一种基于反铁磁磁畴翻转的磁随机存储器及读写方法技术

本发明专利技术公开了一种基于反铁磁磁畴翻转的磁随机存储器，包括反铁磁固定层

【技术实现步骤摘要】
一种基于反铁磁磁畴翻转的磁随机存储器及读写方法


[0001]本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种基于反铁磁磁畴翻转的磁随机存储器
。

技术介绍

[0002]随着计算机技术的迅猛发展，对存储器的需求不断增加
。
传统存储技术面临着面积
、
功耗和稳定性等方面的挑战
。
针对这些问题，磁性存储器作为一种非易失性存储器在信息存储领域具有重要地位
。
磁随机存储器
(MRAM)
是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器，它采用磁化的方向不同所导致的磁电阻不同来记录0和1，只要外部磁场不改变，磁化的方向就不会变化
。
不像动态随机存储器
(DRAM)
为了保持数据需电流不断流动，
MRAM
不需要刷新的操作
。
从原理上来看
。MRAM
的次数近乎无限次，片读取和写入速度接近静态随机存储器
(SRAM)。
[0003]然而，传统磁性存储器仍然存在一些局限性，首先，它的存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基于反铁磁磁畴翻转的磁随机存储器，包括反铁磁固定层
、
铁磁固定层
、
隔离层
、
铁磁自由层和反铁磁自由层；其特征在于，反铁磁固定层，反铁磁固定层位于结构的底层，其自旋方向是固定不变的；铁磁固定层，铁磁固定层与反铁磁固定层接触，铁磁固定层的自旋方向与反铁磁固定层相同；隔离层，隔离层为绝缘层，在测量纵向电流时，利用隧道磁电阻等效应放大纵向电阻值
R0和
R1的差别；铁磁自由层，铁磁自由层位于隔离层上方，铁磁自由层的自旋方向在外磁场的作用下自由翻转；反铁磁自由层，反铁磁自由层位于磁铁自由层上方，反铁磁自由层的自旋方向通过铁磁自由层与其的交换耦合作用来进行翻转；所述存储器通过热辅助磁畴翻转，降低所述反铁磁自由层中反铁磁磁畴的翻转势垒
。2.
如权利要求1所述的磁随机存储器，其特征在于，所述热辅助磁畴翻转通过施加近场激光实现，利用激光源头部尖端部分曲率半径小于
10nm
的超微型近场光光源，其光斑直径小于
20nm
，从而实现局域范围的热辅助效应，从而降低反铁磁磁畴的翻转需要克服的势垒
。3.
如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雨璐，王文翌，王福梅，
申请(专利权)人：苏州科晓电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：