一种控制直拉单晶液面距的方法技术

本申请公开了一种控制直拉单晶液面距的方法，包括：进入稳温工序时，测量坩埚内硅熔液表面的温度，获取硅熔液表面的温度数据

【技术实现步骤摘要】
一种控制直拉单晶液面距的方法


[0001]本申请涉及单晶生长领域，具体涉及一种控制直拉单晶液面距的方法
。

技术介绍

[0002]直拉单晶法
(Czochralski method)
的液面距的控制，尤其是识别长晶初始液面距或者长晶过程液面距监控对于成晶及产品参数至关重要
。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种控制直拉单晶液面距的方，可以解决上述技术问题
。
[0004]本申请实施例提供一种控制直拉单晶液面距的方法，包括：
[0005]进入稳温工序时，测量坩埚内硅熔液表面的温度，获取硅熔液表面的温度数据
T
；
[0006]通过所述温度数据
T
和温度预设数据
T0获取第一差值
Δ
T
，当所述第一差值
Δ
T
的范围在
10℃
～
50℃
，获取导流筒的位置数据
S
；
[0007]通过所述位置数据
S
和位置预设数据
S0获取第二差值
Δ
S
；
[0008]基于所述第一差值
Δ
T
和所述第二差值
Δ
S
，调整所述坩埚的位置
。
[0009]在一些实施例中，所述温度数据
T
的范围为
1400℃
～
1450℃/>[0010]在一些实施例中，所述位置数据
S
的范围为
‑
10mm
～
10mm。
[0011]在一些实施例中，在进入所述稳温工序时，调整所述坩埚位置至预设液面距位置
。
[0012]在一些实施例中，所述温度数据
T
通过第一测量点获取，所述第一测量点位于提拉头
。
[0013]在一些实施例中，所述位置数据通过第二测量点获取，所述第二测量点位于提拉头
。
[0014]在一些实施例中，所述第一测量点和
/
或所述第二测量点为激光探测点
。
[0015]在一些实施例中，所述硅熔液的表面温度数据
T
和
/
或所述导流筒位置数据
S
通过多点测量获得
。
[0016]在一些实施例中，所述导流筒的位置数据的初始值为所述导流筒下沿与硅熔液表面之间的距离
。
[0017]在一些实施例中，测量点获得的所述温度数据
T
与所述位置数据
S
的数据信息反馈至处理器；
[0018]所述处理器依据所述温度数据
T
和温度预设数据
T0之间的第一差值
Δ
T
与所述位置数据
S
和位置预设数据
S0之间的第二差值
Δ
S
，调整所述坩埚的位置
。
[0019]本申请的有益效果在于：相较于现有技术，本申请提供了一种控制直拉单晶液面距的方法，包括：进入稳温工序时，测量硅熔液表面的温度，获取硅熔液表面的温度数据
T
；当温度数据
T
与预设温度
T0之间的差值
Δ
T
的范围在
10℃
～
50℃
，获取导流筒的位置数据
S
；通过温度数据
T
和温度预设数据获取第一差值，通过位置数据
S
和位置预设数据获取第二差值；基于第一差值
Δ
T
和所述第二差值
Δ
S
，调整坩埚的位置
。
本申请通过设置测量点以及温
度数据与导流筒之间的位置关系，保证液面距按照工艺要求准确控制，保证直拉法生产单晶产品对于温度梯度的要求
。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0021]图1为本申请实施例中拉晶采用的装置结构示意图；
[0022]图中，1‑
单晶炉，
101
‑
第一测量点，
102
‑
第二测量点，2‑
内导流筒，3‑
外导流筒，4‑
坩埚，5‑
硅熔液的表面
。
具体实施方式
[0023]下面将结合本申请实施例对本申请实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围
。
另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。
用语第一
、
第二
、
第三等仅仅作为标示使用，并没有强加数字要求或建立顺序
。
本申请的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本申请范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值
。
例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如
1、2、3、4、5
及6，此不管范围为何皆适用
。
另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字
(
分数或整数
)。
[0024]如图1所示，本申请中所述的单晶硅生长采用的设备包括单晶炉1，设置于坩埚4上方的内导流筒2和外导流筒3，坩埚4中具有熔融状态的硅熔液，单晶硅1自硅熔液的表面5向上生长
。
[0025]本申请的单晶位于单晶生长装置内，单晶生长装置还包括了提拉头，提拉头上安装籽晶，在单晶生长过程中，通过提拉头逐渐提拉，使坩埚4中的硅熔液逐渐凝固并形成单晶
。
本申请在提拉头上设置了第一测量点
101
和第二测量点
102
，设置的测量点随着提拉头的提升而升高，可以实时监测单晶生长过程中需要控制的参数信息，更能反应单晶生长过程中的参数变化
。
[0026]在一些实施例中，第一测量点
101
和第二测量点
102
为激光测量点
。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种控制直拉单晶液面距的方法，其特征在于，包括：进入稳温工序时，测量坩埚内硅熔液表面的温度，获取硅熔液表面的温度数据
T
；通过所述温度数据
T
和温度预设数据
T0获取第一差值
Δ
T
，当所述第一差值
Δ
T
的范围在
10℃
～
50℃
，获取导流筒的位置数据
S
；通过所述位置数据
S
和位置预设数据
S0获取第二差值
Δ
S
；基于所述第一差值
Δ
T
和所述第二差值
Δ
S
，调整所述坩埚的位置
。2.
根据权利要求1所述的控制直拉单晶液面距的方法，其特征在于，所述温度数据
T
的范围为
1400℃
～
1450℃。3.
根据权利要求1所述的控制直拉单晶液面距的方法，其特征在于，所述第二差值
Δ
S
的范围为
‑
10mm
～
10mm。4.
根据权利要求1所述的控制直拉单晶液面距的方法，其特征在于，在进入所述稳温工序时，调整所述坩埚位置至预设液面距位置
。5.
根据权利要求1所述的控制直拉单晶液面...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙晨光，侯明超，贾海洋，周宏邦，张强，娄中士，王淼，吕惠芸，刘伟，孔凯斌，田旭东，袁长宏，闫鹏飞，
申请(专利权)人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：