一种DFN封装半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种DFN封装半导体器件，包括环氧封装体以及位于所述环氧封装体内部的芯片，所述芯片左右两侧分别设有左引脚与右引脚，所述左引脚与所述右引脚两者均贯穿至所述环氧封装体的外侧，所述芯片的外侧设有第一散热件，所述第一散热件的外侧设有第二散热件，所述芯片与所述第一散热件之间设有第一银浆层，所述第一散热件与所述第二散热件之间设有第二银浆层，所述环氧封装体内部设有铝金材料制成的辅助散热腔。有益效果：通过第一银浆层与第二银浆层的设计，从而可以增大芯片的散热效率与散热面积，进而有效的增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也提高了器件的强度和可靠性并延长了芯片的使用寿命。命。命。

【技术实现步骤摘要】
一种DFN封装半导体器件


[0001]本技术涉及半导体
，具体来说，涉及一种DFN封装半导体器件。

技术介绍

[0002]DFN是一种最新的电子封装工艺.采用先进的双边扁平无铅封装。DFN平台是最新的表面贴装封装技术。印刷电路板的安装垫、阻焊层和模板样式设计以及组装过程，都需要遵循相应的原则。DFN平台具有多功能性，可以让一个或多个半导体器件在无铅封装内连接。
[0003]现有的芯片的DFN封装结构，其通过设置散热区，然后通过散热区将芯片上的热量导出散热。然而现有技术中散热区主要通过与外界的环境接触进行散热，但是其与外界接触的面积有限，因此散热性能较为一般
[0004]针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现思路

