【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于特种气体,具体涉及一种去除一氧化氮中笑气和二氧化氮(去除no中n2o和no2)的方法。
技术介绍
1、一氧化氮被广泛用于化学工业、电子工业、航天工业、计量标准气、生命科学和医疗上。在半导体领域,一氧化氮也发挥着重要的作用。一氧化氮在半导体中的应用主要涉及到两个方面:表面处理和氮化物材料。
2、一氧化氮可用于半导体表面处理。在半导体制造过程中,为了改善半导体材料的质量和性能,需要对半导体表面进行处理。一氧化氮可以与半导体表面发生反应,形成一层氮化物薄膜。这种氮化物薄膜具有良好的化学稳定性和热稳定性,能够提高半导体材料的性能。此外,一氧化氮还能够改变半导体表面的能带结构,增强半导体表面的电子传输性能,从而提高半导体器件的性能。
3、一氧化氮在氮化物材料中的应用也非常重要。氮化物材料是一类具有优异性能的半导体材料,广泛应用于高功率电子器件、光电器件等领域。一氧化氮可以作为氮化物材料的生长辅助气体,通过与其他气体反应形成氮化物材料。这种氮化物材料具有优异的电学性能和光学性能,能够满足高性能半导体器件的需求。
4、除本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种去除NO中N2O和NO2的方法,其特征在于,所述方法是:将含有N2O和NO2的NO产品,依次经过一级吸收塔、二级吸收塔、吸附塔,去除NO中的N2O和NO2;其中,一级吸收塔的吸收液为乙醇、水、NaOH的混合溶液,二级吸收塔的吸收液为低温乙醇,吸附塔中装填的吸附剂为活性炭。
2.如权利要求1所述的去除NO中N2O和NO2的方法,其特征在于,按照质量分数,所述一级吸收塔吸收液的组成为:乙醇:75%~90%、H2O:5%~20%、NaOH:2%~10%。
3.如权利要求1所述的去除NO中N2O和NO2的方法,其特征在于,所述二级吸收塔吸收液为
...【技术特征摘要】
1.一种去除no中n2o和no2的方法,其特征在于,所述方法是:将含有n2o和no2的no产品,依次经过一级吸收塔、二级吸收塔、吸附塔,去除no中的n2o和no2;其中,一级吸收塔的吸收液为乙醇、水、naoh的混合溶液,二级吸收塔的吸收液为低温乙醇,吸附塔中装填的吸附剂为活性炭。
2.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:尚修娟,朱晓斌,孔超,许摇摇,孙猛,
申请(专利权)人:金宏气体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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