一种石英表贴晶振以及封装工艺制造技术

本发明专利技术涉及半导体制造及微电子器件封装技术领域，公开了一种石英表贴晶振以及封装工艺

【技术实现步骤摘要】
一种石英表贴晶振以及封装工艺


[0001]本专利技术涉及半导体制造及微电子器件封装
，尤其涉及一种石英表贴晶振以及封装工艺
。

技术介绍

[0002]石英表贴晶振由于其具有性能优异
、
抗震性强
、
精度稳定等特点，且尺寸微小，易于集成而广泛应用于消费电子
、
航空航天
、
汽车工业等领域
。
常见的封装形式有金属外壳封装
、
陶瓷封装
、
塑封等
。
但是这种传统的金属外壳封装
、
陶瓷封装或塑封只能针对单个石英晶片，而且目前的封装结构复杂，因此如何简化石英晶片的封装结构是业界急需解决的问题
。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种石英表贴晶振以及封装工艺，用以解决现有技术中存在的石英晶片的封装结构较为复杂的问题
。
[0004]本专利技术提供一种石英表贴晶振，包括：
[0005]上盖板，所述上盖板背面的中部形成有第一空腔；
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种石英表贴晶振，其特征在于，包括：上盖板
(10)
，所述上盖板
(10)
背面的中部形成有第一空腔
(11)
；下盖板
(20)
，所述下盖板
(20)
正面的中部形成有第二空腔
(21)
，所述下盖板
(20)
的背面间隔设置有第三电极
(22)
和第四电极
(23)
；功能层
(30)
，所述功能层
(30)
的中部进行减薄处理形成减薄层
(31)
，所述减薄层
(31)
设置于由所述第一空腔
(11)
和所述第二空腔
(21)
形成的振荡空间内，所述减薄层
(31)
的正面设置有第一电极
(32)
，所述减薄层
(31)
的背面设置有第二电极
(33)
；第一键合组件，由所述功能层
(30)
的正面与所述上盖板
(10)
的背面进行晶圆键合形成，所述第一键合组件用于将所述第一电极
(32)
与所述第三电极
(22)
电连接；第二键合组件，由所述功能层
(30)
的背面与所述下盖板
(20)
的正面进行晶圆键合形成，所述第二键合组件用于将所述第二电极
(33)
与所述第四电极
(23)
电连接
。2.
根据权利要求1所述的石英表贴晶振，其特征在于，所述功能层
(30)
的非减薄区域开设有第一通孔
(34)
；所述下盖板
(20)
上开设有第二通孔
(24)
，所述第二通孔
(24)
位于所述第二空腔
(21)
的外部；所述第一键合组件包括：第一键合层
(41)
，设置于所述上盖板
(10)
背面环绕所述第一空腔
(11)
的区域；第二键合层
(42)
，设置于所述功能层
(30)
正面的非减薄区域，与所述第一电极
(32)
电连接，与所述第一键合层
(41)
进行晶圆键合且电连接；第一通孔电极
(43)
，设置于所述第一通孔
(34)
内侧壁，与所述第二键合层
(42)
电连接，与所述第二键合组件绝缘；第二通孔电极
(44)
，设置于所述第二通孔
(24)
内侧壁，与所述第一通孔电极
(43)
以及所述第三电极
(22)
均电连接，与所述第二键合组件绝缘
。3.
根据权利要求2所述的石英表贴晶振，其特征在于，所述下盖板
(20)
上开设有第三通孔
(25)
，所述第三通孔
(25)
位于所述第二空腔
(21)
的外部；所述第二键合组件包括：第三键合层
(51)
，设置于所述功能层
(30)
背面的非减薄区域，与所述第二电极
(33)
电连接，与所述第一通孔电极
(43)
绝缘；第四键合层
(52)
，设置于所述下盖板
(20)
正面环绕所述第二空腔
(21)
的区域，用于与所述第三键合层
(51)
进行晶圆键合且电连接，还与所述第二通孔电极
(44)
绝缘；第三通孔电极
(53)
，设置于所述第三通孔
(25)
的内侧壁，与所述第四键合层
(52)
以及所述第四电极
(23)
均电连接
。4.
根据权利要求1所述的石英表贴晶振，其特征在于，所述下盖板
(20)
的背面还镀膜有第五电极
(26)
，所述第五电极
(26)
用于接地
。5.
根据权利要求1至4任一项所述的石英表贴晶振，其特征在于，所述第一键合组件的材料选自金
、
银
、
铜
、
锡
、
钛
、
钨或铬
。6.
根据权利要求1至4任一项所述的石英表贴晶振，其特征在于，所述第二键合组件的材料选自金
、
银
、
铜
、
锡
、
钛
、
钨或铬
。7.
根据权利要求1至4任一项所述的石英表贴晶振，其特征在于，所述上盖板为硅晶圆或石英晶圆，所述下...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚帅，任抒琪，朱阳阳，王颖，曹海潮，李永增，裴志强，
申请(专利权)人：北京晨晶电子有限公司，
类型：发明
国别省市：