一种直流-直流转换器的功率驱动电路及转换电路制造技术

本申请提供了一种直流

【技术实现步骤摘要】
一种直流
‑
直流转换器的功率驱动电路及转换电路


[0001]本申请涉及电路
，具体而言，涉及一种直流
‑
直流转换器的功率驱动电路及转换电路
。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术的高速发展，直流
‑
直流转换器的应用也随之越来越广泛，而对直流
‑
直流转换器的静电放电
(Electro
‑
Static Discharge
，简称
ESD)
的测试场景有了更多的要求
。
[0003]针对该问题，现有技术中一般通过包括多级反相器构成的驱动电路和功率开关在内的功率驱动电路来驱动直流
‑
直流转换器，以在静电放电测试场景中的静电电压冲击下对静电进行泄放
。
[0004]但是，该功率驱动电路在较高的静电电压冲击时，可能出现功率开关损坏的情况，使得静电泄放能力一般
。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种直流
‑
直流转换器的功率驱动电路及转换电路，能够通过静电防护电路在功率开关泄放电压时处于关断状态，使功率开关的栅极和驱动电路之间断开，以使得功率开关的栅极处于断路状态，提高了静电泄放能力
。
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种直流
‑
直流转换器的功率驱动电路，包括：驱动电路
、
静电防护电路和功率开关；
[0007]所述驱动电路的控制信号输入端连接外部控制电路的控制信号输出端，所述驱动电路的驱动信号输出端通过所述静电防护电路连接所述功率开关；
[0008]所述驱动电路，用于根据接收到的外部控制电路输出的控制信号驱动所述功率开关；
[0009]所述静电防护电路，用于在所述功率开关泄放电压时处于关断状态，使所述功率开关的栅极和所述驱动电路之间断开，以使得所述功率开关的栅极处于断路状态
。
[0010]在一种可能的实施方式中，所述驱动电路包括高边反相器和低边反相器；所述静电防护电路包括高边静电防护电路和低边静电防护电路；所述功率开关包括高边功率开关和低边功率开关；所述控制信号包括高边控制信号和低边控制信号；
[0011]所述高边反相器与所述高边静电防护电路连接，并通过所述高边静电防护电路与所述高边功率开关连接；
[0012]所述低边反相器与所述低边静电防护电路连接，并通过所述低边静电防护电路与所述低边功率开关连接；
[0013]所述高边反相器，用于根据接收到的外部控制电路输出的高边控制信号驱动所述高边功率开关；
[0014]所述高边静电防护电路，用于在所述高边功率开关泄放电压时处于关断状态，使
所述高边功率开关的栅极和所述驱动电路之间断开，以使得所述高边功率开关的栅极处于断路状态；
[0015]所述低边反相器，用于根据接收到的外部控制电路输出的低边控制信号驱动所述低边功率开关；
[0016]所述低边静电防护电路，用于在所述低边功率开关泄放电压时处于关断状态，使所述低边功率开关的栅极和所述驱动电路之间断开，以使得所述低边功率开关的栅极处于断路状态
。
[0017]在一种可能的实施方式中，所述高边反相器包括第一
PMOS
管和第一
NMOS
管；所述高边静电防护电路包括第二
PMOS
管，第二
NMOS
管；
[0018]所述第一
PMOS
管
、
第二
PMOS
管和第二
NMOS
管和所述第一
NMOS
管彼此连接，并分别与所述外部控制电路的控制信号输出端连接，所述第一
PMOS
管通过所述第二
PMOS
管与所述高边功率开关连接，所述第一
NMOS
管通过所述第二
NMOS
管与所述高边功率开关连接
。
[0019]在一种可能的实施方式中，所述低边反相器包括第三
PMOS
管和第三
NMOS
管；所述高边静电防护电路包括第四
PMOS
管，第四
NMOS
管；
[0020]所述第三
PMOS
管
、
第四
PMOS
管
、
所述第三
NMOS
管和第四
NMOS
管彼此连接，并分别与所述外部控制电路的控制信号输出端连接，所述第三
PMOS
管通过所述第四
PMOS
管与所述低边功率开关连接，所述第四
NMOS
管通过所述第三
NMOS
管与所述低边功率开关连接
。
[0021]在一种可能的实施方式中，还包括第三反相器和第四反相器；
[0022]所述第三反相器的输入端连接所述外部控制电路的控制信号输出端，其输出端分别连接所述第一
PMOS
管
、
第二
PMOS
管和第二
NMOS
