对液晶手写板显示的书写笔迹进行擦除时，晶体管在目标光线的照射线能够导通，使得与这个晶体管连接的像素电极和液晶手写板中的公共电极之间能够形成电压差，以擦除目标光线照射区域内的书写笔迹
。
[0004]然而，液晶手写板中的晶体管的感光面积较小，导致晶体管的灵敏度较低，进而导致液晶手写板的擦除效果较差
。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了一种液晶手写板
。
可以解决现有技术的液晶手写板的擦除效果较差的问题，所述技术方案如下：
[0006]一方面，提供了一种液晶手写板，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层，所述液晶层包括双稳态液晶分子；
[0007]所述第一基板包括：第一衬底，以及位于所述第一衬底靠近第二基板一侧的晶体管和像素电极，所述晶体管与所述像素电极电连接；
[0008]其中，所述晶体管具有沟道区，所述沟道区的面积与所述晶体管的导通电流的比值，大于参考晶体管的沟道区的面积与所述参考晶体管的导通电流的比值，且所述参考晶体管的沟道区的面积与所述参考晶体管的导通电流的比值为
32.5。
[0009]可选的，所述晶体管的沟道区的长度为所述参考晶体管的沟道区的长度的
N
倍，所述晶体管的沟道区的宽度也为所述参考晶体管的沟道区的宽度的
N
倍，所述
N
大于
1。
[0010]可选的，所述
N
小于或等于
2。
[0011]可选的，所述晶体管的沟道区包括：相互连接的第一子沟通区和第二子沟道区，所述第一子沟道区的长度大于所述第二子沟道区的长度；
[0012]其中，所述第二子沟道区的长度等于所述参考晶体管的沟道区的长度；所述第一子沟道区的宽长比与所述第二子沟道区的宽长比之和，等于所述参考晶体管的宽长比
。
[0013]可选的，所述沟道区的形状为
U
形，所述第一子沟道区和所述第二子沟道区中的一个具有两个子沟道区，且所述两个子沟道区排布在所述第一子沟道区和所述第二子沟道区中的另一个的两侧
。
[0014]可选的，所述两个子沟道区的形状均为条形，所述第一子沟道区和所述第二子沟
道区中的另一个的形状为
U
形
。
[0015]可选的，所述第一子沟道的宽度
W1
，与所述第二子沟道区的宽度
W2
满足以下关系：
[0016]W1/M+W2
＝
W3
；
[0017]其中，
W3
表示所述参考晶体管的沟道区的宽度，
M
代表所述第一子沟道区的长度与所述参考晶体管的沟道区的长度的比值，所述
M
大于
1。
[0018]可选的，所述晶体管包括：相互串联的
K
个第一子晶体管，各个所述第一子晶体管均具有第三子沟道区，且
K
个所述第三子沟道区分离设置，
K
为大于1的整数；
[0019]其中，所述第三子沟道区的长度等于所述参考晶体管的沟道区的长度，所述第三子沟道区的宽度是所述参考晶体管的沟道区的宽度的
K
倍
。
[0020]可选的，各个所述第三子沟道区的形状均为条形
。
[0021]可选的，所述晶体管的沟道区的形状为环形，且所述沟道区的长度等于所述参考晶体管的沟道区的长度，所述沟道区的宽度等于所述参考晶体管的沟道区的宽度
。
[0022]可选的，所述晶体管包括：相互并联的
J
个第二子晶体管，各个所述第二子晶体管均具有环形的第四子沟道区，且
J
个所述第四子沟道区分离设置，
J
为大于1的整数；
[0023]其中，所述第四子沟道区的长度等于所述参考晶体管的沟道区的长度，所述
J
个第四子沟道区的宽度之和等于所述参考晶体管的沟道区的宽度
。
[0024]可选的，各个所述第四子沟道区的面积均相等，且各个所述第四子沟道区的宽度等于所述参考晶体管的沟道区的宽度的
J
分之一
。
[0025]可选的，所述环形为环状的正方形
。
[0026]可选的，所述第一基板还包括：栅线和数据线，所述栅线与所述晶体管的栅极电连接，所述数据线与所述晶体管的第一极电连接，所述晶体管的第二极与所述像素电极电连接
。
[0027]可选的，所述第二基板包括：第二衬底，以及位于所述第二衬靠近第一基板一侧的公共电极，所述第一衬底和第二衬底中的一个为柔性衬底；
