一种采用电流感应的升降机构限位控制电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种采用电流感应的升降机构限位控制电路，其技术方案的要点是：包括有电源接入端和电机，在电源接入端和电机之间设有电机正转电路和电机反转电路，电机正转电路主要包括有取样电阻R1、可控硅VT1、电容C1和MOS管Q1，电机反转电路主要包括有取样电阻R2、可控硅VT2、电容C2和MOS管Q2，电机反转电路中的电子器件与电机正转电路中电子器件的连接相对应；本实用新型专利技术升降机构限位控制电路反应灵敏，限位灵活，能够在异常情况下及时停止电机的运行，从而有效防止烧毁电机或损坏升降装置，大大提高了升降机构的安全性。大大提高了升降机构的安全性。大大提高了升降机构的安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种采用电流感应的升降机构限位控制电路


[0001]本技术涉及升降机构限位控制领域，特别涉及一种采用电流感应的升降机构限位控制电路。

技术介绍

[0002]在现有的升降茶几、升降桌等产品的升降机构中，其升降限位控制机制多采用触碰开关进行限位，只有当升降装置运行到触碰开关所在的位置时，驱动电机才会停止运行，这种限位控制机制非常死板，不具备应急停止的功能，若在升降过程中卡住异物，很容易烧毁电机或损坏升降装置，具有较大的安全隐患。