管；
[0023]所述第四反相器的输入端连接所述外部控制电路的控制信号输出端，其输出端分别连接所述第三
PMOS
管
、
第四
PMOS
管和第三
NMOS
管
。
[0024]在一种可能的实施方式中，还包括第一电阻和第一电容；
[0025]所述第一电阻和第一电容连接，所述第一电容的一端连接所述第一
NMOS
管的栅极，另一端连接所述第一
NMOS
管的衬体和漏极；
[0026]所述第一电阻，用于在外部输出的第一电压下，将所述第一
NMOS
管的栅极电压充电等于第一电压；
[0027]所述第一电容，用于维持所述第一
NMOS
管的栅极电压不会突变
。
[0028]在一种可能的实施方式中，还包括第二电阻和第二电容；
[0029]所述第二电阻和所述第二电容连接，所述第二电容的一端连接所述第四
NMOS
管的栅极，另一端连接所述第四
NMOS
管的衬体和漏极；
[0030]所述第二电阻，用于在外部输出的第二电压下，将所述第四
NMOS
管的栅极电压充电等于第二电压；
[0031]所述第二电容，用于维持所述第四
NMOS
管的栅极电压不会突变
。
[0032]第二方面，本申请实施例提供了一种直流
‑
直流转换器的转换电路，包括稳压电路
、
自举电路
、
功率驱动电路和控制电路；所述功率驱动电路采用如第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种直流
‑
直流转换器的功率驱动电路，其特征在于，包括：驱动电路
、
静电防护电路和功率开关；所述驱动电路的控制信号输入端连接外部控制电路的控制信号输出端，所述驱动电路的驱动信号输出端通过所述静电防护电路连接所述功率开关；所述驱动电路，用于根据接收到的外部控制电路输出的控制信号驱动所述功率开关；所述静电防护电路，用于在所述功率开关泄放电压时处于关断状态，使所述功率开关的栅极和所述驱动电路之间断开，以使得所述功率开关的栅极处于断路状态
。2.
根据权利要求1所述的功率驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括高边反相器和低边反相器；所述静电防护电路包括高边静电防护电路和低边静电防护电路；所述功率开关包括高边功率开关和低边功率开关；所述控制信号包括高边控制信号和低边控制信号；所述高边反相器与所述高边静电防护电路连接，并通过所述高边静电防护电路与所述高边功率开关连接；所述低边反相器与所述低边静电防护电路连接，并通过所述低边静电防护电路与所述低边功率开关连接；所述高边反相器，用于根据接收到的外部控制电路输出的高边控制信号驱动所述高边功率开关；所述高边静电防护电路，用于在所述高边功率开关泄放电压时处于关断状态，使所述高边功率开关的栅极和所述驱动电路之间断开，以使得所述高边功率开关的栅极处于断路状态；所述低边反相器，用于根据接收到的外部控制电路输出的低边控制信号驱动所述低边功率开关；所述低边静电防护电路，用于在所述低边功率开关泄放电压时处于关断状态，使所述低边功率开关的栅极和所述驱动电路之间断开，以使得所述低边功率开关的栅极处于断路状态
。3.
根据权利要求2所述的功率驱动电路，其特征在于，所述高边反相器包括第一
PMOS
管和第一
NMOS
管；所述高边静电防护电路包括第二
PMOS
管，第二
NMOS
管；所述第一
PMOS
管
、
第二
PMOS
管和第二
NMOS
管和所述第一
NMOS
管彼此连接，并分别与所述外部控制电路的控制信号输出端连接，所述第一
PMOS
管通过所述第二
PMOS
管与所述高边功率开关连接，所述第一
NMOS
管通过所述第二
NMOS
管与所述高边功率开关连接
。4.
根据权利要求2所述的功率驱动电路，其特征在于，所述低边反相器包括第三
PMOS
管和第三
NMOS
管；所述高边静电防护电路包括第四
PMOS
管，第四
NMOS
管；所述第三
PMOS
管
、
第四
PMOS
管
、
所述第三
NMOS
管和第四
NMOS
管彼此连接，并分别与所述外部控制电路的控制信号输出端连接，所述第三
PMOS
管通过所述第四
PMOS
管与所述低边功率开关连接，所述第四
NMOS
管通过所述第三
NMOS
管与所述低边功率开关连接
。5.
根据权利要求3或4所述的功率驱动电路，其特征在于，还包括第三反...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：拓尔微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：