一种交直流变换电路制造技术

本申请提供一种交直流变换电路

【技术实现步骤摘要】
一种交直流变换电路


[0001]本专利技术涉及电力电子
，特别是涉及一种交直流变换电路
。

技术介绍

[0002]通常情况下，在交直流变换电路中，支撑电容支路与直流侧电容支路并联连接，形成的并联支路设置在压控型单相桥式交直流变换拓扑的直流侧两极之间
。
[0003]但是，在实际应用中，支撑电容支路和直流侧电容支路通常由多个电容串并联连接而成，即包括的电容数量较多，从而导致全部电容的成本较高
、
全部电容所占空间较大，进而导致交直流变换电路的整体成本偏高
。
[0004]因此，如何在保证交直流变换电路中的开关管不被损坏的同时，降低交直流变换电路的整体成本，是亟待解决的技术问题
。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提供了一种交直流变换电路，以在保证交直流变换电路中的开关管不被损坏的同时，降低交直流变换电路的整体成本
。
[0006]为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：
[0007]本身请提供一种交直流变换电路，包括：交直流变换拓扑
、
直流侧电容支路和至少一个尖峰电压吸收电路；其中：
[0008]所述交流侧变换拓扑的直流侧正极与所述直流侧电容支路的第一端相连，所述交流侧变换拓扑的直流侧负极与所述直流侧电容支路的第二端相连；
[0009]所述交直流变换拓扑中的每个开关管均并联有所述尖峰电压吸收电路
。
[0010]可选的，所述尖峰电压吸收电路，包括：吸收电阻和吸收电容；其中：
[0011]所述吸收电阻与所述吸收电容串联连接，形成的串联支路的两端分别作为所述尖峰电压吸收电路的两端
。
[0012]可选的，所述尖峰电压吸收电路，包括：吸收电阻
、
吸收电容和吸收二极管；其中：
[0013]所述吸收电容和所述吸收二极管串联连接，形成的串联支路，按照所述吸收二极管的导通方向与所述开关管的导通方向相反的方式，与相应所述开关管并联连接；
[0014]所述吸收电阻与所述吸收电容并联连接，或者，所述吸收电阻与所述吸收二极管并联连接
。
[0015]可选的，所述尖峰电压吸收电路，包括：稳压二极管；其中：
[0016]所述稳压二极管按照自身导通方向与所述开关管的导通方向相反的方式，与相应所述开关管并联连接
。
[0017]可选的，所述交流侧变换拓扑的直流侧正极与所述直流侧电容支路的第一端之间的接线长度小于预设长度；
[0018]所述交流侧变换拓扑的直流侧负极与所述直流侧电容支路的第二端之间的接线长度小于所述预设长度
。
[0019]可选的，所述交直流变换拓扑为单相变换拓扑或者三相变换拓扑
。
[0020]可选的，所述交直流变换拓扑为全桥变换拓扑或者半桥变换拓扑
。
[0021]可选的，所述开关管为电压型器件或者电流型器件
。
[0022]可选的，若所述开关管为电压型器件，则所述开关管为
MOS
管或
IGBT。
[0023]可选的，若所述开关管为电流型器件，则所述开关管为晶闸管
。
[0024]由上述技术方案可知，本专利技术提供了一种交直流变换电路，其具体包括：交直流变换拓扑
、
直流侧电容支路和至少一个尖峰电压吸收电路；其中，交流侧变换拓扑的直流侧正极与直流侧电容支路的第一端相连，交流侧变换拓扑的直流侧负极与直流侧电容支路的第二端相连；交直流变换拓扑中的每个开关管均并联有尖峰电压吸收电路
。
由于交直流变换拓扑中的每个开关管均并联有尖峰电压吸收电路，即尖峰电压吸收电路可以吸收在上述开关管的两端所产生的尖峰电压，所以可以避免上述开关管因尖峰电压而被损坏；另外，由于支撑电容支路的成本较高
、
尖峰电压吸收电路的成本较低，而在该交直流变换电路中设置有尖峰电压吸收电路
、
没有设置支撑电容支路，所以该交直流变换电路降低了自身的整体成本；综上所述，该交直流变换电路在保证自身开关管不被损坏的同时，降低了自身整体成本
。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图
。
[0026]图1‑
图
10
分别为本申请实施例提供的交直流变换电路的十种实施方式
。
具体实施方式
[0027]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围
。
[0028]在本申请中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序
。
而且术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程
、
方法
、
物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程
、
方法
、
物品或者设备所固有的要素
。
在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程
、
方法
、
物品或者设备中还存在另外的相同要素
。
[0029]本申请提供一种交直流变换电路，其具体结构可参见图1‑
图6，具体包括：交直流变换拓扑
10、
直流侧电容支路
20
和至少一个尖峰电压吸收电路
30
；各器件之间的连接关系具体如下所述：
[0030]交流侧变换拓扑的直流侧正极与直流侧电容支路
20
的第一端相连，交流侧变换拓
扑的直流侧负极与直流侧电容支路
20
的第二端相连
。
[0031]其中，直流侧电容支路
20
包括至少一个直流侧电容，当直流侧电容的个数大于1时，全部直流侧电容串并联连接，形成的支路的两端分别作为直流侧电容支路
20
的两端
。
[0032]交直流变换拓扑
10
中的每个开关管均并联有尖峰电压吸收电路
30。
[0033]可选的，交直流变换本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种交直流变换电路，其特征在于，包括：交直流变换拓扑
、
直流侧电容支路和至少一个尖峰电压吸收电路；其中：所述交流侧变换拓扑的直流侧正极与所述直流侧电容支路的第一端相连，所述交流侧变换拓扑的直流侧负极与所述直流侧电容支路的第二端相连；所述交直流变换拓扑中的每个开关管均并联有所述尖峰电压吸收电路
。2.
根据权利要求1所述的交直流变换电路，其特征在于，所述尖峰电压吸收电路，包括：吸收电阻和吸收电容；其中：所述吸收电阻与所述吸收电容串联连接，形成的串联支路的两端分别作为所述尖峰电压吸收电路的两端
。3.
根据权利要求1所述的交直流变换电路，其特征在于，所述尖峰电压吸收电路，包括：吸收电阻
、
吸收电容和吸收二极管；其中：所述吸收电容和所述吸收二极管串联连接，形成的串联支路，按照所述吸收二极管的导通方向与所述开关管的导通方向相反的方式，与相应所述开关管并联连接；所述吸收电阻与所述吸收电容并联连接，或者，所述吸收电阻与所述吸收二极管并联连接
。4.
根据权利要求1所述的交直流变换电路，其特征在于，所述尖峰电压吸收电路，包括：稳压二极管；其中：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕宾，宋君宇，
申请(专利权)人：北京德亚特应用科技有限公司，
类型：发明
国别省市：