本实用新型专利技术提供了一种信号转接结构、显示器及显示装置，该信号转接结构包括：至少两个第一转接孔分布于第一导电层上，每个第一转接孔暴露部分第一导电层；至少两个第二转接孔分布于第二导电层上，每个第二转接孔暴露部分第二导电层；第二导电层与第一导电层位于不同层，第一导电层与第一导电层之间具有至少两个间隙，至少两个间隙中至少部分间隙的延伸方向交叉设置；跨接层覆盖第一转接孔、暴露的第一导电层、第二转接孔、暴露的第二导电层以及至少两个间隙的表面，分别位于每个间隙两侧的第一导电层和第二导电层通过跨接层形成电连接。本实用新型专利技术解决了信息转接结构中跨接层在大电流、静电释放等情形下发生击穿而损坏，导致信号无法传输的问题。信号无法传输的问题。信号无法传输的问题。
【技术实现步骤摘要】
一种信号转接结构、显示器及显示装置
[0001]本技术涉及电路信号连接
，尤其涉及一种信号转接结构、显示器及显示装置。
技术介绍
[0002]在液晶显示器、有机发光显示器、电子纸中，信号转接线路为必要的走线方式。信号转接的走线分为两个部分，一部分位于为显示器的像素区，主要是为了实现像素区的充电，另一部分位于外围走线区，为保证信号的独立，常用转接孔来保证信号的正常传输。其中，一般信号线路较长，或者为主信号电流大的信号线路在制作和检查的过程中，如bonding、切割研磨、Array检测、Cell检测时常会引发静电问题，严重情形下会导致转接孔上的导电层烧毁，导致信号传输异常，画面显示异常。
技术实现思路
[0003]以下是对本技术详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本技术提供了一种信号转接结构、显示器及显示装置。
[0005]本技术的第一方面提供了一种信号转接结构，所述信号转接结构包括：
[0006]至少两个第一转接孔，所述至少两个第一转接孔分布于第一导电层上，每个所述第一转接孔暴露部分所述第一导电层；
[0007]至少两个第二转接孔，所述至少两个第二转接孔分布于第二导电层上，每个所述第二转接孔暴露部分所述第二导电层；所述第二导电层与所述第一导电层位于不同层，所述第一导电层与所述第二导电层之间具有至少两个间隙，所述至少两个间隙中至少部分间隙的延伸方向交叉设置；
[0008]跨接层，所述跨接层覆盖所述第一转接孔、暴露的所述第一导电层、所述第二转接孔、暴露的所述第二导电层以及所述至少两个间隙的表面，分别位于每个所述间隙两侧的所述第一导电层和所述第二导电层通过所述跨接层形成电连接。
[0009]在一些示例性实施例中，所述第一导电层的形状与所述第二导电层的形状形成互为半围式结构。
[0010]在一些示例性实施例中，所述第一导电层的形状和/或所述第二导电层的形状包括半围式形状。
[0011]在一些示例性实施例中，所述半围式形状呈以下形状中的一种：L型、T型、凹型、凸型、U型。
[0012]在一些示例性实施例中，所述第一导电层与所述第二导电层之间所具有的所有间隙形成折线形。
[0013]在一些示例性实施例中，所述信号转接结构还包括：
[0014]基板，所述第一导电层覆盖所述基板的部分表面；
[0015]第一绝缘层，覆盖所述第一导电层和所述基板的部分表面，所述第二导电层覆盖所述第一绝缘层的部分表面；
[0016]第二绝缘层，覆盖所述第二导电层和所述第一绝缘层的部分表面；
[0017]其中，所述第一转接孔贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层，暴露所述第一导电层的部分表面；所述第二转接孔贯穿所述第二绝缘层，暴露所述第二导电层的部分表面。
[0018]在一些示例性实施例中，所述第一导电层和/或所述第二导电层包括金属层。
[0019]在一些示例性实施例中，所述跨接层的材质包括铟锡氧化物。
[0020]本技术的第二方面提供了一种显示器，所述显示器采用如第一方面所述的信号转接结构进行信号转接。
[0021]本技术的第三方面提供了一种显示装置，包括：
[0022]电子器件；以及
[0023]与所述电子器件信号连接的如第二方面所述的显示器。
[0024]本技术实施例所提供的一种信号转接结构、显示器及显示装置中，通过改变第一转接孔和第二转接孔的布局方式，来改变第一导电层和第二导电层之间的间隙数量及间隙之间的位置关系，增加了第一导电层和第二导电层形成电连接的连接路径，起到了并联分流的作用，减小了分支电流，从而解决了跨接层在大电流、静电释放(Electro
