【技术实现步骤摘要】
[0019][0020][0021]其中,在式2
‑
1至2
‑
3中,
[0022]X
11
为Si或Ge,
[0023]X2为O、S、Se、N(R
29
)、C(R
29a
)(R
29b
)、或Si(R
29a
)(R
29b
),
[0024]A1‑
A4各自独立地为C或N,其中A1‑
A4之一为键合至相邻吡啶基团的C,并且A1‑
A4的另一个为键合至式1中的M的C,
[0025]Y3为N,
[0026]Y
31
为C(R
31
)或N,并且Y
32
可为C(R
32
)或N,
[0027]X3为O、S、或N
‑
(T3‑
Z3),
[0028]T3为单键、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
亚烷基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
30
杂环基团,
[0029]Y4为C或N,
[0030]环CY2至环CY4各自独立地为C5‑
C
30
碳环基团或C1‑
C
30
杂环基团,
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.有机金属化合物,其由式1表示:式1M(L1)
n1
(L2)
n2
其中,在式1中,M为过渡金属,L1为由式2
‑
1表示的配体,L2为由式2
‑
2表示的配体或由式2
‑
3表示的配体,n1和n2各自独立地为1或2,当n1为2时,两个L1彼此相同或不同,且当n2为2时,两个L2彼此相同或不同,和L1和L2彼此不同,式2
‑
111其中,在式2
‑
1至2
‑
3中,X
11
为Si或Ge,
X2为O、S、Se、N(R
29
)、C(R
29a
)(R
29b
)或Si(R
29a
)(R
29b
),A1‑
A4各自独立地为C或N,其中A1‑
A4之一为键合至相邻吡啶基团的C,并且A1‑
A4的另一个为键合至式1中的M的C,Y3为N,Y
31
为C(R
31
)或N,Y
32
为C(R
32
)或N,X3为O、S或N
‑
(T3‑
Z3),T3为单键、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
20
亚烷基、未被取代或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
30
杂环基团,Y4为C或N,环CY2至环CY4各自独立地为C5‑
C
30
碳环基团或C1‑
C
30
杂环基团,其中环CY2为包括至少一个N作为成环原子的C3‑
C
30
杂环基团;A1‑
A4的至少一个为N;或者环CY2为包括至少一个N作为成环原子的C3‑
C
30
杂环基团,并且A1‑
A4的至少一个为N,R1‑
R4、R
14
‑
R
16
、R
29
、R
29a
、R
29b
、R
31
、R
32
和Z3各自独立地为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
SF5、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、取代或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代或未取代的C1‑
C
60
烷硫基、取代或未取代的C3‑
C
10
环烷基、取代或未取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代或未取代的C3‑
C
10
环烯基、取代或未取代的C1‑
C
10
杂环烯基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C7‑
C
60
烷基芳基、取代或未取代的C7‑
C
60
芳基烷基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代或未取代的C2‑
C
60
烷基杂芳基、取代或未取代的C2‑
C
60
杂芳基烷基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳氧基、取代或未取代的C1‑
C
60
杂芳硫基、取代或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
Si(Q3)(Q4)(Q5)、
‑
Ge(Q3)(Q4)(Q5)、
‑
B(Q6)(Q7)、
‑
P(=O)(Q8)(Q9)或
‑
P(Q8)(Q9),a1为0
‑
3的整数,a2为0
‑
6的整数,a3和a4各自独立地为0
‑
20的整数,多个R1的两个或更多个任选地彼此连接以形成未被取代或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
30
杂环基团,多个R2的两个或更多个任选地彼此连接以形成未被取代或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
30
杂环基团,多个R3的两个或更多个任选地彼此连接以形成未被取代或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
30
杂环基团,多个R4的两个或更多个任选地彼此连接以形成未被取代或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
30
杂环基团,R1‑
R4的两个或更多个任选地彼此连接以形成未被取代或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团、或者未被取代或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
30
杂环基团,R
10a
如关于R2所描述的,*和*'各自表示与式1中的M的结合位点,
取代的C1‑
C
60
烷基、取代的C2‑
C
60
烯基、取代的C2‑
C
60
炔基、取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代的C1‑
C
60
烷硫基、取代的C3‑
C
10
环烷基、取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代的C3‑
C
10
环烯基、取代的C1‑
C
10
杂环烯基、取代的C6‑
C
60
芳基、取代的C7‑
C
60
烷基芳基、取代的C7‑
C
60
芳基烷基、取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代的C2‑
C
60
烷基杂芳基、取代的C2‑
C
60
杂芳基烷基、取代的C1‑
C
60
杂芳氧基、取代的C1‑
C
60
杂芳硫基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基为:氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
SF5、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基或C1‑
C
60
烷硫基;各自被如下的至少一个取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基或C1‑
C
60
烷硫基:氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
SF5、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C7‑
C
60
烷基芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、C2‑
C
60
烷基杂芳基、C1‑
C
60
杂芳氧基、C1‑
C
60
杂芳硫基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
Si(Q
13
)(Q
14
)(Q
15
)、
‑
Ge(Q
13
)(Q
14
)(Q
15
)、
‑
B(Q
16
)(Q
17
)、
‑
P(=O)(Q
18
)(Q
19
)、
‑
P(Q
18
)(Q
19
)或其组合;各自未被取代或被如下的至少一个取代的C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C7‑
C
60
烷基芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、C2‑
C
60
烷基杂芳基、C1‑
C
60
杂芳氧基、C1‑
C
60
杂芳硫基、单价非芳族稠合多环基团或单价非芳族稠合杂多环基团:氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、
‑
SF5、
‑
CD3、
‑
CD2H、
‑
CDH2、
‑
CF3、
‑
CF2H、
‑
CFH2、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C1‑
C
60
烷硫基、C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C7‑
C
60
烷基芳基、C7‑
C
60
芳基烷基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、C2‑
C
60
烷基杂芳基、C2‑
C
60
杂芳基烷基、C1‑
C
60...
【专利技术属性】
技术研发人员:姜炳俊,李锦喜,李芳璘,李龙柱,崔炳基,洪成勋,洪英基,黄圭荣,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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