【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接合体、基板、接合体的制造方法以及基板的制造方法
[0001]本专利技术涉及接合体
、
基板
、
接合体的制造方法以及基板的制造方法
。
技术介绍
[0002]在电气设备
、
电子设备
、
通信设备等各种领域中使用了树脂与金属的接合体
。
[0003]专利文献1～4中记载了通过激光的照射将树脂与金属接合的接合体
。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开
2008
‑
207540
号公报
[0007]专利文献2：国际公开第
2020/067022
号
[0008]专利文献3：日本特开
2019
‑
123153
号公报
[0009]专利文献4：日本特开
2011
‑
235570
号公报
技术实现思路
[0010]专利技术所要解决的课题
[0011]本专利技术的目的在于提供一种形状稳定性优异的新型接合体
、
基板
、
接合体的制造方法以及基板的制造方法
。
[0012]用于解决课题的手段
[0013]本专利技术涉及一种接合体
(
以下，也称为“本专利技术的第一接合体”)
，其在
30℃
～
200...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种接合体，其在
30℃
～
200℃
的线膨胀系数为
17ppm/℃
以上且厚度为5μ
m
～
100
μ
m
的树脂
(1)
的一个面接合有厚度为5μ
m
～
50
μ
m
的金属，该接合体的曲率为
‑
40/m
～
40/m。2.
如权利要求1所述的接合体，其中，所述树脂
(1)
包含氟树脂
。3.
如权利要求2所述的接合体，其中，所述树脂
(1)
实质上仅由所述氟树脂构成
。4.
如权利要求2或3所述的接合体，其中，所述氟树脂的熔点为
320℃
以下
。5.
如权利要求1～4中任一项所述的接合体，其中，所述金属为铜
。6.
如权利要求5所述的接合体，其中，所述铜为压延铜或电解铜
。7.
如权利要求1～6中任一项所述的接合体，其中，所述金属的厚度
/
所述树脂
(1)
的厚度为
0.1
～
1。8.
如权利要求1～7中任一项所述的接合体，其特征在于，使用在所述金属中的吸收率为5％以上
、
在所述树脂
(1)
中的吸收率为
30
％以下
、
且在所述金属中的吸收率＞在所述树脂
(1)
中的吸收率的光进行接合
。9.
如权利要求1～8中任一项所述的接合体，其中，所述树脂
(1)
与所述金属的接合面通过
90
度剥离试验测定的剥离强度为
3N/cm
以上，或者在
90
度剥离试验时母材断裂
。10.
如权利要求1～9中任一项所述的接合体，其中，所述金属的与所述树脂
(1)
接合的一侧的表面粗糙度
Rz
为2μ
m
以下
。11.
如权利要求1～
10
中任一项所述的接合体，其中，所述树脂
(1)
在与所述金属接合的一侧实施了粘接性表面处理
。12.
如权利要求1～
11
中任一项所述的接合体，其为基板用介电材料
。13.
一种基板，其在权利要求1～
12
中任一项所述的接合体进一步层积有树脂
(2)。14.
如权利要求
13
所述的基板，其中，所述树脂
(2)
为热固性树脂
。15.
如权利要求
14
所述的基板，其中，所述热固性树脂为选自由聚酰亚胺
、
改性聚酰亚胺
、
环氧树脂
、
热固性改性聚苯醚组成的组中的至少1种
。16.
如权利要求
13
所述的基板，其中，所述树脂
(2)
为选自由液晶聚合物
、
聚苯醚
、
热塑性改性聚苯醚
、
环烯烃聚合物
、
环烯烃共聚物
、
聚苯乙烯
、
间规聚苯乙烯组成的组中的至少1种
。17.
如权利要求
13
～
16
中任一项所述的基板，其为印刷基板
、
层积电路基板或高频基板
。18.
一种接合体的制造方法，其包括下述工序：将厚度5μ
m
～
100
μ
m、30℃
～
200℃
的线膨胀系数为
17ppm/℃
以上的树脂
(1)
与厚度5μ
m
～
50
μ
m
的金属层积，隔着所述金属对所述树脂
(1)
进行加热，通过该加热处理使所述树脂
(1)
...
【专利技术属性】
技术研发人员：长藤圭介，青野航大，蛯原悠介，中尾政之，上田有希，奥野晋吾，小森洋和，山内昭佳，岸川洋介，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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