显示基板及其制备方法技术

一种显示基板及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置


[0001]本文涉及但不限于显示
，具体涉及一种显示基板及其制备方法
、
显示装置
。

技术介绍

[0002]有机发光二极管
(Organic Light Emitting Diode
，简称
OLED)
和量子点发光二极管
(Quantum
‑
dot Light Emitting Diodes
，简称
QLED)
为主动发光显示器件，具有自发光
、
广视角
、
高对比度
、
低耗电
、
极高反应速度
、
轻薄
、
可弯曲和成本低等优点
。
随着显示技术的不断发展，以
OLED
或
QLED
为发光器件
、
由薄膜晶体管
(Thin Film Transistor
，简称
TFT)
进行信号控制的柔性显示装置
(Flexible Display)
已成为目前显示领域的主流产品
。
[0003]目前，现有
OLED
显示装置存在显示分辨率较低等问题
。

技术实现思路

[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述
。
本概述并非是为了限制权利要求的保护范围
。
[0005]本公开所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法
、
显示装置，以解决现有显示装置存在的显示分辨率较低等问题
。
[0006]一方面，本公开提供了一种显示基板，包括多个电路单元，至少一个电路单元包括像素驱动电路，所述像素驱动电路至少包括多个晶体管；在垂直于显示基板平面的方向上，所述显示基板至少包括设置在基底上且沿着远离所述基底方向依次设置的第一导电层
、
半导体层
、
第二导电层和第三导电层，所述第一导电层包括至少一个第一转接电极，所述半导体层包括多个晶体管的有源层，所述第二导电层包括至少一个第二转接电极，所述第三导电层包括至少一个第三转接电极；所述第二转接电极通过转接结构过孔同时与所述第一转接电极和一个晶体管的有源层连接，所述第三转接电极通过单孔结构过孔与另一个晶体管的有源层连接，所述转接结构过孔包括深半孔和浅半孔，所述深半孔暴露出所述第一转接电极，所述浅半孔暴露出所述有源层
。
[0007]在示例性实施方式中，所述多个晶体管至少包括第一晶体管，所述第一晶体管至少包括第一有源层，所述第一有源层设置在所述半导体层中；所述第一导电层包括作为所述第一转接电极的第一连接电极，所述第二导电层还包括初始信号线，所述初始信号线通过转接结构过孔同时与所述第一连接电极和所述第一有源层连接
。
[0008]在示例性实施方式中，所述多个晶体管至少包括第一晶体管，所述第一晶体管至少包括第一有源层，所述第一有源层设置在所述半导体层中；所述第三导电层还包括初始信号线，所述初始信号线通过单孔结构过孔与所述第一有源层连接
。
[0009]在示例性实施方式中，所述多个晶体管至少包括第二晶体管，所述第二晶体管至少包括第二有源层，所述第二有源层设置在所述半导体层中；所述第一导电层包括作为所述第一转接电极的第二连接电极，所述第二导电层包括作为所述第二转接电极的第五连接
电极，所述第五连接电极通过转接结构过孔同时与所述第二连接电极和所述第二有源层连接
。
[0010]在示例性实施方式中，所述多个晶体管至少包括第四晶体管，所述第四晶体管至少包括第四有源层，所述第四有源层设置在所述半导体层中；所述第一导电层还包括数据信号线，所述第二导电层包括作为所述第二转接电极的第六连接电极，所述第六连接电极通过转接结构过孔同时与所述数据信号线和所述第四有源层连接
。
[0011]在示例性实施方式中，所述多个晶体管至少包括第五晶体管，所述第五晶体管至少包括第五有源层，所述第五有源层设置在所述半导体层中；所述第一导电层还包括第一电源线，所述第二导电层包括作为所述第二转接电极的第七连接电极，所述第七连接电极通过转接结构过孔同时与所述第一电源线和所述第五有源层连接
。
[0012]在示例性实施方式中，所述多个晶体管至少包括第五晶体管，所述第五晶体管至少包括第五有源层，所述第五有源层设置在所述半导体层中；所述第三导电层还包括第一电源线，所述第一电源线通过单孔结构过孔与所述第五有源层连接
。
[0013]在示例性实施方式中，所述多个晶体管至少包括第六晶体管，所述第六晶体管至少包括第六有源层，所述第六有源层设置在所述半导体层中；所述第三导电层包括作为所述第三转接电极的阳极连接电极，所述阳极连接电极通过单孔结构过孔与所述第六有源层连接
。
[0014]在示例性实施方式中，所述多个晶体管至少包括第七晶体管，所述第七晶体管至少包括第七有源层，所述第七有源层设置在所述半导体层中；所述第一导电层还包括第一电源线，所述第二导电层包括作为所述第二转接电极的第八连接电极，所述第八连接电极通过转接结构过孔同时与所述第一电源线和所述第七有源层连接
。
[0015]在示例性实施方式中，所述多个晶体管至少包括第七晶体管，所述第七晶体管至少包括第七有源层，所述第七有源层设置在所述半导体层中；所述第三导电层还包括第一电源线，所述第一电源线通过单孔结构过孔与所述第七有源层连接
。
[0016]在示例性实施方式中，至少一个晶体管包括栅电极，所述栅电极设置所述第二导电层中
