提高封装结构热阻仿真与测试一致性的方法技术

本发明专利技术提供一种提高封装结构热阻仿真与测试一致性的方法，其包括：向待测封装结构的加热元件通入加热电流，以提高待测封装结构中芯片的温度；红外扫描待测封装结构，并获得待测封装结构的温度地图，温度地图包括待测封装结构中至少一热点区域的热点轮廓图形；根据预设规则，依据温度地图获得待测封装结构的实际功率地图，实际功率地图包括根据热点轮廓图形获得的实际功率轮廓图形；将实际功率地图更新至仿真软件中，仿真软件依据实际功率地图设置通电位置，进而仿真获得待测封装结构的热阻

【技术实现步骤摘要】
提高封装结构热阻仿真与测试一致性的方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种提高封装结构热阻仿真与测试一致性的方法
。

技术介绍

[0002]随着半导体功率器件不断朝着大电流高电压方向发展，不断增加的热功耗引起的结温过高及相关可靠性能降低逐渐成为制约其应用的障碍
。
根据外部散热条件和器件封装热阻进行热设计，保证器件工作结温在一定范围内显得至关重要
。
因此，封装热阻也成为功率器件生产商和应用者非常关注的重要热参数
。
[0003]通常，通过仿真软件来预测封装结构的热阻以及通过测试装置来测试封装结构的热阻，但是，仿真软件所采用的参数与封装结构的实际参数存在差别，导致仿真结果与测试结果之间的偏差较大，仿真与测试的一致性较低，无法提供有效参考
。
[0004]因此，如何提高封装结构热阻仿真与测试一致性，成为目前亟需解决的技术问题
。

技术实现思路

[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种提高封装结构热阻仿真与测试一致性的方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种提高封装结构热阻仿真与测试一致性的方法，其特征在于，包括：向待测封装结构的加热元件通入加热电流，以提高所述待测封装结构中芯片的温度；红外扫描所述待测封装结构，并获得所述待测封装结构的温度地图，所述温度地图包括所述待测封装结构中至少一热点区域的热点轮廓图形；根据预设规则，依据所述温度地图获得所述待测封装结构的实际功率地图，所述实际功率地图包括根据所述热点轮廓图形获得的实际功率轮廓图形；将所述实际功率地图更新至仿真软件中，所述仿真软件依据所述实际功率地图设置通电位置，进而仿真获得所述待测封装结构的热阻
。2.
根据权利要求1所述的提高封装结构热阻仿真与测试一致性的方法，其特征在于，红外扫描所述待测封装结构，并获得所述待测封装结构的温度地图的步骤包括：在所述待测封装结构塑封之前红外扫描未塑封的所述待测封装结构，并获得所述待测封装结构的温度地图
。3.
根据权利要求1所述的提高封装结构热阻仿真与测试一致性的方法，其特征在于，红外扫描所述待测封装结构，并获得所述待测封装结构的温度地图的步骤包括：在所述待测封装结构塑封之后红外扫描塑封后的所述待测封装结构，并获得所述待测封装结构的温度地图
。4.
根据权利要求1所述的提高封装结构热阻仿真与测试一致性的方法，其特征在于，红外扫描所述待测封装结构，并获得所述待测封装结构的温度地图的步骤还包括：获得所述热点区域中温度最高点的位置；所述仿真软件依据所述实际功率轮廓图形进行仿真的步骤还包括：依据所述热点区域中温度最高点的位置设置通电位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐彦波，
申请(专利权)人：长电科技管理有限公司，
类型：发明
国别省市：