发光芯片及其转移方法技术

本申请提供了一种发光芯片及其转移方法

【技术实现步骤摘要】
发光芯片及其转移方法、转移系统


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种发光芯片及其转移方法
、
转移系统
。

技术介绍

[0002]由于
Micro
‑
LED(Micro Light Emitting Diode
，微型发光二极管
)
具有低功耗，高亮度和高分辨率的优势，已成为目前非常热门和受欢迎的显示技术
。
但是巨量转移以及巨量转移前后对晶粒的检测目前还存在很多难题
。
以一个
4K
显示器为例，需要转移的晶粒就高达
2400
万颗，晶粒在制备和转移的过程中难免会有晶粒的损坏，由于一颗晶粒的大小大约是
100
微米，甚至更小，可想而知，发生在单颗晶粒上的很细微的裂纹损坏将会更加微小，所以如何在这庞大数量的晶粒中精准检测出损坏的晶粒，也是一项技术难点
。
[0003]目前现有的技术只能通过常规的镜检进行检测，但因为数量庞大且裂纹细微，还是会出现漏检，或检测效率不高的问题
。
检测出损坏的晶粒后还需要进行精密
Rework(
重工
)
等工序，也增加了制程难度
。

技术实现思路

[0004]本申请主要解决的技术问题是提供一种发光芯片及其转移方法
、
转移系统，解决现有技术中巨量转移过程中晶粒漏检以及检测效率不高的问题
。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种发光芯片，所述发光芯片包括：
[0006]衬底；
[0007]其中，所述发光芯片还包括位于所述衬底一侧的复合结构层；所述复合结构层包括内部包裹有导电液体的囊泡结构；其中，在转移所述发光芯片的过程中，破损的所述发光芯片的所述复合结构层中的所述导电液体溢出且被接地，使得所述破损的发光芯片无法通过静电吸引力被吸附转移
。
[0008]其中，所述导电液体包括金系导电墨
、
银系导电墨
、
铜系导电墨和碳系导电墨中的至少一种
。
[0009]其中，所述囊泡结构包括聚乙烯醇
、
聚甲基丙烯酸甲酯和聚二甲基硅氧烷中的至少一种
。
[0010]其中，所述复合结构层还包括基体材料层，所述囊泡结构分布于所述基体材料层中
。
[0011]为了解决上述技术问题，本申请提供的第二个技术方案为：提供一种发光芯片的转移方法，其中，所述发光芯片的转移方法包括：
[0012]提供一载体基板，所述载体基板包括接地设置的第一基板和阵列排布于所述第一基板一侧的多个待转移发光芯片，所述待转移发光芯片包括上述的发光芯片；其中，复合结构层设置于远离所述第一基板的一侧；
[0013]转移装置吸附并转移未破损的所述待转移发光芯片至第二基板
。
[0014]其中，所述转移装置吸附并转移未破损的所述待转移发光芯片至第二基板，包括：
[0015]所述转移装置靠近所述复合结构层，且依靠静电吸引力吸附所述待转移发光芯片，并将所述复合结构层所对应的所述待转移发光芯片转移至所述第二基板
。
[0016]其中，所述转移装置吸附并转移未破损的所述待转移发光芯片至第二基板，之后还包括：
[0017]判断转移发光芯片的数量；定义所述转移发光芯片为从所述第一基板转移至所述第二基板的所述待转移发光芯片；
[0018]若所述转移发光芯片的数量小于预设值，则再次转移未破损的所述待转移发光芯片至所述第二基板以填补缺少的所述转移发光芯片的位置
。
[0019]其中，所述转移装置吸附并转移未破损的所述待转移发光芯片至第二基板，包括：
[0020]所述转移装置吸附并转移所述第一基板上的全部所述待转移发光芯片至所述第二基板
。
[0021]其中，所述转移装置吸附并转移未破损的所述待转移发光芯片至第二基板，包括：
[0022]所述转移装置吸附所述第一基板上的部分所述待转移发光芯片；以及所述转移装置无法吸附破损的所述待转移发光芯片；
[0023]将被吸附的所述待转移发光芯片转移至所述第二基板
。
[0024]为了解决上述技术问题，本申请提供的第三个技术方案为：提供一种发光芯片的转移系统，其中，所述发光芯片的转移系统包括：