。
[0017]在示例性实施方式中，所述像素驱动电路还包括存储电容，所述存储电容至少包括设置在所述第一导电层中的第一极板
、
设置在所述第二导电层中的第二极板和设置在所述第三导电层中的第三极板，所述第二极板在所述基底平面上的正投影与所述第一极板在所述基底平面上的正投影至少部分交叠，所述第三极板在所述基底平面上的正投影与所述第二极板在所述基底平面上的正投影至少部分交叠，所述第一极板与所述第三极板连接
。
[0018]在示例性实施方式中，至少一个电路单元还包括至少一条沿着第一方向延伸的电源连接线和至少一条沿着第二方向延伸的第一电源线，所述第一电源线与所述电源连接线连接，形成传输第一电源信号的网状连通结构，所述第一方向和所述第二方向交叉
。
[0019]在示例性实施方式中，所述第一电源线设置在所述第一导电层中，所述电源连接线设置在所述第三导电层中，所述第二导电层包括作为所述第二转接电极的第八连接连接，所述第八连接连接通过过孔与所述第一电源线连接，所述电源连接线通过过孔与所述第八连接连接连接
。
[0020]在示例性实施方式中，所述第一电源线和所述电源连接线同层设置，且为相互连...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种显示基板，其特征在于，包括多个电路单元，至少一个电路单元包括像素驱动电路，所述像素驱动电路至少包括多个晶体管；在垂直于显示基板平面的方向上，所述显示基板至少包括设置在基底上且沿着远离所述基底方向依次设置的第一导电层
、
半导体层
、
第二导电层和第三导电层，所述第一导电层包括至少一个第一转接电极，所述半导体层包括多个晶体管的有源层，所述第二导电层包括至少一个第二转接电极，所述第三导电层包括至少一个第三转接电极；所述第二转接电极通过转接结构过孔同时与所述第一转接电极和一个晶体管的有源层连接，所述第三转接电极通过单孔结构过孔与另一个晶体管的有源层连接，所述转接结构过孔包括深半孔和浅半孔，所述深半孔暴露出所述第一转接电极，所述浅半孔暴露出所述有源层
。2.
根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个晶体管至少包括第一晶体管，所述第一晶体管至少包括第一有源层，所述第一有源层设置在所述半导体层中；所述第一导电层包括作为所述第一转接电极的第一连接电极，所述第二导电层还包括初始信号线，所述初始信号线通过转接结构过孔同时与所述第一连接电极和所述第一有源层连接
。3.
根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个晶体管至少包括第一晶体管，所述第一晶体管至少包括第一有源层，所述第一有源层设置在所述半导体层中；所述第三导电层还包括初始信号线，所述初始信号线通过单孔结构过孔与所述第一有源层连接
。4.
根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个晶体管至少包括第二晶体管，所述第二晶体管至少包括第二有源层，所述第二有源层设置在所述半导体层中；所述第一导电层包括作为所述第一转接电极的第二连接电极，所述第二导电层包括作为所述第二转接电极的第五连接电极，所述第五连接电极通过转接结构过孔同时与所述第二连接电极和所述第二有源层连接
。5.
根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个晶体管至少包括第四晶体管，所述第四晶体管至少包括第四有源层，所述第四有源层设置在所述半导体层中；所述第一导电层还包括数据信号线，所述第二导电层包括作为所述第二转接电极的第六连接电极，所述第六连接电极通过转接结构过孔同时与所述数据信号线和所述第四有源层连接
。6.
根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个晶体管至少包括第五晶体管，所述第五晶体管至少包括第五有源层，所述第五有源层设置在所述半导体层中；所述第一导电层还包括第一电源线，所述第二导电层包括作为所述第二转接电极的第七连接电极，所述第七连接电极通过转接结构过孔同时与所述第一电源线和所述第五有源层连接
。7.
根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个晶体管至少包括第五晶体管，所述第五晶体管至少包括第五有源层，所述第五有源层设置在所述半导体层中；所述第三导电层还包括第一电源线，所述第一电源线通过单孔结构过孔与所述第五有源层连接
。8.
根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个晶体管至少包括第六晶体管，所述第六晶体管至少包括第六有源层，所述第六有源层设置在所述半导体层中；所述第三导电层包括作为所述第三转接电极的阳极连接电极，所述阳极连接电极通过单孔结构过孔与所述第六有源层连接
。9.
根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李卓，刘冬妮，杨明，玄明花，冯煊，韩承佑，刘立伟，张慧，张定昌，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：