技术实现思路

[0003]为了解决现有升降机构限位控制机制不够灵活，不具备应急停止功能的缺陷，本技术提供了一种采用电流感应的升降机构限位控制电路。
[0004]本技术是通过以下技术方案实现的：
[0005]一种采用电流感应的升降机构限位控制电路，其特征在于：包括有电源接入端和电机，所述电源接入端分别为电源接入端P1和电源接入端P2，在所述电源接入端和所述电机之间设有电机正转电路和电机反转电路，所述电机正转电路主要包括有取样电阻R1、可控硅VT1、电容C1和MOS管Q1，取样电阻R1、MOS管Q1的漏极D和源极S与所述电机串联，可控硅VT1的阳极A和阴极K分别与MOS管Q1的栅极G和源极S并联，可控硅VT1的栅极G和阴极K与取样电阻R1并联，电容C1的两端分别与可控硅VT1的栅极G和阴极K电连接，所述电机反转电路主要包括有取样电阻R2、可控硅VT2、电容C2和MOS管Q2，所述电机反转电路中的电子器件与所述电机正转电路中电子器件的连接相对应，所述电机的两端分别与二极管D5、二极管D6的负极电连接，二极管D5的正极串联取样电阻R1后与电源接入端P1电连接，二极管D6的正极串联取样电阻R2后与电源接入端P2电连接。
[0006]如上所述的采用电流感应的升降机构限位控制电路，其特征在于：MOS管Q1的漏极D与所述电机的一端及二极管D5的负极电连接，MOS管Q1的源极S与取样电阻R1的一端及二极管D5的正极电连接，电源接入端P2串联电阻R3后分别与MOS管Q1的栅极G、可控硅VT1的阳极A电连接，可控硅VT1的阴极K串联电阻R12后与二极管D3的负极电连接，二极管D3的正极与MOS管Q1的源极S电连接，可控硅VT1的栅极G与电源接入端P1电连接，电阻R10与电容C1并联，电阻R10的一端与电阻R12及可控硅VT1的阴极K电连接，电阻R10的另一端与电源接入端P1及二极管D1的正极电连接，二极管D1的负极与电阻R3的一端及可控硅VT1的阳极A电连接。
[0007]如上所述的采用电流感应的升降机构限位控制电路，其特征在于：MOS管Q2的漏极D与所述电机的一端及二极管D6的负极电连接，MOS管Q2的源极S与取样电阻R2的一端及二极管D6的正极电连接，电源接入端P1串联电阻R4后分别与MOS管Q2的栅极G、可控硅VT2的阳极A电连接，可控硅VT2的阴极K串联电阻R11后与二极管D4的负极电连接，二极管D4的正极
与MOS管Q2的源极S电连接，可控硅VT2的栅极G与电源接入端P2电连接，电容C2的一端与电阻R11的一端及可控硅VT2的阴极K电连接，电容C2的另一端与可控硅VT2的栅极G及电源接入端P2电连接，电阻R7与电容C2并联，电阻R7的一端与电阻R11及可控硅VT2的阴极K电连接，电阻R7的另一端与电源接入端P2及二极管D2的正极电连接，二极管D2的负极与电阻R4的一端及可控硅VT2的阳极A电连接。
[0008]如上所述的采用电流感应的升降机构限位控制电路，其特征在于：在所述电机正转电路和所述电机反转电路内设有用于分别调控可控硅VT1和可控硅VT2触发电流大小的第一档位调节电路和第二档位调节电路。
[0009]如上所述的采用电流感应的升降机构限位控制电路，其特征在于：所述第一档位调节电路包括有分流电阻R8和分流电阻R9，分流电阻R8和分流电阻R9均与电阻R10并联，所述第二档位调节电路包括有分流电阻R5和分流电阻R6，分流电阻R5和分流电阻R6均与电阻R7并联。
[0010]如上所述的采用电流感应的升降机构限位控制电路，其特征在于：在所述电机的两端并联有用于显示所述电机正反转状态的升降指示灯电路，所述升降指示灯电路包括有分压电阻R14、用于指示所述电机正转的发光二极管D9及用于指示所述电机反转的发光二极管D10，发光二极管D9与发光二极管D10并联且反接。
[0011]如上所述的采用电流感应的升降机构限位控制电路，其特征在于：在所述电机的两端还并联有用于外接指示灯模块的备用焊点接口。
[0012]如上所述的采用电流感应的升降机构限位控制电路，其特征在于：在MOS管Q1的栅极G和源极S之间并联有用于保护MOS管Q1的稳压二极管D7，稳压二极管D7的正极与MOS管Q1的源极S电连接，稳压二极管D7的负极与MOS管Q1的栅极G电连接，在MOS管Q2的栅极G和源极S之间并联有用于保护MOS管Q2的稳压二极管D8，稳压二极管D8的正极与MOS管Q2的源极S电连接，稳压二极管D8的负极与MOS管Q2的栅极G电连接。
[0013]如上所述的采用电流感应的升降机构限位控制电路，其特征在于：MOS管Q1和MOS管Q2均为大功率MOS管，其额定电流不小于20A，额定电压不小于60V，所述电源接入端的输入电压范围为6V～36V。
[0014]如上所述的采用电流感应的升降机构限位控制电路，其特征在于：所述电机为能够正反转的直流电机。
[0015]与现有技术相比，本技术具有以下优点：
[0016]1、本技术采用电流感应的升降机构限位控制电路，在升降机构正常升降的过程中，电机正常运转；当电机处于正常正转状态时，电源接入端P2为正极，电源接入端P1为负极，电机正转电路中MOS管Q1的栅极G处于高电平状态，MOS管Q1导通，流经电机和取样电阻R1的电流处于正常状态，从可控硅VT1的阴极K流向可控硅VT1栅极G的电流小于可控硅VT1的触发阈值，可控硅VT1不会被触发，处于断开状态；当升降机构运行到指定的限位位置，或者在升降过程中卡住异物时，电机的运转会受到较大的阻力，此时，流经电机和取样电阻R1的电流增大，同时，从可控硅VT1的阴极K流向可控硅VT1栅极G的电流增大，当流经可控硅VT1的电流达到触发阈值时，可控硅VT1导通形成回路，此时，MOS管Q1的栅极G处于低电平状态，MOS管Q1断开，电机停止运转；当电源接入端断电后，该升降机构限位控制电路回复到初始状态；同理，当电机处于正常反转状态时，电源接入端P1为正极，电源接入端P2为负
极，电机反转电路的运行过程与上述电机正转电路等同；相比较于现有的采用触碰开关进行限位的升降机构限位控制机制，该升降机构限位控制电路反应灵敏，限位灵活，能够在异常情况下及时停止电机的运行，防止烧毁电机或损坏升降装置，大大提高了升降机构的安全性。
[0017]2、本技术采用电流感应的升降机构限位控制电路，设有第一档位调节电路和第二档位调节电路，能够分别对流经可控硅VT本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用电流感应的升降机构限位控制电路，其特征在于：包括有电源接入端(1)和电机(2)，所述电源接入端(1)分别为电源接入端P1和电源接入端P2，在所述电源接入端(1)和所述电机(2)之间设有电机正转电路(3)和电机反转电路(4)，所述电机正转电路(3)主要包括有取样电阻R1、可控硅VT1、电容C1和MOS管Q1，取样电阻R1、MOS管Q1的漏极D和源极S与所述电机(2)串联，可控硅VT1的阳极A和阴极K分别与MOS管Q1的栅极G和源极S并联，可控硅VT1的栅极G和阴极K与取样电阻R1并联，电容C1的两端分别与可控硅VT1的栅极G和阴极K电连接，所述电机反转电路(4)主要包括有取样电阻R2、可控硅VT2、电容C2和MOS管Q2，所述电机反转电路(4)中的电子器件与所述电机正转电路(3)中电子器件的连接相对应，所述电机(2)的两端分别与二极管D5、二极管D6的负极电连接，二极管D5的正极串联取样电阻R1后与电源接入端P1电连接，二极管D6的正极串联取样电阻R2后与电源接入端P2电连接。2.根据权利要求1所述的采用电流感应的升降机构限位控制电路，其特征在于：MOS管Q1的漏极D与所述电机(2)的一端及二极管D5的负极电连接，MOS管Q1的源极S与取样电阻R1的一端及二极管D5的正极电连接，电源接入端P2串联电阻R3后分别与MOS管Q1的栅极G、可控硅VT1的阳极A电连接，可控硅VT1的阴极K串联电阻R12后与二极管D3的负极电连接，二极管D3的正极与MOS管Q1的源极S电连接，可控硅VT1的栅极G与电源接入端P1电连接，电阻R10与电容C1并联，电阻R10的一端与电阻R12及可控硅VT1的阴极K电连接，电阻R10的另一端与电源接入端P1及二极管D1的正极电连接，二极管D1的负极与电阻R3的一端及可控硅VT1的阳极A电连接。3.根据权利要求2所述的采用电流感应的升降机构限位控制电路，其特征在于：MOS管Q2的漏极D与所述电机(2)的一端及二极管D6的负极电连接，MOS管Q2的源极S与取样电阻R2的一端及二极管D6的正极电连接，电源接入端P1串联电阻R4后分别与MOS管Q2的栅极G、可控硅VT2的阳极A电连接，可控硅VT2的阴极K串联电阻R11后与二极管D4的负极电连接，二极管D4的正极与MOS管Q2的源极S电连接，可控硅VT2的栅极G与电源接入端P2电连接，电容C2的一端与电阻R11的一端及可控硅VT2的阴极K电连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小荣，
申请(专利权)人：佛山市喜多多智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：