一种制造技术

本发明专利技术公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET电路


[0001]本专利技术属于电子电路领域，特别涉及一种
MOSFET
电路
。

技术介绍

[0002]在
MOSFET
应用电路或模块中经常发生静电击穿现象，传统保护方式一般采用稳压管
、
电阻
、
瞬态抑制二极管
、PNP
三极管等方式进行电路防护
。
如附图1～3所示，利用稳压管
D1
将
MOSFET
栅极电压进行稳压，避免过压导致
MOSFET
击穿
。
图1和图2保护原理主要是通过稳压二极管及并联电阻对静电进行泄放，稳压二极管泄放时当静电电压高于稳压值时，稳压二极管通过稳压作用，将高出的电压通过稳压二极管释放，电阻并联稳压二极管后对于稳压前起到一定的保护作用；图3是通过
PNP
三极管让
ce
处于导通状态，在平时起到泄放通路的作用
。
[0003]这些保护方式在一定程度上具有防护效果，但是往往由于击穿电压
、
器件响应速度等影响，静电防护能力一般在
2000V
～
4000V。
如图1和图2静电防护能力主要决定于稳压二极管最大耐受能力，同时与
MOSFET
自身健壮性相关，因此防护能力有限；图3防护方法增加了
PNP
三极管，但同样受三极管自身最大耐受能力限制，因此增加的幅度有限
。r/>因此需要一种新型电路以实现对
MOSFET
有效地保护
。

技术实现思路

[0004]本专利技术在此的目的提供了一种
MOSFET
电路，该电路可以实现
MOSFET
栅源在产品不加电的情况下近似于短路保护状态，有效地防止静电对
MOSFET
器件造成损伤，当电路工作时，实现
MOSFET
栅源断开，
MOSFET
进入正常工作状态，从而实现产品的防护和应用
。
[0005]为此，本专利技术提供的
MOSFET
电路是这样的：
[0006]一种
MOSFET
电路，该电路实现了
MOSFET
栅源抗静电防护，包括
MOSFET
管
Q1
和常闭型器件，所述常闭型器件输出接所述
MOSFET
管
Q1
的栅源极，在所述
MOSFET
管
Q1
处于非工作状态时，所述常闭型器件输出端处于闭合状态使所述
MOSFET
管
Q1
的栅源处于短路保护状态；在所述
MOSFET
管
Q1
处于工作状态时，所述常闭型器件输出端处于断开状态使所述
MOSFET
管
Q1
正常工作
。
[0007]该电路采用常闭型器件作为
MOSFET
栅源保护器件，实现了
MOSFET
栅源在产品不加电的情况下近似于短路保护状态，保证
MOSFET
栅源电压不会受损坏，有效地防止静电对
MOSFET
器件造成损伤；当电路正常上电时，常闭器件接受信号后常闭端断开，
MOSFET
栅源间成为高阻模式，实现
MOSFET
栅源断开，
MOSFET
进入正常工作状态，
MOSFET
可以正常开启，实现了产品的防护和应用
。
[0008]作为本技术方案的改进，该电路还包括电阻元件，所述电阻元件被与所述
MOSFET
管
Q1
的栅极串联用于所述
MOSFET
管
Q1
处于工作状态时的静电保护
。
[0009]作为本技术方案的改进，在以上技术方案的基础上，该电路还包括稳压器件，所述稳压器件被连接于所述
MOSFET
管
Q1
的栅极和电路地之间用于所述
MOSFET
管
Q1
处于工作状
态时的过压保护
。
[0010]本专利技术的有益效果：本电路采用常闭型器件作为
MOSFET
栅源保护器件，实现了
MOSFET
栅源始终处于短路状态，保证
MOSFET
栅源电压不会受损坏；当电路正常上电时，常闭器件接受信号后常闭端断开，
MOSFET
栅源间成为高阻模式，
MOSFET
可以正常开启，开启后
MOSFET
可以通过电阻元件
、
稳压器件等进行带电后的防护，实现了该类器件在整个应用环境下的全防护
。
[0011]采用常闭型器件作为
MOSFET
栅源保护器件，常闭型器件因为不带电时为闭合状态，相当于将
MOSFET
栅源两级短路，因此
MOSFET
不会出现因栅源电压过高导致击穿，从而产生防护作用，使
MOSFET
栅源抗静电能力可达
8000V
以上
。
附图说明
[0012]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理
。
显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
在附图中：
[0013]图1‑
图3为本专利技术记载的现有技术中
MOSFET
保护电路原理图；
[0014]图4‑
图6为本专利技术提供的单支
MOSFET
应用时电路原理图；
[0015]图7‑
图9为本专利技术提供的两支
MOSFET
反向串联应用时电路原理图；
[0016]图
10
‑
图
12
为本专利技术提供的多支
MOSFET
并联应用时电路原理图
。
具体实施方式
[0017]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式
。
然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得专利技术将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员
。
[0018]本专利技术提供的
MOSFET
电路，其显著特点是该电路通过常闭型器件实现
MOSFET
栅源在电路不加电的情况下近似于短路保护状态，可以有效地防止静电对<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
MOSFET
电路，其特征在于，该电路实现了
MOSFET
栅源抗静电防护，包括
MOSFET
管
Q1
和常闭型器件，所述常闭型器件输出接所述
MOSFET
管
Q1
的栅源极，在所述
MOSFET
管
Q1
处于非工作状态时，所述常闭型器件输出端处于闭合状态使所述
MOSFET
管
Q1
的栅源处于短路保护状态；在所述
MOSFET
管
Q1
处于工作状态时，所述常闭型器件输出端处于断开状态使所述
MOSFET
管
Q1
正常工作
。2.
根据权利要求1所述的
MOSFET
电路，其特征在于，还包括电阻元件，所述电阻元件被与所述
MOSFET
管
Q1
的栅极串联用于所述
MOSFET
管
Q1
处于工作状态时的静电保护
。3.
根据权利要求2所述的
MOSFET
电路，其特征在于，所述
MOSFET
管
Q1
被配置为两个，两个
MOSFET
管
Q1
反串联；每个
MOSFET
管
Q1
的栅源极均接所述常闭型器件输出，且每个
MOSFET
管
Q1
的栅极均串联有电阻元件
。4.
根据权利要求2或3所述的
MOSFET
电路，其特征在于，所述
MOSFET
管
Q1
被配置为多个，每个
MOSFET
管
Q1
的栅源极均接所述常闭型器件输出，且每个
MOSFET
管

【专利技术属性】
技术研发人员：闫军政，郭建章，刘理想，
申请(专利权)人：贵州振华群英电器有限公司国营第八九一厂，
类型：发明
国别省市：