粘接剂组合物制造技术

本发明专利技术提供一种粘接剂组合物，该粘接剂组合物提供粘接层，该粘接层能够适当地临时粘接带凸块的半导体基板和支承基板，能抑制或缓和由加热等来自外部的负荷引起的凸块变形，表现高蚀刻速率

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法、以及半导体基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及粘接剂组合物
、
层叠体
、
层叠体的制造方法
、
以及半导体基板的制造方法
。

技术介绍

[0002]就以往在二维的平面方向上集成而得的半导体晶圆而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步向三维方向集成
(
层叠
)
的半导体集成技术
。
该三维层叠是通过硅穿孔电极
(TSV
：
through silicon via(
硅穿孔
))
进行接线，并且集成为多层的技术
。
在集成为多层时，利用研磨使待集成的各个晶圆的与所形成的电路面相反一侧
(
即背面
)
薄化，层叠经薄化的半导体晶圆
。
[0003]薄化前的半导体晶圆
(
在此也简称为晶圆
)
为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体
。
[0004]此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接
。
该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当对拆卸施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶圆被切断或发生变形，以防止这样的情况发生的方式容易拆卸
。
但是，在半导体晶圆的背面研磨时，因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的
。
因此，对于临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，在研磨后容易拆卸
。
[0005]例如，追求下述性能：相对于研磨时的平面方向具有高应力
(
强粘接力
)
，相对于拆卸时的纵向具有低应力
(
弱粘接力
)。
[0006]在上述的状况下，作为能实现这样的临时粘接的粘接剂组合物，专利技术人等报告了一种粘接剂组合物，其一并包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分和聚二甲基硅氧烷等成分
(
例如参照专利文献
1、2)。
[0007]另一方面，半导体晶圆经由例如由金属的导电性材料构成的凸块球
(bump ball)
与半导体芯片电连接，通过使用这样的具备凸块球的芯片，谋求半导体封装的小型化
。
[0008]关于这一点，由铜
、
锡这样的金属构成的凸块球有时由于在加工半导体基板的过程等中施加的加热
、
压力等来自外部的负荷而损伤或变形，随着近来半导体领域的进展，往往要求能减轻或防止由这样的加热
、
压力引起的变形的技术
。
[0009]此外，半导体晶圆与支承体被剥离后，半导体晶圆上残留的粘接层例如通过使用了清洗剂组合物
(
清洗液
)
的湿蚀刻而被溶解去除，此时，期望粘接层表现高溶解去除速度，即高蚀刻速率
。
[0010]现有技术文献
[0011]专利文献
[0012]专利文献1：国际公开第
2017/221772
号
[0013]专利文献2：国际公开第
2018/216732
号

技术实现思路

[0014]专利技术所要解决的问题
[0015]本专利技术是鉴于上述的状况而完成的，其目的在于，提供一种粘接剂组合物，上述粘接剂组合物提供粘接层，该粘接层能够适当地临时粘接带凸块的半导体基板和支承基板，能抑制或缓和由加热等来自外部的负荷引起的凸块变形，表现高蚀刻速率
。
[0016]用于解决问题的方案
[0017]本专利技术人等为了解决上述问题，进行了深入研究，结果发现如下事实，由此能解决上述问题，从而完成了本专利技术，即，在包含通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分
(A)
的粘接剂组合物中，作为聚有机硅氧烷成分
(A)
含有特定的式所示的重均分子量为
60000
以上的聚合物
(V)。
[0018]即，本专利技术包括以下的方案
。
[0019][1]一种粘接剂组合物，包含粘接剂成分
(S)
，上述粘接剂成分
(S)
含有通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分
(A)
，上述聚有机硅氧烷成分
(A)
含有下述式
(V)
所示
、
重均分子量为
60000
以上的聚合物
(V)。
[0020][0021](n
表示重复单元的数量，为正整数
。)
[0022][2]根据
[1]所述的粘接剂组合物，其中，上述粘接剂组合物包含上述粘接剂成分
(S)
和包含聚有机硅氧烷的剥离剂成分
(B)。
[0023][3]根据
[1]或
[2]所述的粘接剂组合物，其中，上述聚有机硅氧烷成分
(A)
含有聚有机硅氧烷
(A1)
和铂族金属系催化剂
(A2)
，上述聚有机硅氧烷
(A1)
包含选自由
SiO2所示的硅氧烷单元
(Q
单元
)、R1R2R3SiO
1/2
所示的硅氧烷单元
(M
单元
)、R4R5SiO
2/2
所示的硅氧烷单元
(D
单元
)
以及
R6SiO
3/2
所示的硅氧烷单元
(T
单元
)
构成的组中的一种或两种以上的单元
(
其中，
R1～
R6为与硅原子键合的基团或原子，各自独立地表示任选地被取代的烷基
、
任选地被取代的烯基或氢原子
)
，上述聚有机硅氧烷
(A1)
包含聚有机硅氧烷
(a1)
和聚有机硅氧烷
(a2)
，上述聚有机硅氧烷
(a1)
包含选自由
SiO2所示的硅氧烷单元
(Q
’
单元
)、R1’
R2’
R3’
SiO
1/2
所示的硅氧烷单元
(M
’
单元
)、R4’
R5’
SiO
2/2
所示的硅氧烷单元
(D
’
单元
)
以及
R6’
SiO
3/2
所示的硅氧烷单元
(T
’
单元
)
构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由上述
M
’
单元
、D
’
单元以及
T
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种粘接剂组合物，包含粘接剂成分
S
，所述粘接剂成分
S
含有通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分
A
，所述聚有机硅氧烷成分
A
含有下述式
(V)
所示
、
重均分子量为
60000
以上的聚合物
V
，
n
表示重复单元的数量，为正整数
。2.
根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，所述粘接剂组合物包含所述粘接剂成分
S
和包含聚有机硅氧烷的剥离剂成分
B。3.
根据权利要求1或2所述的粘接剂组合物，其中，所述聚有机硅氧烷成分
A
含有聚有机硅氧烷
A1
和铂族金属系催化剂
A2
，所述聚有机硅氧烷
A1
包含选自由
SiO2所示的硅氧烷单元即
Q
单元
、R1R2R3SiO
1/2
所示的硅氧烷单元即
M
单元
、R4R5SiO
2/2
所示的硅氧烷单元即
D
单元以及
R6SiO
3/2
所示的硅氧烷单元即
T
单元构成的组中的一种或两种以上的单元，其中，
R1～
R6为与硅原子键合的基团或原子，各自独立地表示任选地被取代的烷基
、
任选地被取代的烯基或氢原子，所述聚有机硅氧烷
A1
包含聚有机硅氧烷
a1
和聚有机硅氧烷
a2
，所述聚有机硅氧烷
a1
包含选自由
SiO2所示的硅氧烷单元即
Q
’
单元
、R1’
R2’
R3’
SiO
1/2
所示的硅氧烷单元即
M
’
单元
、R4’
R5’
SiO
2/2
所示的硅氧烷单元即
D
’
单元以及
R6’
SiO
3/2
所示的硅氧烷单元即
T
’
单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述
M
’
单元
、D
’
单元以及

【专利技术属性】
技术研发人员：福田拓也，森谷俊介，绪方裕斗，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：