超纯制造技术

本发明专利技术公开了集成电路用超纯

【技术实现步骤摘要】
超纯TEOS的水分杂质测试方法及检测设备


[0001]本专利技术是关于检测技术，特别是关于一种集成电路用超纯
TEOS
的水分杂质测试方法及检测设备
。

技术介绍

[0002]半导体工艺形成氧化层的方法主要有热氧化
(
针对能形成自身稳定氧化层的半导体材料
),
低压化学气相淀积
(LPCVD),
等离子增强化学气相淀积
(PECVD)
和常压化学气相淀积
(APCVD)
等
。
由于
APCVD
要求的气流量大
,
且工艺产生颗粒相对较多
,
目前大多数半导体工艺已很少使用
。
[0003]正硅酸乙酯
(TEOS)LPCVD
时，
TEOS
从液态蒸发成气态，在
700
～
750℃300mTOR
压力下分解在硅片表面淀积生成二氧化硅薄膜
,
二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到
50
à
/min,
薄膜的厚度均匀性小于
3﹪,
这些优良的工艺特性和其在使用安全性方面的显著特点已逐步成为沉积二氧化硅薄膜的主流工艺
。
[0004]用正硅酸乙酯
(TEOS)LPCVD
技术实现二氧化硅在
SiC
晶片表面的淀积
,
在一定程度上弥补了
SiC<br/>氧化层过薄和
PECVD
二氧化硅层过于疏松的弊端
。
采用
TEOS LPCVD
技术与高温氧化技术的合理运用
,
既保证了氧化层介质的致密性和与
SiC
晶片的粘附能力
,
又提高了器件的电性能和成品率
,
同时避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足
。
采用此技术后
,SiC
芯片的直流成品率得到提高
,
微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升
,
功率增益比原工艺提高了
1.5dB
左右
,
功率附加效率提升了近
10
％
。
[0005]公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术
。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种集成电路用超纯
TEOS
的水分杂质测试方法及检测设备，操作方便，操作效率高，有效实现了微量残留水的快速高效搞精度测定
。
[0007]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了集成电路用超纯
TEOS
的水分杂质测试方法，包括如下步骤：
[0008]A、
准备标准试剂，标准试剂中包括由标定浓度的碘和二氧化硫；准备至少包括电解电极
、
测试电极和电流检测设备的库伦检测装置以及滴定装置，电解电极
、
测试电极在工作状态下置于滴定装置中的溶液中，电解电极
、
测试电极至少在工作状态下电连接到电流检测设备；
[0009]B、
在滴定装置中加入适量甲醇，在工作状态下加入适量标准试剂至电流检测设备读数恒定，加入需要标定检测的试样，以标准试剂滴定至电流检测设备读数恒定，记录此时所消耗的标准试剂的体积为
V4
，据此计算得到水分含量
。
[0010]在本专利技术的一个或多个实施方式中，水分含量的计算采用如下公式：
[0011]T
＝
(V4
＊
T)/(m0
＊
10)
或
T
＝
(V4
＊
T)/(V0
＊
ρ
＊
10)
，其中：
[0012]M0
一一固体试样的质量
,
单位为克
(g)
；
[0013]V0
一一液体试样的体积
,
单位为毫升
(mL)
；
[0014]V4
一一测定时，消耗标准试剂的体积
,
单位为毫升
(mL)
；
.
[0015]ρ
一一液体试样的
20
度时密度
,
单位为克每毫升
(g/mL)
；
[0016]T
一一计算的标准试剂的滴定度
,
单位为毫克每毫升
(mg/mL)。
[0017]在本专利技术的一个或多个实施方式中，标准试剂由适量的碘溶于第一溶剂中后，再加入第二溶剂混匀，再溶解适量的二氧化硫得到
。
[0018]在本专利技术的一个或多个实施方式中，第一溶剂选自甲醇
、
乙二醇甲醚
。
[0019]在本专利技术的一个或多个实施方式中，第二溶剂选自吡啶
。
[0020]在本专利技术的一个或多个实施方式中，标准试剂在制备时所处的环境为低温环境
。
[0021]在本专利技术的一个或多个实施方式中，低温环境为冰水浴或冰盐浴或冰浴或干冰浴
。
[0022]在本专利技术的一个或多个实施方式中，电解电极和测试电极为铂电极
。
[0023]在本专利技术的一个或多个实施方式中，电流检测设备为电流表
。
[0024]在本专利技术的一个或多个实施方式中，检测设备，采用如权利要求1的集成电路用超纯
TEOS
的水分杂质测试方法，设备至少包括设置有电解电极
、
测试电极和电流检测设备的库伦检测装置以及滴定装置
。
[0025]与现有技术相比，根据本专利技术实施方式的集成电路用超纯
TEOS
的水分杂质测试方法及检测设备，以电解手段为辅助实现了对残留水分的高精度快速测定，在滴定过程中即可以同步完成反应与电解检测的同步，操作方便，操作效率高，有效实现了微量残留水的快速高效搞精度测定
。
具体实施方式
[0026]下面对本专利技术的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本专利技术的保护范围并不受具体实施方式的限制
。
[0027]除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分
。
[0028]当测定水分含量时，在存在甲醇和碱的情况下水会与碘
、
二氧化硫发生如下化学反应，其中
RN
是有机碱：
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种集成电路用超纯
TEOS
的水分杂质测试方法，包括如下步骤：
A、
准备标准试剂，所述标准试剂中包括由标定浓度的碘和二氧化硫；准备至少包括电解电极
、
测试电极和电流检测设备的库伦检测装置以及滴定装置，所述电解电极
、
测试电极在工作状态下置于所述滴定装置中的溶液中，所述电解电极
、
测试电极至少在工作状态下电连接到所述电流检测设备；
B、
在所述滴定装置中加入适量甲醇，在工作状态下加入适量标准试剂至电流检测设备读数恒定，加入需要标定检测的试样，以标准试剂滴定至电流检测设备读数恒定，记录此时所消耗的标准试剂的体积为
V4
，据此计算得到水分含量
。2.
如权利要求1所述的集成电路用超纯
TEOS
的水分杂质测试方法，其特征在于，所述水分含量的计算采用如下公式：
T
＝
(V4
＊
T)/(m0
＊
10)
或
T
＝
(V4
＊
T)/(V0
＊
ρ
＊
10)
，其中：
M0
一一固体试样的质量
,
单位为克
(g)
；
V0
一一液体试样的体积
,
单位为毫升
(mL)
；
V4
一一测定时，消耗标准试剂的体积
,
单位为毫升
(mL)
；
.
ρ
一一液体试样的
20
度...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙猛，孔超，齐相前，陶华，
申请(专利权)人：金宏气体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：