[0005]针对相关技术中的问题，本技术提出一种DFN封装半导体器件，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
[0006]为此，本技术采用的具体技术方案如下：
[0007]一种DFN封装半导体器件，包括环氧封装体以及位于所述环氧封装体内部的芯片，所述芯片左右两侧分别设有左引脚与右引脚，所述左引脚与所述右引脚两者均贯穿至所述环氧封装体的外侧，所述芯片的外侧设有第一散热件，所述第一散热件的外侧设有第二散热件，所述芯片与所述第一散热件之间设有第一银浆层，所述第一散热件与所述第二散热件之间设有第二银浆层，所述环氧封装体内部设有铝金材料制成的辅助散热腔，所述辅助散热腔内部设有辅助散热件，所述辅助散热件内部设有银质散热块，所述银质散热块与所述第一银浆层与所述第二银浆层两者之间通过银质连接件连接。
[0008]作为优选，所述第一散热件与所述第二散热件两者均由侧边散热架一、侧边散热架二以及顶部散热架三者组成，且三者通过内嵌卡块卡接在一起。
[0009]作为优选，所述第一散热件由铝金属材料制成，所述第二散热件由铜金属材料制成。
[0010]作为优选，所述第一散热件与所述第二散热件两者上分别开设与所述左引脚与所述右引脚两者相配合的通孔，两个所述通孔分别与所述左引脚、所述右引脚两者之间通过所述环氧封装体绝缘隔离。
[0011]作为优选，所述第一银浆层与所述第二银浆层两者连通，所述第一散热件与所述第二散热件两者上均开设有供所述第一银浆层与所述第二银浆层两者连通的若干个连通孔。
[0012]本技术的有益效果为：通过第一银浆层与第二银浆层的设计，从而可以增大芯片的散热效率与散热面积，进而有效的增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热
的速度，也提高了器件的强度和可靠性并延长了芯片的使用寿命；同时，当芯片产生的热量过大时，多余的热量会通过银质连接件快速传递给银质散热块，银质散热块将热量传递给辅助散热件。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1是根据本技术实施例的一种DFN封装半导体器件的总结构示意图；
[0015]图2是根据本技术实施例的一种DFN封装半导体器件的散热件结构示意图。
[0016]图中：
[0017]1、环氧封装体；2、芯片；3、左引脚；4、右引脚；5、第一银浆层；6、第一散热件；7、第二银浆层；8、第二散热件；9、辅助散热腔；10、辅助散热件；11、银质散热块；12、银质连接件；13、侧边散热架一；14、侧边散热架二；15、顶部散热架；16、连通孔。
具体实施方式
[0018]为进一步说明各实施例，本技术提供有附图，这些附图为本技术揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理，配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本技术的优点，图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
[0019]根据本技术的实施例，提供了一种DFN封装半导体器件。
[0020]实施例一，如图1
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2所示，根据本技术实施例的一种DFN封装半导体器件，包括环氧封装体1以及位于所述环氧封装体1内部的芯片2，所述芯片2左右两侧分别设有左引脚3与右引脚4，所述左引脚3与所述右引脚4两者均贯穿至所述环氧封装体1的外侧，所述芯片2的外侧设有第一散热件6，所述第一散热件6的外侧设有第二散热件8，所述芯片2与所述第一散热件6之间设有第一银浆层5，所述第一散热件6与所述第二散热件8之间设有第二银浆层7，所述环氧封装体1内部设有铝金材料制成的辅助散热腔9，所述辅助散热腔9内部设有辅助散热件10，所述辅助散热件10内部设有银质散热块11，所述银质散热块11与所述第一银浆层5与所述第二银浆层7两者之间通过银质连接件12连接。
[0021]实施例二，如图1
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2所示，根据本技术实施例的一种DFN封装半导体器件，包括环氧封装体1以及位于所述环氧封装体1内部的芯片2，所述芯片2左右两侧分别设有左引脚3与右引脚4，所述左引脚3与所述右引脚4两者均贯穿至所述环氧封装体1的外侧，所述芯片2的外侧设有第一散热件6，所述第一散热件6的外侧设有第二散热件8，所述芯片2与所述第一散热件6之间设有第一银浆层5，所述第一散热件6与所述第二散热件8之间设有第二银浆层7，所述环氧封装体1内部设有铝金材料制成的辅助散热腔9，所述辅助散热腔9内部设有辅助散热件10，所述辅助散热件10内部设有银质散热块11，所述银质散热块11与所述第一银浆层5与所述第二银浆层7两者之间通过银质连接件12连接，所述第一散热件6与所述第二散热件8两者均由侧边散热架一13、侧边散热架二14以及顶部散热架15三者组成，且三
者通过内嵌卡块卡接在一起，所述第一散热件6由铝金属材料制成，所述第二散热件8由铜金属材料制成，所述第一散热件6与所述第二散热件8两者上分别开设与所述左引脚3与所述右引脚4两者相配合的通孔，两个所述通孔分别与所述左引脚3、所述右引脚4两者之间通过所述环氧封装体1绝缘隔离。从上述的设计不难看出，通过两个通孔分别与左引脚3、右引脚4两者之间通过环氧封装体1绝缘隔离的设计，加快了散热的速度，也提高了器件的强度和可靠性并延长了芯片的使用寿命。
[0022]实施例三，如图1
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2所示，根据本技术实施例的一种DFN封装半导体器件，包括环氧封装体1以及位于所述环氧封装体1内部的芯片2，所述芯片2左右两侧分别设有左引脚3与右引脚4，所述左引脚3与所述右引脚4两者均贯穿至所述环氧封装体1的外侧，所述芯片2的外侧设有第一散热件6，所述第一散热件6的外侧设有第二散热件8，所述芯片2与所述第一散热件6之间设有第一银浆层5，所述第一散热件6与所述第二散热件8之间设有第二银浆层7，所述环氧封装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DFN封装半导体器件，包括环氧封装体（1）以及位于所述环氧封装体（1）内部的芯片（2），所述芯片（2）左右两侧分别设有左引脚（3）与右引脚（4），所述左引脚（3）与所述右引脚（4）两者均贯穿至所述环氧封装体（1）的外侧，其特征在于，所述芯片（2）的外侧设有第一散热件（6），所述第一散热件（6）的外侧设有第二散热件（8），所述芯片（2）与所述第一散热件（6）之间设有第一银浆层（5），所述第一散热件（6）与所述第二散热件（8）之间设有第二银浆层（7），所述环氧封装体（1）内部设有铝金材料制成的辅助散热腔（9），所述辅助散热腔（9）内部设有辅助散热件（10），所述辅助散热件（10）内部设有银质散热块（11），所述银质散热块（11）与所述第一银浆层（5）与所述第二银浆层（7）两者之间通过银质连接件（12）连接。2.根据权利要求1所述的一种DFN封装半导体器件，其特征在于，所述第一散热件（6...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨琦，
申请(专利权)人：嘉兴联康沃源科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：