改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺制造技术

本发明专利技术改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺，包括：

【技术实现步骤摘要】
改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺


[0001]本专利技术涉及半导体制造技术，特别涉及
12
英寸硅片的磨片，具体的，是一种改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺
。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，大尺寸硅片的需求液越来越大，但大尺寸硅片的制备良品率极大限制了产能，如
12
英寸硅片，
12
英寸硅片在磨片工序中，容易产生裂片现象，良品率低
。
[0003]因此，有必要提供一种改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺来解决上述问题
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺
。
[0005]技术方案如下：
[0006]一种改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺，包括：
[0007]1)
改善压力变化曲线，将加压模式调整为缓压，使压力上升时间延长，减少硅片压力骤增带来的硅片应力损伤；
[0008]2)
改变粗研的压力，加大研磨去除量，并压实硅片；减少研磨用时，同步改善硅片在游星片中的晃动；
[0009]3)
增大加工初段时的流量，结合轻压轻转速，使研磨砂在初始阶段更好的铺满在硅片表面，避免硅片初始阶段大盘对硅片硬接触所造成硅片表面应力过大
。
[0010]进一步的，随着压力的加大，大盘和硅片间隙逐渐变小，大流量的研磨砂不易在盘槽间流动，易造成流沙不畅所造成的局部堵塞，硅片从而受到局部压力破碎；减少流量的释放，同步的大盘高转速动，使研磨砂更稳定的在大盘间流动
。
[0011]进一步的，
1)
具体为：在0‑
50s
时间内压力缓慢上升，气缸调整大盘压力为
30KG
‑
130KG
；研磨液供液系统供液由
2L/min
‑
1.5Lmin。
[0012]进一步的，
2)
具体为：粗研过程用时5‑
6min
，气缸压力调整为线性上升，压力由
130K
上升到
1600KG
；研磨液供液系统供液恒定在
1.5L/min。
[0013]进一步的，精磨阶段用时6‑
10min
，气缸压力调整逐步由
1600KG
下降至
0KG
，研磨液供液系统供液恒定在
1.2L/min。
[0014]进一步的，加工结束，供液液系统瞬间切换为纯水，用
10S
完成清水硅片表面砂浆清理；设备完成抬盘取片
。
[0015]与现有技术相比，本专利技术通过在研磨过程的不同厚度调整研磨流量
、
在研磨过程的不同厚度调整研磨压力
、
结合分部压力和分部流量搭配时间三大主要参数变化解决研磨过程产生的裂片，有效降低通线报废率
。
附图说明
[0016]图1是本专利技术的压力变化曲线图
。
[0017]图2是将改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺作为改善工艺后的通线碎裂率趋势示意图
。
具体实施方式
[0018]实施例：
[0019]一种改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺，包括：
[0020]1)
改善压力变化曲线，将加压模式调整为缓压，使压力上升时间延长，减少硅片压力骤增带来的硅片应力损伤；
[0021]2)
改变粗研的压力，加大研磨去除量，并压实硅片；减少研磨用时，同步改善硅片在游星片中的晃动；
[0022]3)
增大加工初段时的流量，结合轻压轻转速，使研磨砂在初始阶段更好的铺满在硅片表面，避免硅片初始阶段大盘对硅片硬接触所造成硅片表面应力过大
。
[0023]进一步的，随着压力的加大，大盘和硅片间隙逐渐变小，大流量的研磨砂不易在盘槽间流动，易造成流沙不畅所造成的局部堵塞，硅片从而受到局部压力破碎；减少流量的释放，同步的大盘高转速动，使研磨砂更稳定的在大盘间流动
。
[0024]1)
具体为：在0‑
50s
时间内压力缓慢上升，气缸调整大盘压力为
30KG
‑
130KG
；研磨液供液系统供液由
2L/min
‑
1.5Lmin。
[0025]2)
具体为：粗研过程用时5‑
6min
，气缸压力调整为线性上升，压力由
130K
上升到
1600KG
；研磨液供液系统供液恒定在
1.5L/min。
[0026]精磨阶段用时6‑
10min
，气缸压力调整逐步由
1600KG
下降至
0KG
，研磨液供液系统供液恒定在
1.2L/min。
[0027]加工结束，供液液系统瞬间切换为纯水，用
10S
完成清水硅片表面砂浆清理；设备完成抬盘取片
。
[0028]本实施例的压力变化，参阅图
1。
[0029]其中：
[0030]将改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺作为改善工艺，进行
12
英寸硅片的磨片，参阅图2，在
23
年2月开始使用改善工艺进批量生产，通线碎裂率呈有效下降
。
[0031]与现有技术相比，本专利技术通过在研磨过程的不同厚度调整研磨流量
、
在研磨过程的不同厚度调整研磨压力
、
结合分部压力和分部流量搭配时间三大主要参数变化解决研磨过程产生的裂片，有效降低通线报废率
。
[0032]以上所述的仅是本专利技术的一些实施方式
。
对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围
。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺，其特征在于：包括：
1)
改善压力变化曲线，将加压模式调整为缓压，使压力上升时间延长，减少硅片压力骤增带来的硅片应力损伤；
2)
改变粗研的压力，加大研磨去除量，并压实硅片；减少研磨用时，同步改善硅片在游星片中的晃动；
3)
增大加工初段时的流量，结合轻压轻转速，使研磨砂在初始阶段更好的铺满在硅片表面，避免硅片初始阶段大盘对硅片硬接触所造成硅片表面应力过大
。2.
根据权利要求1所述的一种改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺，其特征在于：随着压力的加大，大盘和硅片间隙逐渐变小，大流量的研磨砂不易在盘槽间流动，易造成流沙不畅所造成的局部堵塞，硅片从而受到局部压力破碎；减少流量的释放，同步的大盘高转速动，使研磨砂更稳定的在大盘间流动
。3.
根据权利要求1所述的一种改善半导体晶圆在磨片工序裂片率的工艺，其特征在于：
1)
具体为：在0‑
50s
时间内压力缓慢上升，气缸调整大盘压力为
30KG...

【专利技术属性】
技术研发人员：雍琪浩，刘建伟，袁祥龙，刘姣龙，刘洋，庞陞强，李晓宝，吴超平，徐发生，王俊伟，蒋文斌，陈龙飞，王彦君，孙晨光，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：