一种放大器封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种放大器封装结构

【技术实现步骤摘要】
一种放大器封装结构、其制造方法及阻抗匹配方法


[0001]本专利技术涉及射频放大器相关
，特别涉及一种放大器封装结构
、
其制造方法及阻抗匹配方法
。

技术介绍

[0002]射频放大器如
GaN HEMT
放大器有着较高的截止频率，因此在微波应用上会产生较复杂的谐波，谐波分量不仅会干扰其他通信系统，也会导致放大器的功耗增加及转换效率降低，造成能源浪费
。
[0003]现有的射频放大器处理谐波的方法是在输出端口做谐波滤波器，但是谐波滤波器的插入损耗不可忽略，会导致放大器的输出功率有一部分损耗在滤波器上，最终输出功率降低，效率降低，能源浪费
。
[0004]此外，整机上常见的滤波器结构主要是腔体滤波器，主要特点为承受功率大，主要缺点为体积较大，因此导致整机体积较大
。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提出一种放大器封装结构
、
其制造方法及阻抗匹配方法，其中第一电感匹配电路和第二电感匹配电路的电感值能够根据需要进行精确匹配，在提高输入输出阻抗的同时，抑制输出谐波及提高工作效率
。
[0006]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0007]一方面，一种放大器封装结构，包括：
[0008]壳体；
[0009]封装于所述壳体的晶体管管芯，所述晶体管管芯包括晶体管
、
晶体管输入端和晶体管输出端；
[0010]设置于所述晶体管管芯内部的输入阻抗匹配电路，包括第一
LC
输入电路，所述第一
LC
输入电路耦合于壳体第一输入端和晶体管输入端之间，包括第一电容和第一电感匹配电路；其中，所述第一电感匹配电路包括至少两个键合点，相邻的两个键合点之间设置有第一微带线，所述晶体管输入端通过第二键合线与至少一个所述键合点相连接，所述第一电容通过第三键合线与至少一个所述键合点相连接；
[0011]设置于所述晶体管管芯内部的输出阻抗匹配电路，包括第一
LC
输出电路，所述第一
LC
输出电路耦合于晶体管输出端和壳体第一输出端之间，包括第二电容和第二电感匹配电路；其中，所述第二电感匹配电路包括至少两个键合点，相邻的两个键合点之间设置有第四微带线，所述晶体管输出端通过第五键合线与至少一个所述键合点相连接，所述第二电容通过第六键合线与至少一个所述键合点相连接
。
[0012]优选的，所述第一电感匹配电路的键合点包括三个，分别为第一键合点
、
第二键合点和第三键合点，所述第一键合点和第二键合点之间
、
所述第二键合点和第三键合点之间分别设置有第一微带线
。
[0013]优选的，所述第二电感匹配电路的键合点包括三个，分别为第四键合点
、
第五键合点和第六键合点，所述第四键合点和第五键合点之间
、
所述第五键合点和第六键合点之间分别设置有第四微带线
。
[0014]优选的，所述输入阻抗匹配电路还包括
π
型滤波匹配输入电路；所述
π
型滤波匹配输入电路耦合于壳体第二输入端和晶体管输入端之间，包括第七键合线
、
第八键合线
、
第九键合线
、
第三电容和第四电容；所述第七键合线
、
第八键合线
、
第九键合线依次串联连接于壳体第二输入端和晶体管输入端之间；所述第三电容连接于第七键合线和第八键合线的连接点和参考地之间；所述第四电容连接于第八键合线和第九键合线的连接点和参考地之间
。
[0015]优选的，所述输入阻抗匹配电路还包括第二
LC
输入电路；所述第二
LC
输入电路耦合于壳体第三输入端和晶体管输入端之间，所述第二
LC
输入电路的结构与第一
LC
输入电路的结构相同
。
[0016]优选的，所述输出阻抗匹配电路还包括
π
型滤波匹配输出电路；所述
π
型滤波匹配输出电路耦合于晶体管输出端与壳体第二输出端之间，包括第十键合线
、
第十一键合线
、
第十二键合线
、
第五电容和第六电容；所述第十键合线
、
第十一键合线
、
第十二键合线依次串联连接于晶体管输出端与壳体第二输出端之间；所述第五电容连接于第十键合线和第十一键合线的连接点和参考地之间；所述第六电容连接于第十一键合线和第十二键合线的连接点和参考地之间
。
[0017]优选的，所述输出阻抗匹配电路还包括第二
LC
输出电路；所述第二
LC
输出电路耦合于晶体管输出端和壳体第三输出端之间，所述第二
LC
输出电路的结构与第一
LC
输出电路的结构相同
。
