显示装置、半导体、光电转换和电子装置及图像形成设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示装置、半导体、光电转换和电子装置及图像形成设备。半导体器件包括：衬底，其具有有效元件区域和周边区域，其中，在所述有效元件区域上布置有功能元件，所述周边区域围绕所述有效元件区域，所述衬底在所述周边区域的至少一部分中具有端子部；第一配线板，其经由所述衬底的所述端子部连接到所述衬底；以及驱动电路芯片，其具有驱动电路，并且连接到所述第一配线板，其中，所述第一配线板的热导率等于或高于所述衬底的热导率和所述驱动电路芯片的热导率。电路芯片的热导率。电路芯片的热导率。

【技术实现步骤摘要】
显示装置、半导体、光电转换和电子装置及图像形成设备


[0001]本专利技术涉及半导体器件、显示装置、光电转换装置、电子装置和图像形成设备。

技术介绍

[0002]在例如具有驱动电路芯片、显示装置(半导体器件)和透光板的显示装置中，为了提高清晰度和处理速度，外部输出端子的数量持续增加。在传统的引线键合连接中，难以减小连接间距，并且出现如下的问题：随着外部输出端子的数量增加，驱动电路芯片和显示装置变得更大。
[0003]因此，用于驱动电路芯片在显示装置上的倒装芯片安装的技术受到关注。在倒装芯片安装时，在半导体工艺中将大小减小后的接合焊盘经由诸如凸块等的连接部彼此连接；结果，与引线键合连接中相比，输出端子的间距可以被形成为更窄。
[0004]日本特开2008
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165034公开了驱动电路芯片和显示装置经由导电材料所形成的连接部被倒装芯片安装的显示装置。
[0005]日本特开2017
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103153公开了设置有用于对驱动电路芯片和包括有机EL元件的功能单元所生成的热进行散热的散热构件的有机EL模块。
[0006]然而，在日本特开2008
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165034中公开的显示装置中，对驱动电路芯片进行倒装芯片安装，因而驱动电路芯片和显示装置之间的距离短。结果，驱动电路芯片中所生成的热容易流到显示装置。诸如有机半导体器件等的由于热而导致特性容易劣化的装置具有如下的问题：图像质量(摄像质量或显示质量)由于驱动电路芯片中所生成的热而劣化。
[0007]日本特开2017
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103153中所公开的有机EL模块的驱动电路芯片安装在衬底的与功能单元的主面相同的主面上，因此难以减少从驱动电路芯片到衬底的热传送。

