一种具有高频补偿电感的堆叠功率放大器电路制造技术

本发明专利技术提供了一种具有高频补偿电感的堆叠功率放大器电路

【技术实现步骤摘要】
一种具有高频补偿电感的堆叠功率放大器电路


[0001]本专利技术属微电子与固体电子学的射频与模拟集成电路
，具体涉及一种具有高频补偿电感的堆叠功率放大器电路
。

技术介绍

[0002]随着无线通信技术的迅速发展，智能手机
、
平板电脑等便携式终端逐渐成为人们日常生活中不可或缺的工具，功率放大器作为无线收发机前端的核心模块，其带宽和输出功率直接决定了发射链路的射频输出能力和信号发送距离，因此扩展功放的带宽以及提高其输出功率具有重要的研究意义
。
[0003]硅基
CMOS
工艺以其低成本和高集成度成为单片实现各个模块集成的不错方案，但是由于
CMOS
工艺的
MOS
管击穿电压较低，
CMOS
工艺的低阻抗衬底带来的高损耗，使得基于
CMOS
工艺设计的功放在输出功率
、
效率
、
带宽等方面表现性能较差
。
[0004]文献“J.Tsai,T.Yu and W.Huang,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种具有高频补偿电感的堆叠功率放大器电路，其特征在于主要包括：功率放大器及其偏置网络，其中，功率放大器采用堆叠式功率放大器结构，包括三层晶体管堆叠和高频补偿电感，最下层晶体管连接电路输入端，最上层晶体管连接电路输出端和电源端，输入端和输出端之间通过电阻
‑
电容反馈扩展带宽，高频补偿电感串联在每两层晶体管之间，在高频处补偿晶体管寄生电容的影响；偏置网络由串联分压电阻组成，提供晶体管栅极偏置，偏置网络的一端连接电源电压，一端接地
。2.
根据权利要求1所述的一种具有高频补偿电感的堆叠功率放大器电路，其特征在于：所述的功率放大器包括第一晶体管
M1、
第二晶体管
M2、
第三晶体管
M3、
第一电感
L1、
第二电感
L2、
第一电容
C1、
第二电容
C2、
第三电容
C3，所述的偏置网络包括顺序串联的第一电阻
R1、
第二电阻
R2、
第三电阻
R3、
第四电阻
R4，其中，第一晶体管
M1漏极通过电感
L
out
连接电源端
、
通过输出隔直电容
C
out
连接输出端
、
连接反馈网络电阻
R5的一端和偏置网络中第一电阻
R1的一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，费新星，巴洒，韦炜，李畅游，王湛，
申请(专利权)人：中国船舶集团有限公司第七二三研究所，
类型：发明
国别省市：