具有埋入式电极的双层薄膜声表面波器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种具有埋入式电极的双层薄膜声表面波器件，涉及表面波器件技术领域

【技术实现步骤摘要】
具有埋入式电极的双层薄膜声表面波器件及其制作方法


[0001]本专利技术属于表面波器件
，具体涉及一种具有埋入式电极的双层薄膜声表面波器件及其制作方法
。

技术介绍

[0002]声表面波器件具有低损耗
、
小体积
、
实时信号处理能力强等特性，广泛运用于无线通信
、
传感技术
、
量子研究等领域，是现代信息系统的重要组成原件
。
[0003]随着
5G
时代的到来，无线通信技术的不断发展以及需求的快速增长，对声表面波器件也提出了更高的要求，如具有更高谐振频率
、
更大带宽
、
更高机电耦合系数以及更高的输出功率等
。
[0004]现有技术中，声表面波器件
(Surface Acoustic Wave
，简称
SAW)
大多采用压电单晶衬底，但采用压电单晶衬底的相速度较低，以此制备的声表面波器件不易与电子电路集成，因此在当前半导体工艺下，限制了向高频领域的发展本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种具有埋入式电极的双层薄膜声表面波器件，其特征在于，所述器件从下至上依次包括：衬底
、
压电薄膜
、
压电覆盖层；在所述压电薄膜内，从上表面自下设置有若干均匀分布的凹槽，且所述凹槽下表面与所述压电薄膜下表面不接触，在所述凹槽内嵌有叉指电极，所述叉指电极和所述凹槽高度相同；其中，所述叉指电极通过所述压电薄膜以及所述压电覆盖层的压电效应，完成信号的转换并以声表面波形式传播
。2.
根据权利要求1所述的具有埋入式电极的双层薄膜声表面波器件，其特征在于，所述器件还包括：二氧化硅层，所述二氧化硅层处于所述衬底的上表面以及所述压电薄膜下表面之间的位置
。3.
根据权利要求1所述的具有埋入式电极的双层薄膜声表面波器件，其特征在于，所述衬底材料为硅
、
碳化硅
、
蓝宝石
、
金刚石中的任意一种
。4.
根据权利要求1所述的具有埋入式电极的双层薄膜声表面波器件，其特征在于，所述压电薄膜材料为氧化锌
(ZnO)、
氮化铝
(AlN)、
钪铝氮
(ScAlN)、
锆钛酸铅
(PZT)、
铌酸锂
(LiNbO3)、
钽酸锂
(LiTaO3)
中任意一种，厚度在
200nm
‑
6um
之间
。5.
根据权利要求1所述的具有埋入式电极的双层薄膜声表面波器件，其特征在于，所述叉指电极为双层金属结构，所述叉指电极材料为
Ti/Al、Ta/Al、Mo/Al、Ti/Au
合金材料中的任意一种
。6.
根据权利要求5所述的具有埋入式电极的双层薄膜声表面波器件，其特征在于，在所述双层金属结构中靠近所述衬底一侧的金属层为第一金属层，所述第一金属层厚度在
10nm
‑
50nm
之间，远离所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志宏，陈淑莹，樊雨佳，许淑宁，周瑾，邢伟川，杜航海，张苇杭，张进成，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：