【技术实现步骤摘要】
差分放大器、放大电路、芯片和电子设备
[0001]本申请涉及电路
,特别涉及一种差分放大器
、
放大电路
、
芯片和电子设备
。
技术介绍
[0002]差分放大器的共模抑制比
(Common Mode Rejection Rate
,
CMRR)
是指差模信号的电压放大倍数与共模信号的电压放大倍数之比,用来衡量差分放大器抑制共模信号以及放大差模信号的能力,
CMRR
约大则特性越好
。
如图1所示,一种典型的差分放大器在低频时,共模等效后的电路中输入阻抗为电流镜所对应的阻抗,由于电路中的电阻匹配而具有良好的
CMRR
特性,如图2所示,在高频时,由于电流镜的寄生效应,共模等效后的电路中输入阻抗为电流镜与寄生电容并联的阻抗,随着工作频率的上升,电流镜逐渐被寄生电路旁路,导致输入阻抗快速下降,打破了原有的电阻匹配,导致差分放大器的
CMRR
随着工作频率的上升而逐渐降低
。
技术实现思路
[0003]一种差分放大器
、
放大电路
、
芯片和电子设备,能够改善差分放大器的
CMRR
随着工作频率的上升而逐渐降低的问题
。
[0004]第一方面,提供一种差分放大器,包括:差分放大电路,差分放大电路包括:电连接于第一电压端和信号输出端之间的负载电路;电连接于信号输出端和偏置端之间的差分单元,差分单元还
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种差分放大器,其特征在于,包括:差分放大电路,所述差分放大电路包括:电连接于第一电压端和信号输出端之间的负载电路;电连接于所述信号输出端和偏置端之间的差分单元,所述差分单元还电连接于信号输入端;所述差分放大器还包括串联于所述偏置端和第二电压端之间的电流镜电路和感性电路
。2.
根据权利要求1所述的差分放大器,其特征在于,所述感性电路包括电感,所述电感和所述电流镜电路串联于所述偏置端和所述第二电压端之间
。3.
根据权利要求1所述的差分放大器,其特征在于,所述信号输出端包括第一信号输出端和第二信号输出端;所述负载电路包括第一电阻和第二电阻,所述第一电阻串联于所述第一电压端和所述第一信号输出端之间,所述第二电阻串联于所述第一电压端和所述第二信号输出端之间;所述信号输入端包括第一信号输入端和第二信号输入端;所述差分单元包括:第一晶体管,所述第一晶体管的第一端电连接于所述第一信号输出端,所述第一晶体管的第二端电连接于所述偏置端,所述第一晶体管的控制端电连接于所述第一信号输入端;第二晶体管,所述第二晶体管的第一端电连接于所述第二信号输出端,所述第二晶体管的第二端电连接于所述偏置端,所述第二晶体管的控制端电连接于所述第二信号输入端
。4.
根据权利要求1所述的差分放大器,其特征在于,所述电流镜电路包括:第三晶体管,所述第三晶体管的第一端电连接于参考电压端,所述第三晶体管的第二端电连接于第三电压端,所述第三晶体管的控制端电连接于所述参考电压端;第四晶体管,所述第四晶体管的控制端电连接于所述第三晶体管的控制端;所述第四晶体管的第一端通过所述感性电路电连接于所述偏置端,所述第四晶体管的第二端电连接于所述第二电压端,或者,所述第四晶体管的第一端电连接于所述偏置端,所述第四晶体管的第二端通过所述感性电路电连接于所述第二电压端
。5.
根据权利要求3所述的差分放大器,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管为双极性晶体管或金属氧化物半导体场效应晶体管
。6.
一种分布式放大电路,其特征在于,包括:前级电路
、
电平平移器和分布式电路,所述前级电路的输出端通过所述电平平移器电连接于所述分布式电路的输入端;所述前级电路和所述分布式电路均包括如权利要求1至5中任意一项所述的差分放大器
。7.
根据权利要求6所述的分布式放大电路,其特征在于,
...
【专利技术属性】
技术研发人员:顾立,毕晓君,段博,石玉峰,
申请(专利权)人:华为技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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