一种制造技术

本申请公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种N
‑
TOPCon电池的制作方法


[0001]本申请涉及太阳能电池
，尤其涉及一种
N
‑
TOPCon
电池的制作方法
。

技术介绍

[0002]伴随常规能源的日趋消耗殆尽，在目前的可持续能源中，太阳能无疑是一种最普遍
、
最清洁和最有潜力的替代能源，太阳能的开发利用显得格外重要，太阳能发电装置又称为光伏电池或太阳能电池，其发电原理是基于半导体
PN
结的光生伏特效应，可以将太阳能直接转换成电池
。
[0003]隧穿氧化钝化接触
(Tunnel Oxide Passivated Contact
，
TOPCon)
太阳能电池是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化硅层钝化接触的高效太阳能电池技术，是晶硅太阳能电池生产工艺中有望实现高效率的方法之一
。
近年来，随着
TOPCon
电池产能不断的扩张，其由于
TOPCon
电池的双面电池结构相对
perc
电池具有较高的转化效率及双面率，可有效降低电站的装机成本，
TOPCon
电池组件越来越受到市场终端的青睐
。
[0004]TOPCon
电池在电池背面制备超薄氧化硅层，然后沉积薄掺杂硅层，氧化硅层和掺杂硅层共同形成钝化接触结构，有效降低了表面复合和金属接触复合，提高了太阳能电池的开路电压，从而提高了太阳能电池的转换效率<br/>。
因此，均匀的隧穿超薄氧化硅层，对隧穿及钝化有着比较好的保障，效率提升比较稳定
。
但是目前
TOPCon
电池效率方面的稳定性仍存在一些问题，尤其电池背面因引入隧穿超薄氧化硅层，氧化硅层厚度及均匀性稳定性较差，所以开发高效且稳定的背隧穿氧化硅层钝化电池显得尤为迫切
。
[0005]现阶段，
TOPCon
电池采用高温生长的形式通过低压力化学气相沉积
(LPCVD)
方法引入氧化硅层和多晶硅层后，会对多晶硅层用磷进行重掺形成一个良好的背接触层
。
但由于氧化硅层厚度需求只有
1.4
‑
1.8nm
，超过范围隧穿效应影响较大，且受低压力化学气相沉积工艺中涉及的石英舟载具
、
氧流量
、
压力
、
温度等影响，采用低压力化学气相沉积工艺会造成隧穿氧化硅层厚度大小
、
均匀性及稳定性波动较大
。
故在继续沉积完多晶硅层后进行
P
扩重掺，因为氧化硅层厚度
、
均匀性及稳定性较差，进行后续
P
扩掺杂容易造成
P
穿透氧化硅层进入本征硅，会同时增加本征硅复合和降低后续形成的
N
+
多晶硅层的接触能力，造成开压和填充下降，使电池转换效率偏低
。

技术实现思路

[0006]本专利技术公开了一种
N
‑
TOPCon
电池的制作方法，以解决采用
LPCVD
工艺会造成隧穿氧化硅层厚度
、
均匀性及稳定性较差的问题
。
[0007]为了实现上述目的，本说明书实施例采用下述技术方案：
[0008]提供一种
N
‑
TOPCon
电池的制作方法，包括以下步骤：
[0009](A)
对制绒后的
N
型硅基底的正面进行硼扩杂，
N
型硅基底的正面形成
P+
层和硼硅玻璃层；
[0010](B)
对
N
型硅基底的背面抛光；
[0011](C)
在氧气氛围下，对
N
型硅基底背面的发射电极区域采用激光处理，在
N
型硅基底背面的发射电极区域表面形成氧化硅层，再在氧化硅层和
N
型硅基底背面的非发射电极区域上生长多晶硅层；
[0012](D)
对
N
型硅基底背面上的多晶硅层进行磷扩散，形成
N+
多晶硅层和磷硅玻璃层；
[0013](E)
采用激光去除
N
型硅基底背面非发射电极区域的磷硅玻璃层；
[0014](F)
去除
N
型硅基底背面非发射电极区域的
N+
多晶硅层，去除
N
型硅基底正面的硼硅玻璃层，去除
N
型硅基底背面发射电极区域的磷硅玻璃层；
[0015](G)
在
N
型硅基底正面的
P+
层
、N
型硅基底背面的
N+
多晶硅层
、N
型硅基底背面的非发射电极区域上形成三氧化二铝层；
[0016](H)
在
N
型硅基底的正面和背面上形成掺杂硅层；
[0017](I)
制备电极，得到
N
‑
TOPCon
电池
。
[0018]可选地，步骤
(A)
中对制绒后的
N
型硅基底的正面进行硼扩杂是通过通入
BCl3或
BBr3气体进行硼扩杂
。
[0019]可选地，步骤
(B)
中采用碱洗的方法对
N
型硅基底的背面抛光
。
[0020]可选地，步骤
(C)
中所述氧气氛围下的氧气流量为
1000
‑
3000sccm。
[0021]可选地，步骤
(C)
中所述氧化硅层的厚度为
1.5
‑
1.75nm。
[0022]可选地，步骤
(C)
中所述多晶硅层的厚度为
80
‑
130nm。
[0023]可选地，步骤
(D)
中所述
N+
多晶硅层的方阻为
40
‑
50
Ω
。
[0024]可选地，步骤
(F)
中采用碱洗方法去除
N
型硅基底背面非发射电极区域的
N+
多晶硅层，采用酸洗方法去除
N
型硅基底正面的硼硅玻璃层，去除
N
型硅基底背面的磷硅玻璃层
。
[0025]可选地，步骤
(G)
中所述三氧化二铝层的厚度为
3.5
‑
4.5nm。
[0026]可选地，步骤
(H)
中
N
型硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
N
‑
TOPCon
电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
(A)
对制绒后的
N
型硅基底的正面进行硼扩杂，
N
型硅基底的正面形成
P+
层和硼硅玻璃层；
(B)
对
N
型硅基底的背面抛光；
(C)
在氧气氛围下，对
N
型硅基底背面的发射电极区域采用激光处理，在
N
型硅基底背面的发射电极区域表面形成氧化硅层，再在氧化硅层和
N
型硅基底背面的非发射电极区域上生长多晶硅层；
(D)
对
N
型硅基底背面上的多晶硅层进行磷扩散，形成
N+
多晶硅层和磷硅玻璃层；
(E)
采用激光去除
N
型硅基底背面非发射电极区域的磷硅玻璃层；
(F)
去除
N
型硅基底背面非发射电极区域的
N+
多晶硅层，去除
N
型硅基底正面的硼硅玻璃层，去除
N
型硅基底背面发射电极区域的磷硅玻璃层；
(G)
在
N
型硅基底正面的
P+
层
、N
型硅基底背面的
N+
多晶硅层
、N
型硅基底背面的非发射电极区域上形成三氧化二铝层；
(H)
在
N
型硅基底的正面和背面上形成掺杂硅层；
(I)
制备电极，得到所述
N
‑
TOPCon
电池
。2.
根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤
(A)
中对制绒后的
N
型硅基底的正面进行硼扩杂是通过通入
...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明明，潘利民，毛卫平，钱忠刚，刘建华，方涛，王金凤，
申请(专利权)人：淮安捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：