一种制造技术

本发明专利技术公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种MOS铝基板散热结构及充电机


[0001]本专利技术涉及电子产品散热
，特别涉及一种
MOS
铝基板散热结构及充电机
。

技术介绍

[0002]为了散热，
MOS
场效应晶体管通常设置在铝基板上，然后将铝基板固定贴合到翅片散热板或水冷板等散热模块的表面，进行降温
。
[0003]有的散热模块还同时为气体电子元件散热，受气体元件温度异常等因素的影响，散热模块有时温度也较高，不足以满足
MOS
的散热要求，甚至超过
MOS
场效应晶体管的温度，此时
MOS
铝基板不但不能得到有效的散热
。
当然，如果
MOS
场效应晶体管温度异常高温，也会通过散热模块的热传导影响其他部件的散热
。
但是，由于
MOS
铝基板与水冷模块固定连接在一起，不能分离，使得两者任何一个出现异常状况都会相互影响，从而造成器件的损坏
。

技术实现思路

[0004]为解决
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
MOS
铝基板散热结构，包括
MOS
铝基板
(1)
及散热模块
(2)
，其特征在于，所述
MOS
铝基板
(1)
与所述散热模块
(2)
表面通过间距调节机构连接，所述间距调节结构根据散热模块
(2)
的温度控制所述
MOS
铝基板
(1)
与所述散热模块
(2)
表面的间距
。2.
根据权利要求1所述的
MOS
铝基板散热结构，其特征在于，所述
MOS
铝基板
(1)
边侧具有阶梯部，所述间距调节机构包括连接所述
MOS
铝基板
(1)
的所述阶梯部与所述散热模块
(2)
表面之间的弹性复位件
(7)
，所述散热模块
(2)
上设置有磁性件，所述
MOS
铝基板
(1)
背面与散热模块
(2)
表面通过所述磁性件吸合，所述磁性件的居里温度不高于
MOS
铝基板
(1)
允许的最高警戒温度
。3.
根据权利要求2所述的
MOS
铝基板散热结构，其特征在于，所述散热模块
(2)
表面设置有卡槽，所述
MOS
铝基板
(1)
活动的插在所述卡槽内，所述卡槽包括左右两个相对的边侧卡条
(3)
及底部卡条
(4)。4.
根据权利要求3所述的
MOS
铝基板散热结构，其特征在于，左右两个所述边侧卡条
(3)
分别连通有风扇
(8)。5.
根据权利要求4所述的
MOS
铝基板散热结构，其特征在于，所述
MOS
铝基板
(1)
上设置有第一电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯颖盈，郭珏，蔡小辉，林泽锋，
申请(专利权)人：深圳威迈斯新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：