【技术实现步骤摘要】
一种区域熔炼制备5N高纯铜的方法
[0001]本专利技术涉及有色金属提纯
,具体涉及一种工艺简单
、
蒸发损耗小
、
杂质含量低
、
特别是氧含量低的区域熔炼制备
5N
高纯铜的方法
。
技术介绍
[0002]高纯铜具有低电阻率
、
高电磁性等优良的性能,能满足现代许多尖端科技的技术要求,已在电子
、
通讯
、
超导
、
航天等尖端
得到广泛应用,并取得了良好的效果
。
随着科技的发展,现代高科技领域使用的高纯铜要求在不牺牲铜导电率的条件下,能够提高铜的力学性能
、
抗腐蚀能力和表面性能
。
而高纯铜中的各种非金属及金属杂质对其各项性能都会产生不同的影响,因此提高高纯铜的纯度就变得尤为迫切
。
[0003]目前,铜的高度提纯技术主要有电解精炼
、
电子束熔炼
、
定向凝固
、< ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种区域熔炼制备
5N
高纯铜的方法,包括将
4N
阴极铜进行多道次区域熔炼,其特征在于所述多道次区域熔炼过程中的熔炼气氛采用氩气与氢气的混合气体,所述混合气体中氢气体积占比为5~
30%。2.
根据权利要求1所述区域熔炼制备
5N
高纯铜的方法,其特征在于所述多道次区域熔炼过程中占总熔炼道次
1/5
~
1/3
的后续道次熔炼气氛采用氩气与氢气的混合气体,其余熔炼道次的熔炼气氛为氩气,所述熔炼气氛中氩气及氢气的纯度大于
99.999%。3.
根据权利要求2所述区域熔炼制备
5N
高纯铜的方法,其特征在于所述多道次区域熔炼中总熔炼
10
~
15
道次且最后的2~5道次熔炼气氛采用氩气与氢气的混合气体,其余熔炼道次的熔炼气氛为氩气
。4.
根据权利要求3所述区域熔炼制备
5N
高纯铜的方法,其特征在于所述多道次区域熔炼中总熔炼
15
道次且最后的第
12
~
15
道次熔炼气氛采用氩气与氢气的混合气体,其余熔炼道次的熔炼气氛为氩气
。5.
根据权利要求3所述区域熔炼制备
5N
高纯铜的方法,其特征在于所述多道次区域熔炼中总熔炼
12
道次且最后的第9~
12
道次熔炼气氛采用氩气与氢气的混合气体,其余熔炼道次的熔炼气氛为氩气
。6.
根据权利要求2所述区域熔炼制备
5N
高纯铜的方法,其特征在于所述多道次区域熔炼过程中的通气方式为每道次分别通气,每次通气先将精炼室中的空气赶走后抽真空,再...
【专利技术属性】
技术研发人员:林琳,金青林,王玉博,杨妮,李小英,杨振,彭学斌,庄晓东,刘俊场,
申请(专利权)人:昆明理工大学,
类型:发明
国别省市:
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