一种后处理降结晶控制方法技术

本发明专利技术公开了一种后处理降结晶控制方法

【技术实现步骤摘要】
一种后处理降结晶控制方法、装置、设备及存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及发动机控制技术，尤其涉及一种后处理降结晶控制方法
、
装置
、
设备及存储介质
。

技术介绍

[0002]选择性催化还原技术（
Selective Catalytic Reduction
，
SCR
）是针对柴油车尾气排放中的一项处理工艺，即在催化剂的作用下，喷入还原剂氨或尿素，把尾气中的还原成和
。
传统的尿素喷射控制方式是通过前馈加氨储闭环得到需求氨氮比，结合
SCR
上游质量流量算出需求的尿素质量流量，然后给执行器执行去控制实际的还原剂反馈控制量
。
[0003]选择性催化还原过程包含复杂的物理变化和化学变化，柴油机的运动工况多变，导致尿素水溶液喷射到排气的过程也会发生一定变化，某些情况下会发生尿素结晶的问题
。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种后处理降结晶控制方法
、
装置
、
设备及存储介质，以达到降低尿素结晶发生可能性的目的
。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种后处理降结晶控制方法，包括：获取选择性催化还原温度
、
原排氮氧化物质量流量；
[0006]根据所述选择性催化还原温度
、
原排氮氧化物质量流量确定氨储差值上限值
、
氨储差值下限值；
[0007]根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值；
[0008]若所述氨储差值小于等于所述氨储差值上限值且大于等于所述氨储差值下限值，则采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量，否则，采用第二闭环控制确定还原剂反馈控制量；
[0009]还包括根据所述选择性催化还原温度
、
空速确定还原剂前馈控制量；
[0010]根据所述还原剂前馈控制量
、
还原剂反馈控制量确定还原剂控制量
。
[0011]可选的，所述第一闭环控制与所述第二闭环控制的控制方程结构相同，控制方程参数不同；
[0012]输入相同时，采用所述第一闭环控制确定的还原剂反馈控制量小于采用所述第二闭环控制确定的还原剂反馈控制量
。
[0013]可选的，采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量后还包括：根据所述还原剂反馈控制量确定调整系数；
[0014]当所述氨储差值小于等于所述氨储差值上限值且大于等于所述氨储差值下限值
时，根据所述调整系数和所述还原剂前馈控制量确定所述还原剂控制量
。
[0015]可选的，根据所述选择性催化还原温度
、
原排氮氧化物质量流量，采用第一
MAP
图确定所述氨储差值上限值；
[0016]根据所述选择性催化还原温度
、
原排氮氧化物质量流量，采用第二
MAP
图确定所述氨储差值下限值
。
[0017]可选的，根据所述选择性催化还原温度
、
空速，采用第三
MAP
图确定所述还原剂前馈控制量
。
[0018]可选的，所述第一闭环控制的输入包括：下游氮氧化物质量流量测量值，下游氮氧化物质量流量目标值
。
[0019]可选的，所述第一闭环控制
、
第二闭环控制为
PID
控制
。
[0020]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种后处理降结晶控制装置，包括后处理降结晶控制单元，所述后处理降结晶控制单元用于：
[0021]获取选择性催化还原温度
、
原排氮氧化物质量流量；
[0022]根据所述选择性催化还原温度
、
原排氮氧化物质量流量确定氨储差值上限值
、
氨储差值下限值；
[0023]根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值；
[0024]若所述氨储差值小于等于所述氨储差值上限值且大于等于所述氨储差值下限值，则采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量，否则，采用第二闭环控制确定还原剂反馈控制量；
[0025]还包括根据所述选择性催化还原温度
、
空速确定还原剂前馈控制量；
[0026]根据所述还原剂前馈控制量
、
还原剂反馈控制量确定还原剂控制量
。
[0027]第三方面，本专利技术实施例还提供了一种电子设备，包括至少一个处理器，以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；
[0028]所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本专利技术实施例记载的任意一种后处理降结晶控制方法
。
[0029]第四专利技术，本专利技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现本专利技术实施例记载的任意一种后处理降结晶控制方法
。
[0030]与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：本专利技术提出一种后处理降结晶控制方法，该方法中，通过选择性催化还原温度（后处理温度）和当前的原排质量流量水平确定合适的氨储差值上限值和下限值，根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值，当氨储差值在氨储差值上限值和下限值对应的范围以内，就认为该后处理温度下氨储足够大，此时将氨储由第二闭环控制切换为第一闭环控制，以使得采用闭环控制确定还原剂控制量时，在相同的氨储差值下可以减小还原剂控制量，从而降低还原剂喷射量，降低结晶风险
。
附图说明
[0031]图1是实施例中的后处理降结晶控制方法流程图；
[0032]图2是实施例中的另一种后处理降结晶控制方法流程图；
[0033]图3是实施例中的又一种后处理降结晶控制方法流程图；
[0034]图4是实施例中的电子设备结构示意图
。
具体实施方式
[0035]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明
。
可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定
。
另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构
。
[0036]实施例一
[0037]图1是实施例中的后处理降结晶控制方法流程图，参考图1，控制方法包括：
[0038]S101.
获取选择性催化还原温度
、
原排氮氧化物质量流量
。
[0039]示例性的，本实施例中，后处理降结晶控制方式适用于发动机排气后处理场景中，避免还原剂喷嘴位置出现结晶的情形
。
[0040]本实施例中，采用选择性催化还原（
Selective Catalytic Reduction本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种后处理降结晶控制方法，其特征在于，包括：获取选择性催化还原温度
、
原排氮氧化物质量流量；根据所述选择性催化还原温度
、
原排氮氧化物质量流量确定氨储差值上限值
、
氨储差值下限值；根据设定氨储值和实际氨储值确定氨储差值；若所述氨储差值小于等于所述氨储差值上限值且大于等于所述氨储差值下限值，则采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量，否则，采用第二闭环控制确定还原剂反馈控制量；还包括根据所述选择性催化还原温度
、
空速确定还原剂前馈控制量；根据所述还原剂前馈控制量
、
还原剂反馈控制量确定还原剂控制量
。2.
如权利要求1所述的后处理降结晶控制方法，其特征在于，所述第一闭环控制与所述第二闭环控制的控制方程结构相同，控制方程参数不同；输入相同时，采用所述第一闭环控制确定的还原剂反馈控制量小于采用所述第二闭环控制确定的还原剂反馈控制量
。3.
如权利要求1所述的后处理降结晶控制方法，其特征在于，采用第一闭环控制确定还原剂反馈控制量后还包括：根据所述还原剂反馈控制量确定调整系数；当所述氨储差值小于等于所述氨储差值上限值且大于等于所述氨储差值下限值时，根据所述调整系数和所述还原剂前馈控制量确定所述还原剂控制量
。4.
如权利要求1所述的后处理降结晶控制方法，其特征在于，根据所述选择性催化还原温度
、
原排氮氧化物质量流量，采用第一
MAP
图确定所述氨储差值上限值；根据所述选择性催化还原温度
、
原排氮氧化物质量流量，采用第二
MAP
图确定所述氨储差值下限值
。5.
如权利要求1所述的后处理降结晶控制方法，其特征在于，根据所述选择性催化还原温度

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雅琪，王新校，陈彦波，李俊琦，栾军山，
申请(专利权)人：潍柴动力股份有限公司，
类型：发明
国别省市：