技术实现思路

[0008]本专利技术提供了用于减少从驱动电路芯片到半导体器件的元件衬底的热传送并且用于减少对半导体器件的特性的损害的技术。
[0009]根据本专利技术的半导体器件包括：衬底，其具有有效元件区域和周边区域，其中，在所述有效元件区域上布置有功能元件，所述周边区域围绕所述有效元件区域，所述衬底在所述周边区域的至少一部分中具有端子部；第一配线板，其经由所述衬底的所述端子部连接到所述衬底；以及驱动电路芯片，其具有驱动电路，并且连接到所述第一配线板，其中，所述第一配线板的热导率等于或高于所述衬底的热导率和所述驱动电路芯片的热导率。
[0010]根据参考附图对以下示例性实施例的描述，本专利技术的进一步的特征将变得明显。
附图说明
[0011]图1A和图1B是示出根据实施例1的半导体器件的示意图；
[0012]图2A至图2F是根据实施例1的用于说明制造半导体器件的方法的图；
[0013]图3A和图3B是示出根据实施例2的半导体器件的示意图；
[0014]图4是示出根据实施例3的半导体器件的示意图；
[0015]图5是示出根据实施例4的半导体器件的示意图；
[0016]图6是示出根据实施例5的半导体器件的示意图；
[0017]图7是示出根据实施例6的半导体器件的示意图；
[0018]图8是示出根据实施例7的半导体器件的示意图；
[0019]图9是示出根据实施例8的半导体器件的示意图；
[0020]图10是示出根据实施例9的显示装置的示意图；
[0021]图11A和图11B是示出根据实施例9的摄像装置和电子装置的示意图；
[0022]图12A和图12B是示出根据实施例9的显示装置的示意图；
[0023]图13A和图13B是示出根据实施例9的照明装置和移动体的示意图；
[0024]图14A和图14B是示出根据实施例9的可穿戴装置的示意图；以及
[0025]图15A至图15C是示出根据实施例9的图像形成设备的示意图。
具体实施方式
[0026]下面将参考附图说明用于执行本专利技术的实施例。在以下的说明和附图中，在所有附图中共用的配置由共用的附图符号表示。因此，将在可互换地参考多个附图的情况下说明共用配置；此外，可以适当地省略与共用的附图符号所表示的配置有关的说明。在本说明书中，有机半导体器件是利用表现出作为半导体的属性的有机物质的装置；这样的代表性的装置可以例如是诸如有机EL显示器等的显示装置。
[0027]图1A示出元件衬底100的主面处于平面图中的情况下的半导体器件800的透视图。具体地，图1A示出从与元件衬底100的主面垂直的方向(主面的法线方向；堆叠方向)观看半导体器件800的排列。在元件衬底100的主面侧并排布置对向衬底(counter substrate)200、配线板400(第一配线板)和配线板500(第二配线板)；在本文中，在元件衬底100侧所隐藏的重叠部分由虚线或点划线表示。
[0028]在元件衬底100的主面的平面图中，布置对向衬底200以与元件衬底100中所包括的功能元件50重叠。对向衬底200面向元件衬底100和功能元件50的方向(相对方向)是与元件衬底100的主面垂直的方向。
[0029]元件衬底100具有有效元件区域AA和围绕该有效元件区域AA的周边区域PA。在有效元件区域AA中布置有效元件(功能元件)。在本文中，有效元件区域AA可以是四边形区域。有效元件区域AA的对角线长度例如是从5至50mm。
[0030]周边区域PA可以包括具有所布置的外围电路的外围电路区域(未示出)。在半导体器件800是显示装置的情况下，外围电路例如包括用于驱动有效像素的驱动电路、以及用于对要输入到有效像素的信号进行处理的诸如DAC(数模转换电路)等的处理电路。周边区域PA可以包括位于有效元件区域AA外部并设置非有效元件的非有效元件区域(未示出)。在本文中，非有效元件是不用作有效元件的元件，并且可以例如是虚设元件、基准元件、测试元件或监测元件。
[0031]设置在元件衬底100的周边区域PA中的树脂层150将对向衬底200和元件衬底100进行粘接。配线板400在周边区域PA中与元件衬底100电接合。在元件衬底100的主面的平面图中将驱动电路芯片300与配线板400重叠布置。配线板500与配线板400电接合。在元件衬
底100的主面的平面图中将配线板500与配线板400的一部分重叠布置。
[0032]图1B是图1A所示的半导体器件800的X
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X
’
截面图。半导体器件800包括元件衬底100、树脂层150、对向衬底200、配线板400、驱动电路芯片300和配线板500。在图1B的示例中，元件衬底100、驱动电路芯片300和配线板500通过配线板400连接，并且被布置为使得元件衬底100、驱动电路芯片300和配线板500的与配线板400连接的面位于共同平面中。
[0033]元件衬底100具有衬底10、半导体元件20、配线层30、端子部31、层间绝缘层40和功能元件50。半导体元件20、配线层30和功能元件50设置在元件衬底1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：衬底，其具有有效元件区域和周边区域，其中，在所述有效元件区域上布置有功能元件，所述周边区域围绕所述有效元件区域，所述衬底在所述周边区域的至少一部分中具有端子部；第一配线板，其经由所述衬底的所述端子部连接到所述衬底；以及驱动电路芯片，其具有驱动电路，并且连接到所述第一配线板，其中，所述第一配线板的热导率等于或高于所述衬底的热导率和所述驱动电路芯片的热导率。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二配线板，其连接到所述第一配线板，其中，所述衬底、所述驱动电路芯片和所述第二配线板被布置为使得所述衬底、所述驱动电路芯片和所述第二配线板的接合到所述第一配线板的面是共同平面并且通过所述第一配线板而彼此连接。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，通过使用各向异性导电膜的热压接合、通过焊料接合、或通过超声波接合，来将所述第一配线板接合到所述衬底和所述驱动电路芯片。4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一配线板由包括金、银、铜或铝的金属材料、包括氮化铝或氮化硅的陶瓷材料、或者硅形成。5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，在所述第一配线板的未形成有电极的面上设置有散热构件。6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，在所述驱动电路芯片的未形成有电极的面上设置有散热构件。7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，在所述衬底的未形成有端子部的面上设置有散热构件。8.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括如下的增强构件中的至少一个：在所述衬底和所述驱动电路芯片之间布置的增强构件；以及以对所述衬底、所述第一配线板和所述驱动电路芯片之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：野津和也，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：