[0025]载体基板，所述载体基板包括接地设置的第一基板和阵列排布于所述第一基板一侧的多个待转移发光芯片，所述待转移发光芯片包括上述的发光芯片；其中，复合结构层设置于远离所述第一基板的一侧；
[0026]转移装置，用于吸附并转移未破损的所述待转移发光芯片
。
[0027]本申请的有益效果：区别于现有技术，本申请提供了一种发光芯片及其转移方法
、
转移系统，发光芯片包括衬底
。
发光芯片还包括位于衬底一侧的复合结构层
。
复合结构层包括内部包裹有导电液体的囊泡结构
。
其中，在转移发光芯片的过程中，破损的发光芯片的复合结构层中的导电液体溢出且被接地，使得破损的发光芯片无法通过静电吸引力被吸附转移
。
通过在衬底的一侧设置复合结构层，破损的发光芯片会导致该发光芯片的囊泡结构破损使得导电液体溢出并被接地，在转移发光芯片的过程中，会破坏破损的发光芯片与转移装置之间的静电吸引力，从而导致破损的发光芯片无法通过静电吸引力被吸附转移，只有未破损的发光芯片能通过静电吸引力被吸附转移，进而在转移发光芯片的过程中省去了对发光芯片的裂纹检测以及去除破损的发光芯片的步骤，进而简化了制程
。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出任何创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图
。
[0029]图1是本申请提供的发光芯片一实施例的结构示意图；
[0030]图2是本申请提供的发光芯片的转移方法一实施方式的流程示意图；
[0031]图3是图2中步骤
S11
对应的结构示意图；
[0032]图4是图2中步骤
S12
对应的结构示意图；
[0033]图5是图2中步骤
S12
一实施方式的流程示意图；
[0034]图6是本申请提供的发光芯片的转移方法另一实施方式的流程示意图；
[0035]图7是图6中步骤
S24
对应的结构示意图；
[0036]图8是本申请提供的发光芯片的转移系统一实施例的结构示意图
。
[0037]附图标号说明：
[0038]发光芯片
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种发光芯片，所述发光芯片包括：衬底；其特征在于，所述发光芯片还包括位于所述衬底一侧的复合结构层；所述复合结构层包括内部包裹有导电液体的囊泡结构；其中，在转移所述发光芯片的过程中，破损的所述发光芯片的所述复合结构层中的所述导电液体溢出且被接地，使得所述破损的发光芯片无法通过静电吸引力被吸附转移
。2.
根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述导电液体包括金系导电墨
、
银系导电墨
、
铜系导电墨和碳系导电墨中的至少一种
。3.
根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述囊泡结构包括聚乙烯醇
、
聚甲基丙烯酸甲酯和聚二甲基硅氧烷中的至少一种
。4.
根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述复合结构层还包括基体材料层，所述囊泡结构分布于所述基体材料层中
。5.
一种发光芯片的转移方法，其特征在于，所述发光芯片的转移方法包括：提供一载体基板，所述载体基板包括接地设置的第一基板和阵列排布于所述第一基板一侧的多个待转移发光芯片，所述待转移发光芯片包括权利要求1至4中任一项所述的发光芯片；其中，复合结构层设置于远离所述第一基板的一侧；转移装置吸附并转移未破损的所述待转移发光芯片至第二基板
。6.
根据权利要求5所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述转移装置吸附并转移未破损的所述待转移发光芯片至第二基板，包括：所述转移装置靠近所述复合结构层，且依靠静电吸引...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐榕，叶利丹，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：