一种晶元用的表面微蚀剂制造技术

技术编号:39642600 阅读:5 留言:0更新日期:2023-12-09 11:10
本发明专利技术公开了一种晶元用的表面微蚀剂,包括由酸性物质

【技术实现步骤摘要】
一种晶元用的表面微蚀剂


[0001]本专利技术涉及微蚀剂
,具体涉及一种晶元用的表面微蚀剂


技术介绍

[0002]印制电路板,又称为印刷电路板,是电子元器件电气连接的提供者

而随着电子产品向着更加轻



薄的方向发展,
PCB
也要求向更加高密度

微细化的方向发展

而高密度

微细化的印刷线路板要求
PCB
线路更加微细化,而线路的微细化与表面铜厚息息相关,铜厚越厚,就越难实现制作更精细化的线路

[0003]目前技术中,对于
PCB
精细线路的制作多在线路层压合之后,采用减铜工艺减薄多层板表面的铜层,但是使用普通微蚀剂减铜后,会出现微蚀太深的情况,不仅增加药品的消耗,更严重的还会造成蚀铜过度甚至孔壁空洞,且微蚀后的清洁较为麻烦,易出现残留的情况


技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种晶元用的表面微蚀剂,能更好的控制微蚀的深浅度,并能更好的带走微蚀剂,降低残留在电路板上的量,方便了清洁

[0005]本专利技术是通过以下技术方案来实现的:一种晶元用的表面微蚀剂,包括由酸性物质

腐蚀剂

活性剂

缓冲剂

电子氟化液和托底剂组成的微蚀剂

[0006]作为优选的技术方案,酸性物质2‑
10g/L、
腐蚀剂
20

40g/L、
活性剂4‑
8g/L、
缓冲剂2‑
12g/L、
稳定剂
10

20g/L、
托底剂适量

[0007]作为优选的技术方案,托底剂包括乙氧基化烷基硫酸钠
11


烷基糖昔8%

脂肪醇聚氧乙烯醚3%

椰油酷胺两基甜菜碱5%

乙二胺四乙酸二钠
0.1


[0008]作为优选的技术方案,酸性物质为硝酸

盐酸和磷酸中的至少一种

[0009]作为优选的技术方案,腐蚀剂为氯化铁

氯化铜

氯化锌中的至少一种

[0010]作为优选的技术方案,活性剂为对苯二酚

对苯醌

二叔丁基对甲酚

四甲基哌啶氧化物中的至少一种

[0011]作为优选的技术方案,缓冲剂为重铬酸钾

亚硝酸钠

硝酸钠

高锰酸钾

聚磷酸盐

硅酸盐中的至少一种

[0012]作为优选的技术方案,稳定剂为柠檬酸

对苯二酚

对苯醌

二叔丁基对甲酚

四甲基哌啶氧化物中的至少一种

[0013]作为优选的技术方案,微蚀剂制备步骤:
S1.
备好反应釜

加温设备

搅拌装置,并将酸性物质

腐蚀剂

活性剂

缓冲剂

稳定剂导入反应釜中;
S2.
在上述物料进入后,导入去离子水,并通过加温设备和搅拌装置对去离子水和内部的物料进行加热搅拌混合,得到预制微蚀剂;
S3.
在预制微蚀剂成型后,导入适量的托底剂,并再次的通过搅拌装置混合,得到
最终微蚀剂,且通过加热设备能对制成的微蚀剂进行保温存储

[0014]本专利技术的有益效果是:本专利技术结构简单,托底剂和电子氟化液沉于微蚀剂底部,从而降低了微蚀剂与电路板的接触面积,且通过电子氟化液加入的量能控制接触面积,能更好的进行微蚀操作,并且托底剂具有清洁和润滑的功能,能更好的从电路板上除去,也能更好的带走微蚀剂,方便了后续的清洁

实施方式
[0015]本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥的特征和
/
或步骤以外,均可以以任何方式组合

实施例
[0016]本专利技术的一种晶元用的表面微蚀剂,原材料由以下成分组成:酸性物质2‑
10g/L、
腐蚀剂
20

40g/L、
活性剂4‑
8g/L、
缓冲剂2‑
12g/L、
稳定剂
10

20g/L、
电子氟化液
10

20g/L、
托底剂5‑
15g/L。
[0017]本实施例中,托底剂包括乙氧基化烷基硫酸钠
11


烷基糖昔8%

脂肪醇聚氧乙烯醚3%

椰油酷胺两基甜菜碱5%

乙二胺四乙酸二钠
0.1
%,添加适量的托底剂能降低微蚀剂与电路板的接触面积,能将底部的微蚀剂挤开,从而能更好的控制微蚀剂的分布区域

[0018]本实施例中,酸性物质为硝酸

盐酸和磷酸中的至少一种

[0019]本实施例中,腐蚀剂为氯化铁

氯化铜

氯化锌中的至少一种

[0020]本实施例中,活性剂为对苯二酚

对苯醌

二叔丁基对甲酚

四甲基哌啶氧化物中的至少一种

[0021]本实施例中,缓冲剂为重铬酸钾

亚硝酸钠

硝酸钠

高锰酸钾

聚磷酸盐

硅酸盐中的至少一种,添加适量的所述缓蚀剂,可减缓减微蚀剂蚀刻铜的速度

[0022]本实施例中,稳定剂为柠檬酸

对苯二酚

对苯醌

二叔丁基对甲酚

四甲基哌啶氧化物中的至少一种,添加适量的所述稳定剂,能够显著抑制微蚀剂中过氧化氢的自分解,提高本专利技术微蚀剂的使用稳定性和延长保质期

[0023]制备步骤如下:
S1.
备好反应釜

加温设备

搅拌装置,并将酸性物质

腐蚀剂

活性剂

缓冲剂

稳定剂导入反应釜中;...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶元用的表面微蚀剂,其特征在于:包括由酸性物质

腐蚀剂

活性剂

缓冲剂

稳定剂

电子氟化液和托底剂组成的微蚀剂
。2.
根据权利要求1所述的晶元用的表面微蚀剂,其特征在于:酸性物质2‑
10g/L、
腐蚀剂
20

40g/L、
活性剂4‑
8g/L、
缓冲剂2‑
12g/L、
稳定剂
10

20g/L、
托底剂适量
。3.
根据权利要求1所述的晶元用的表面微蚀剂,其特征在于:托底剂包括乙氧基化烷基硫酸钠
11


烷基糖昔8%

脂肪醇聚氧乙烯醚3%

椰油酷胺两基甜菜碱5%

乙二胺四乙酸二钠
0.1

。4.
根据权利要求1所述的晶元用的表面微蚀剂,其特征在于:酸性物质为硝酸

盐酸和磷酸中的至少一种
。5.
根据权利要求1所述的晶元用的表面微蚀剂,其特征在于:腐蚀剂为氯化铁

氯化铜

氯化锌中的至少一种
。6.
根据权利要求1所述的晶元用的表面微...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨源洪
申请(专利权)人:深圳市洪荣昌科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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