[0028]所述晶体管被配置为：在目标光线照射作用下导通，使与所述晶体管连接的数据线能够向与所述晶体管连接的像素电极施加像素电压，以使施加了所述像素电压的像素电极与所述公共电极之间形成电压差
。
[0029]可选的，所述晶体管的沟道区的面积与所述晶体管的导通电流的比值，和所述参考晶体管的沟道区的面积与所述参考晶体管的导通电流的比值的差值大于或等于
1.8。
[0030]本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0031]一种液晶手写板，包括：第一基板
、
第二基板和液晶层
。
其中，第一基板中的晶体管与像素电极电连接，且该晶体管对光线较为敏感
。
这里，由于晶体管的沟道区的面积较大
。
因此，晶体管在受到目标光线照射后更容易导通，也即是液晶手写板的灵敏度较高，进而使得液晶手写板的擦除效果较好
。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他
的附图
。
[0033]图1是相关技术提供的一种液晶手写板中的晶体管的俯视图；
[0034]图2是本申请实施例提供的一种液晶手写板的膜层结构示意图；
[0035]图3是图2示出的液晶手写板中的第一基板的俯视本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种液晶手写板，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层，所述液晶层包括双稳态液晶分子；所述第一基板包括：第一衬底，以及位于所述第一衬底靠近第二基板一侧的晶体管和像素电极，所述晶体管与所述像素电极电连接；其中，所述晶体管具有沟道区，所述沟道区的面积与所述晶体管的导通电流的比值，大于参考晶体管的沟道区的面积与所述参考晶体管的导通电流的比值，且所述参考晶体管的沟道区的面积与所述参考晶体管的导通电流的比值为
32.5。2.
根据权利要求1所述的液晶手写板，其特征在于，所述晶体管的沟道区的长度为所述参考晶体管的沟道区的长度的
N
倍，所述晶体管的沟道区的宽度也为所述参考晶体管的沟道区的宽度的
N
倍，所述
N
大于
1。3.
根据权利要求2所述的液晶手写板，其特征在于，所述
N
小于或等于
2。4.
根据权利要求1所述的液晶手写板，其特征在于，所述晶体管的沟道区包括：相互连接的第一子沟通区和第二子沟道区，所述第一子沟道区的长度大于所述第二子沟道区的长度；其中，所述第二子沟道区的长度等于所述参考晶体管的沟道区的长度；所述第一子沟道区的宽长比与所述第二子沟道区的宽长比之和，等于所述参考晶体管的宽长比
。5.
根据权利要求4所述的液晶手写板，其特征在于，所述沟道区的形状为
U
形，所述第一子沟道区和所述第二子沟道区中的一个具有两个子沟道区，且所述两个子沟道区排布在所述第一子沟道区和所述第二子沟道区中的另一个的两侧
。6.
根据权利要求5所述的液晶手写板，其特征在于，所述两个子沟道区的形状均为条形，所述第一子沟道区和所述第二子沟道区中的另一个的形状为
U
形
。7.
根据权利要求4所述的液晶手写板，其特征在于，所述第一子沟道的宽度
W1
，与所述第二子沟道区的宽度
W2
满足以下关系：
W1/M+W2
＝
W3
；其中，
W3
表示所述参考晶体管的沟道区的宽度，
M
代表所述第一子沟道区的长度与所述参考晶体管的沟道区的长度的比值，所述
M
大于
1。8.
根据权利要求1所述的液晶手写板，其特征在于，所述晶体管包括：相互串联的
K
个第一子晶体管，各个所述第一子晶体管均具有第三子沟道区，且
K...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宇，武晓娟，冯大伟，于志强，葛杨，王家星，毕谣，杨猛训，王建，王修亮，韩天洋，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司山东蓝贝思特教装集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：