【技术实现步骤摘要】
一种适用于尾气处理设备的导流装置
[0001]本申请涉及尾气处理
,尤其是涉及一种适用于尾气处理设备的导流装置
。
技术介绍
[0002]EPI
外延工艺即硅外延工艺,是指在适合的晶体底层上使单个晶体半导体薄膜生长
。
在硅外延工艺过程中,会使用到大量
TCS(
化学式为
SiHCl3)、HCl、H2
和
ppm
浓度级别的
PH3
或
B2H6
等气体,工艺实际反应率
<20
%,大量的
TCS
气体会被作为工艺尾气排出,这些有毒有害气体必须经过合适的尾气处理并处理达标后才能排入大气
。
[0003]相关技术中,尾气处理设备包括进气装置和反应装置,反应装置包括第一水解箱
、
第二水解箱和第三水解箱,第一水解箱
、
第二水解箱和第三水解箱三者底部均连通
。
第一水解箱底部连通有回水管,使反应装置内充满水,尾气通过进气装置首先由底部进入第一水解箱内发生反应,由于
TCS
与水反应生成
SiO2
颗粒结晶物和
HCl
气体等,
HCl
能溶于水被有效吸收处理,
SiO2
颗粒结晶物在第一水解箱内形成悬浮液;第二水解箱内设有喷淋管,剩余气体逐渐上升通过顶部进入第二水解箱内,尾气进入后重复反应,而后剩余尾气继续移动进入第三 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种适用于尾气处理设备的导流装置,其特征在于,包括:水解组件
(7)
,所述水解组件
(7)
包括第一水解箱
(1)、
第二水解箱
(2)
和第三水解箱
(3)
,所述第一水解箱
(1)、
第二水解箱
(2)
和第三水解箱
(3)
依次连通,所述第一水解箱
(1)
上连通有回水管
(12)
;尾气通入管
(11)
,所述尾气通入管
(11)
与第一水解箱
(1)
连通;喷淋管
(221)
,所述喷淋管
(221)
设于第二水解箱
(2)
的箱顶壁上,所述喷淋管
(221)
为文丘里管;导向组件
(4)
,所述导向组件
(4)
设于第二水解箱
(2)
底部,所述导向组件
(4)
用于将第二水解箱
(2)
内的悬浊液引导至第三水解箱
(3)
内
。2.
根据权利要求1所述的一种适用于尾气处理设备的导流装置,其特征在于:所述导向组件
(4)
包括承接管
(41)
,所述承接管
(41)
设于第二水解箱
(2)
的底部,所述承接管
(41)
内承装有水,所述承接管
(41)
与喷淋管
(221)
连通
。3.
根据权利要求2所述的一种适用于尾气处理设备的导流装置,其特征在于:所述承接管
(41)
的侧壁开设有溢流孔
(42)。4.
根据权利要求3所述的一种适用于尾气处理设备的导流装置,其特征在于:所述导向组件
(4)
还包括导流板
(43)
,所述导流板
(43)
设于承接管
(41)
侧壁且位于溢流孔
(42)
的孔壁一侧,所述导流...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈逵,金大正,
申请(专利权)人:常州诚鉺正环保技术有限公司,
类型:新型
国别省市:
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