‑
Static discharge，ESD)等情形下发生击穿而损坏，导致信号无法传输的问题。而且，本技术是在不增加转接孔数量，以及不额外增加布线空间的基础上，提高了信号转接的可靠性。
附图说明
[0025]并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本技术的实施例，并且与描述一起用于解释本技术实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本技术的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1是对比实施例示出的信号转接结构中的转接孔的分布示意图。
[0027]图2是另一对比实施例示出的信号转接结构中的转接孔的分布示意图。
[0028]图2a是对比实施例示出的信号转接结构中的跨接层烧毁的示意图。
[0029]图2b是对比实施例示出的信号转接结构中的跨接层烧毁的示意图。
[0030]图3是本技术根据一示例性实施例示出的信号转接结构的结构截面图。
[0031]图4是本技术根据一示例性实施例示出的信号转接结构的结构示意图。
[0032]图5a是本技术根据一示例性实施例示出的信号转接结构的跨接层烧毁的示意图。
[0033]图5b是本技术根据另一示例性实施例示出的信号转接结构的跨接层烧毁的示意图。
[0034]图6a是本技术根据一示例性实施例示出的信号转接结构的跨接层烧毁的示意图。
[0035]图6b是本技术根据另一示例性实施例示出的信号转接结构的跨接层烧毁的示意图。
[0036]图7是本技术根据另一示例性实施例示出的信号转接结构的第一转接孔和第
二转接孔的分布示意图。
[0037]图7a是本技术根据另一示例性实施例示出的信号转接结构的跨接层烧毁的示意图。
[0038]图7b是本技术根据另一示例性实施例示出的信号转接结构的跨接层烧毁的示意图。
[0039]图8是本技术根据另一示例性实施例示出的信号转接结构的第一转接孔和第二转接孔的分布示意图。
[0040]图9是本技术根据一示例性实施例示出的显示器的示意图。
具体实施方式
[0041]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。下面结合附图所示的实施例对本技术作进一步说明。
[0042]图1和图2示例性示出了对比实施例中信号转接结构中的转接孔的分布示意图，该转接孔起到转接信号的作用。如图1所示，以2*2作为转接孔的数量为例，两个转接孔10与两个转接孔20分别呈“一”字分布在第一金属层1和第二金属层2上，第一金属层1和第二金属层本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种信号转接结构，其特征在于，所述信号转接结构包括：至少两个第一转接孔，所述至少两个第一转接孔分布于第一导电层上，每个所述第一转接孔暴露部分所述第一导电层；至少两个第二转接孔，所述至少两个第二转接孔分布于第二导电层上，每个所述第二转接孔暴露部分所述第二导电层；所述第二导电层与所述第一导电层位于不同层，所述第一导电层与所述第一导电层之间具有至少两个间隙，所述至少两个间隙中至少部分间隙的延伸方向交叉设置；跨接层，所述跨接层覆盖所述第一转接孔、暴露的所述第一导电层、所述第二转接孔、暴露的所述第二导电层以及所述至少两个间隙的表面，分别位于每个所述间隙两侧的所述第一导电层和所述第二导电层通过所述跨接层形成电连接。2.根据权利要求1所述的信号转接结构，其特征在于，所述第一导电层的形状与所述第二导电层的形状形成互为半围式结构。3.根据权利要求2所述的信号转接结构，其特征在于，所述第一导电层的形状和/或所述第二导电层的形状包括半围式形状。4.根据权利要求3所述的信号转接结构，其特征在于，所述半围式形状呈以下形状中的一种：L型、T型、凹型...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宗祥，程浩，朱敬光，刘祖文，刘耀，徐姗姗，
申请(专利权)人：福州京东方光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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