引脚制造技术

本发明专利技术涉及微流控芯片电连接技术领域，提供一种引脚

【技术实现步骤摘要】
引脚、微流控芯片以及分析装置


[0001]本专利技术涉及微流控芯片电连接
，尤其涉及一种引脚
、
微流控芯片以及分析装置
。

技术介绍

[0002]微流控芯片是实现微流控技术的主要平台，其具有操作单元小
、
集成度高
、
物料耗量低
、
运行时间短等优点，被广泛应用于生物
、
化学
、
医学
、
电子
、
机械等多学科交叉的崭新领域
。
[0003]在采用微流控芯片进行检测分析时，利用电学原理实现芯片功能是最为常用的手段之一
。
所谓利用电学原理，即将待测物理信号，如温度
、
流量
、
压力等通过某种方式转化为电信号，如电阻
、
电容
、
电流等信号，或是对芯片上电极施加一电信号从而驱动芯片内流体流动并进行后续反应
。
[0004]无论片上电极是作为检测端还是激励端，微流控芯片均需要一种引出方式来实现片上电极与外部电学设备的连接与固定，以为电信号的可靠传输创造条件
。
目前，在与电学相关的微流控芯片研究中，最为常用的电连接方式就是将导线的一端焊接在片上电极，也即固态电极；或是直接插入电极中，也即液态电极中，另一端直接与设备进行连接
。
这样的连接方式虽然简单，但是直接采用一条导线将芯片与设备连接极不稳定，实验时对设备的轻微移动都可能扯动导线，进而影响片上电极与导线的连接并造成测试的不准确，更严重时可能直接导致电极与导线的连接断裂，而且只采用一条导线进行连接限制了芯片与设备之间的距离，这对检测时设备及芯片的摆放提出了极高的要求
。
当片上电极需要引出的导线较多时，这种连接方式会造成导线引出混乱，给测试徒增难度
。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种引脚
、
微流控芯片以及分析装置，用以解决现有技术中微流控芯片与外部设备连接稳定性不强且对于多线情况下测试难度高的技术问题
。
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供一种引脚，包括：金属层，包括层叠设置的第一金属层和第二金属层；
[0007]连接件，一端与所述第二金属层连接，另一端用于连接微流控芯片；其中，
[0008]所述第一金属层一端通过第一导线与微流控芯片的电极连接，另一端通过至少一根第二导线与外部设备电连接
。
[0009]根据本专利技术一个实施例的引脚，所述第一金属层为低熔点金属层，所述第二金属层为泡沫金属层
。
[0010]根据本专利技术一个实施例的引脚，所述第一金属层为金属锡
、
金属铋
、
铋铟合金
、
铋铟锡合金中的一者或者其他熔点低于
400
度的金属合金制成；
[0011]所述第二金属层的厚度变化范围为
0.1
‑
20mm。
[0012]根据本专利技术一个实施例的引脚，所述连接件为柔性薄膜，所述柔性薄膜通过键合
方式或者半固化的方式与所述第二金属层和微流控芯片连接
。
[0013]根据本专利技术一个实施例的引脚，所述柔性薄膜的厚度小于所述第二金属层的厚度
。
[0014]根据本专利技术一个实施例的引脚，所述连接件为连接圆柱，所述连接圆柱用于插设于微流控芯片上开设的配合孔以与微流控芯片相连接
。
[0015]根据本专利技术一个实施例的引脚，所述连接件为多个针体，所述针体用于插设于微流控芯片表面
。
[0016]根据本专利技术一个实施例的引脚，所述连接件为聚二甲基硅氧烷
、
聚甲基丙烯酸甲酯
、
人体硅胶中的一者制成
。
[0017]第二方面，本专利技术实施例提供一种微流控芯片，包括本体和上述的引脚；
[0018]所述引脚通过第一导线与所述本体电连接，所述第一导线与所述本体的电极电连接，所述引脚通过至少一根第二导线与外部设备电连接
。
[0019]第三方面，本专利技术实施例还提供一种分析装置，包括：上述的微流控芯片
。
[0020]本专利技术实施例提供的引脚，引脚用于连接微流控芯片和外部设备，微流控芯片与引脚之间通过第一导线电连接，引脚与外部设备通过第二导线电连接
。
引脚通过连接件与微流控芯片连接，如此引脚不易脱落，金属层可以固定微流控芯片电连接口出的引线，也即对应第一导线，并可以通过多根第二导线与多个外部设备连接
。
如此微流控芯片移动时只会涉及到第二导线，而不会损伤第一导线与引脚的连接，当第二导线的长度或者位置无法满足测试要求时，仅对第二导线进行更换即可，极大提高了微流控芯片的稳定性
。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0022]图1为本专利技术实施例的引脚的剖面视图；
[0023]图2为本专利技术微流控芯片的一实施例的结构示意图；
[0024]图3为本专利技术微流控芯片的另一实施例的结构示意图；
[0025]图4为本专利技术引脚的另一实施例的剖面视图；
[0026]图5为图4所示的引脚与本体的配合结构截面图；
[0027]图6为本专利技术引脚的再一实施例的结构示意图；
[0028]图7为图6所示的引脚与本体的另一实施方式的配合结构截面图；
[0029]附图标记：
[0030]10、
金属层；
110、
第一金属层；
120、
第二金属层；
[0031]20、
连接件；
[0032]30、
微流控芯片；
310、
本体；
320、
引脚；
330、
第一导线；
340、
第二导线
。
具体实施方式
[0033]为使本专利技术实施例的目的
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例
中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0034]在本专利技术实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种引脚
(320)
，其特征在于，包括：金属层
(10)
，包括层叠设置的第一金属层
(110)
和第二金属层
(120)
；连接件
(20)
，一端与所述第二金属层
(120)
连接，另一端用于连接微流控芯片
(30)
；其中，所述第一金属层
(110)
一端通过第一导线
(330)
与微流控芯片
(30)
的电极连接，另一端通过至少一根第二导线
(340)
与外部设备电连接
。2.
根据权利要求1所述的引脚
(320)
，其特征在于，所述第一金属层
(110)
为低熔点金属层，所述第二金属层
(120)
为泡沫金属层
。3.
根据权利要求2所述的引脚
(320)
，其特征在于，所述第一金属层
(110)
为金属锡
、
金属铋
、
铋铟合金
、
铋铟锡合金中的一者或者其他熔点低于
400
度的金属合金制成；所述第二金属层
(120)
的厚度变化范围为
0.1
‑
20mm。4.
根据权利要求1所述的引脚
(320)
，其特征在于，所述连接件
(20)
为柔性薄膜，所述柔性薄膜通过键合方式或者半固化的方式与所述第二金属层
(120)
和微流控芯片

【专利技术属性】
技术研发人员：桂林，李雨晴，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：