发光二极管制造技术

本申请实施例提供了一种发光二极管

【技术实现步骤摘要】
发光二极管


[0001]本申请涉及发光二极管
，具体涉及一种发光二极管
。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，发光二极管的应用越来越广泛
。
可以将发光二极管 应用在各种可能需要显示的器件上
。
但发光二极管在使用的过程中，发光 二极管会产生热量，这热量会影响发光二极管的使用寿命以及效率
。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了一种发光二极管，以解决相关技术中发光二极管 会产生热量，这热量会影响发光二极管的使用寿命以及效率的问题
。
[0004]为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
[0005]本申请实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：阴极 层
、
阳极层
、
热电层以及功能层；
[0006]所述阴极层与所述阳极层堆叠设置，所述热电层以及所述功能层均位 于所述阴极层以及所述功能层之间，且所述阴极层与所述功能层堆叠设 置，所述热电层用于将所述阴极层
、
所述阳极层或所述功能层产生的热量 转换为电能，以使所述热电层产生电场
。
[0007]可选地，所述功能层包括空穴注入层
、
空穴传输层
、
量子点发光层以 及电子传输层；
[0008]所述空穴注入层
、
所述空穴传输层
、
所述量子点发光层以及所述电子 传输层沿所述阳极层至所述阴极层的方向依次堆叠设置，且所述空穴注入 层靠近所述阳极层，所述电子传输层靠近所述阴极层；
[0009]所述阳极层与所述空穴注入层形成第一组合
、
所述空穴注入层与所述 空穴传输层形成第二组合
、
所述空穴传输层与所述量子点发光层形成第三 组合
、
所述量子点发光层与所述电子传输层第四组合
、
所述电子传输层与 所述阴极层形成第五组合，所述第一组合
、
所述第二组合
、
所述第三组 合
、
所述第四组合以及所述第五组合中的至少一个组合中设置有所述热电 层
。
[0010]可选地，所述第一组合
、
所述第二组合
、
所述第三组合
、
所述第四组 合以及所述第五组合中的多个组合中均设置有所述热电层
。
[0011]可选地，所述第一组合
、
所述第二组合
、
所述第三组合
、
所述第四组 合以及所述第五组合中任意两个组合中设置有所述热电层
。
[0012]可选地，所述空穴传输层与所述量子点发光层之间设置有所述热电 层，所述量子点发光层与所述电子传输层之间设置有所述热电层
。
[0013]可选地，所述第一组合
、
所述第二组合
、
所述第三组合
、
所述第四组 合以及所述第五组合中的至少一个组合中设置有多层所述热电层
。
[0014]可选地，所述热电层中的热电材料的类型相同
。
[0015]可选地，所述热电层由
P
型热电材料或
N
型热电材料构成
。
[0016]可选地，所述
P
型热电材料为以空穴为载流子的半导体材料，所述
P
型 热电材料包括
Te
和
Na
掺杂的
SnSe、Bi
0.5
Sb
1.5
Te3；所述
N
型热电材料为以 电子为载流子的半导体材料，所述
N
型材料热电材料包括：
Mg2Si
基及其掺 杂的热电材料
、Fe
0.98
Co
0.02
Si2及其掺杂的热电材料
、Ba
0.9
‑
x
Co
x
La
0.1
TiO3热电 材料
、Bi
‑
Te
‑
Se
基热电材料
。
[0017]可选地，所述热电层包括锌锑合金
、
碲铅合金
、
碲锗合金
、
硅锗合金 中至少一种
。
[0018]可选地，所述热电层中的热电材料的塞贝克系数范围为
30
‑
20030
‑
200 μ
V
·
K
‑1。
[0019]可选地，所述热电层的厚度范围为1纳米至
500
纳米
。
[0020]可选地，所述热电层由热电材料通过旋涂工艺
、
蒸镀工艺
、
磁控溅射 工艺
、
打印工艺
、
转印工艺
、
机械剥离工艺
、
化学插层剥离工艺
、
分子束 外延工艺中至少一种制成
。
[0021]可选地，所述热电层为薄膜结构
、
岛状结构
、
微纳结构中任一种
。
[0022]在本申请实施例中，由于热电层以及功能层均位于阴极层以及功能层 之间，且阴极层与功能层堆叠设置，因此，相当于在发光二极管中的阴极 层与阳极层之间设置热电层，从而在发光二极管工作而发热时，热量便可 以传递至热电层，热电层便可以将热量转换为电能，使得热能可以快速的 被散去，并且，热电层中产生电场，还可以平衡发光二极管中的载流子
。
也 即是，在本申请实施例中，通过在阴极层与阳极层之间设置热电层，从而 在发光二极管发热时，热量便可以被热电层转换为电能，使得发光二极管 能够快速散热，避免热量对发光二极管产生影响，从而可以提高发光二极 管的使用寿命以及使用效率，并且热电层中产生电场，还可以平衡发光二极 管中的载流子
。
附图说明
[0023]图1表示本申请实施例提供的一种发光二极管的示意图之一；
[0024]图2表示本申请实施例提供的一种发光二极管的示意图之二；
[0025]图3表示本申请实施例提供的一种发光二极管的示意图之三；
[0026]图4表示本申请实施例提供的一种发光二极管的示意图之四；
[0027]图5表示本申请实施例提供的一种发光二极管的示意图之五
。
[0028]附图标记：
[0029]10
：阴极层；
20
：阳极层；
30
：热电层；
40
：功能层；
41
：空穴注入层； 42
：空穴传输层；
43
：量子点发光层；
44
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：阴极层
、
阳极层
、
热电层以及功能层；所述阴极层与所述阳极层堆叠设置，所述热电层以及所述功能层均位于所述阴极层以及所述功能层之间，且所述阴极层与所述功能层堆叠设置，所述热电层用于将所述阴极层
、
所述阳极层或所述功能层产生的热量转换为电能，以使所述热电层产生电场
。2.
根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述功能层包括空穴注入层
、
空穴传输层
、
量子点发光层以及电子传输层；所述空穴注入层
、
所述空穴传输层
、
所述量子点发光层以及所述电子传输层沿所述阳极层至所述阴极层的方向依次堆叠设置，且所述空穴注入层靠近所述阳极层，所述电子传输层靠近所述阴极层；所述阳极层与所述空穴注入层形成第一组合
、
所述空穴注入层与所述空穴传输层形成第二组合
、
所述空穴传输层与所述量子点发光层形成第三组合
、
所述量子点发光层与所述电子传输层第四组合
、
所述电子传输层与所述阴极层形成第五组合，所述第一组合
、
所述第二组合
、
所述第三组合
、
所述第四组合以及所述第五组合中的至少一个组合中设置有所述热电层
。3.
根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一组合
、
所述第二组合
、
所述第三组合
、
所述第四组合以及所述第五组合中的多个组合中均设置有所述热电层
。4.
根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一组合
、
所述第二组合
、
所述第三组合
、
所述第四组合以及所述第五组合中任意两个组合中设置有所述热电层
。5.
根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层与所述量子点发光层之间设置有所述热电层，所述量子点发光层与所述电子传输层之间设置有所述热电层
。6.
根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一组合
、
所述第二组合
、
所述第三组合
、
所述第四组合以及所述第五组合中的至少一个组合中设置有多层所述热电层
。7.
根据权利要求3‑6中任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述热电层中的热电材料的类型相...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯靖雯，郭晖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：