[0018]另一方面，一种放大器封装结构的制造方法，包括：
[0019]将晶体管管芯封装到所述壳体，其中晶体管管芯包括晶体管
、
晶体管输入端和晶体管输出端；
[0020]在所述晶体管输入端和壳体第一输入端之间将第一电容耦合到所述壳体，通过将第一电感匹配电路连接于所述第一电容和晶体管输入端之间来产生输入阻抗匹配电路；其中，所述第一电感匹配电路包括至少两个键合点，相邻的两个键合点之间设置有第一微带线，所述晶体管输入端通过第二键合线与至少一个所述键合点相连接，所述第一电容通过第三键合线与至少一个所述键合点相连接；
[0021]在所述晶体管输出端和壳体第一输出端之间将第五电容耦合到所述壳体，通过将第二电感匹配电路连接于所述第五电容和晶体管输出端之间来产生输入阻抗匹配电路；其中，所述第二电感匹配电路包括至少两个键合点，相邻的两个键合点之间设置有第四微带线，所述晶体管输出端通过第五键合线与至少一个所述键合点相连接，所述第二电容通过第六键合线与至少一个所述键合点相连接
。
[0022]再一方面，一种放大器封装结构的阻抗匹配方法，应用于所述的放大器封装结构，包括：
[0023]调整连接到所述晶体管输入端的第一电感匹配电路的键合点和
/
或调整连接到所述第一电容的第一电感匹配电路的键合点，以调节第一电感匹配电路的电感值；
[0024]调整连接到所述晶体管输出端的第二电感匹配电路的键合点和
/
或调整连接到所
述第二电容的第二电感匹配电路的键合点，以调节第二电感匹配电路的电感值
。
[0025]优选的，调整连接到所述晶体管输入端的第一电感匹配电路的键合点和
/
或调整连接到所述第一电容的第一电感匹配电路的键合点，具体包括连接到不同的键合点
、
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种放大器封装结构，其特征在于，包括：壳体；封装于所述壳体的晶体管管芯，所述晶体管管芯包括晶体管
、
晶体管输入端和晶体管输出端；设置于所述晶体管管芯内部的输入阻抗匹配电路，包括第一
LC
输入电路，所述第一
LC
输入电路耦合于壳体第一输入端和晶体管输入端之间，包括第一电容和第一电感匹配电路；其中，所述第一电感匹配电路包括至少两个键合点，相邻的两个键合点之间设置有第一微带线，所述晶体管输入端通过第二键合线与至少一个所述键合点相连接，所述第一电容通过第三键合线与至少一个所述键合点相连接；设置于所述晶体管管芯内部的输出阻抗匹配电路，包括第一
LC
输出电路，所述第一
LC
输出电路耦合于晶体管输出端和壳体第一输出端之间，包括第二电容和第二电感匹配电路；其中，所述第二电感匹配电路包括至少两个键合点，相邻的两个键合点之间设置有第四微带线，所述晶体管输出端通过第五键合线与至少一个所述键合点相连接，所述第二电容通过第六键合线与至少一个所述键合点相连接
。2.
根据权利要求1所述的放大器封装结构，其特征在于，所述第一电感匹配电路的键合点包括三个，分别为第一键合点
、
第二键合点和第三键合点，所述第一键合点和第二键合点之间
、
所述第二键合点和第三键合点之间分别设置有第一微带线
。3.
根据权利要求1所述的放大器封装结构，其特征在于，所述第二电感匹配电路的键合点包括三个，分别为第四键合点
、
第五键合点和第六键合点，所述第四键合点和第五键合点之间
、
所述第五键合点和第六键合点之间分别设置有第四微带线
。4.
根据权利要求1所述的放大器封装结构，其特征在于，所述输入阻抗匹配电路还包括
π
型滤波匹配输入电路；所述
π
型滤波匹配输入电路耦合于壳体第二输入端和晶体管输入端之间，包括第七键合线
、
第八键合线
、
第九键合线
、
第三电容和第四电容；所述第七键合线
、
第八键合线
、
第九键合线依次串联连接于壳体第二输入端和晶体管输入端之间；所述第三电容连接于第七键合线和第八键合线的连接点和参考地之间；所述第四电容连接于第八键合线和第九键合线的连接点和参考地之间
。5.
根据权利要求1所述的放大器封装结构，其特征在于，所述输入阻抗匹配电路还包括第二
LC
输入电路；所述第二
LC
输入电路耦合于壳体第三输入端和晶体管输入端之间，所述第二
LC
输入电路的结构与第一
LC
输入电路的结构相同
。6.
根据权利要求1所述的放大器封装结构，其特征在于，所述输出阻抗匹配电路还包括
π
型滤波匹配输出电路；所述
π

【专利技术属性】
技术研发人员：卢益锋，万亮，毛朝武，王文平，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：