一种减少非必要制造技术

本发明专利技术涉及

【技术实现步骤摘要】
一种减少非必要NFC识别次数的SOC芯片


[0001]本专利技术涉及
SOC
芯片
，特别涉及一种减少非必要
NFC
识别次数的
SOC
芯片
。

技术介绍

[0002]目前，
NFC
（
Near Field Communication
）近场通信技术广泛应用于智能终端
。NFC
技术通过智能终端上的
SOC
芯片实现
。
[0003]外部设备发射的射频信号在达到一定强度时，均会唤起
SOC
芯片的近场通讯进程
。
但是，当用户不需要进行近场通信时，终端也未直接对准外部设备，一些外部设备直接发出或反射的射频信号入射到
SOC
芯片上时，也可能唤起芯片的进场通信进程，导致终端能耗增加
。
[0004]因此，针对上述不足，急需一种减少非必要
NFC
识别次数的
SOC
芯片
。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供了一种减少非必要
NFC
识别次数的
SOC
芯片，能够减少非必要
NFC
识别次数
。
[0006]本专利技术实施例提供一种减少非必要
NFC
识别次数的
SOC
芯片，包括：芯片主体，用于将接收到的射频信号转换为反馈信号以完成近场通信；筛选结构，设置在所述芯片主体用于接收信号和发射信号的一侧，所述筛选结构用于使部分穿过所述筛选结构的射频信号发生全反射；所述芯片主体和所述筛选结构之间设置屏蔽结构，所述屏蔽结构用于屏蔽信号强度低于预设值的射频信号；所述芯片主体和所述屏蔽结构之间设置信号增大器，所述信号增大器用于增强穿过所述屏蔽结构传输向所述芯片主体的信号
。
[0007]在一种可能的设计中，所述筛选结构为层状，所述筛选结构的制备材料的折射率小于空气的折射率
。
[0008]在一种可能的设计中，所述筛选结构为球形，所述筛选结构的制备材料的折射率大于空气的折射率
。
[0009]在一种可能的设计中，所述屏蔽结构的制备材料包括导电材料
。
[0010]在一种可能的设计中，所述屏蔽结构包括金属板
。
[0011]在一种可能的设计中，所述屏蔽结构沿厚度方向依次包括屏蔽层和调节层，所述屏蔽层为金属板，所述调节层为层状铁氧体
。
[0012]在一种可能的设计中，所述屏蔽结构沿厚度方向包括绝缘的基底层和阻抗层，所述阻抗层包括多个设置在所述基底层上的
、
互不接触的环状单元，所述环状单元包括导体部和半导体部，所述导体部的两端通过所述半导体部连接，所述屏蔽结构包括正面和背面，看向所述正面时，所述环状单元上的半导体部沿顺时针方向为通路，沿逆时针方向为断路，所述正面为所述屏蔽结构朝向所述芯片主体的一面
。
[0013]在一种可能的设计中，由所述正面向所述背面，所述屏蔽结构依次包括基底层和阻抗层
。
[0014]在一种可能的设计中，所述环状单元为导体形成的正方形环，所述导体的直径为
0.01~0.02mm
，所述环状单元的边长为
0.35~0.4mm。
[0015]本专利技术与现有技术相比至少具有如下有益效果：在本实施例中，筛选结构能够将一些入射到其上的射频信号全反射，从而对射频信号进行一个筛选
。
只有入射到筛选结构的中心位置的射频信号或以较小入射角入射到筛选结构的射频信号才能通过筛选结构
。
需要说明的是，筛选结构并不会降低射频信号的强度，只是对射频信号入射到筛选层的位置或入射角度进行筛选
。
综上，只有接近垂直筛选结构的射频信号或入射到筛选结构中心的射频信号才能被识别，防止了其他非目标设备发生的射频信号或其他方位反射的射频信号唤醒
NFC
识别进程
。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0017]图1是本专利技术实施例提供的一种
SOC
芯片的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的另一种
SOC
芯片的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一种屏蔽结构的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的另一种屏蔽结构的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的一种环状单元的结构示意图
。
[0018]图中：1‑
芯片主体；2‑
筛选结构；3‑
屏蔽结构；
31
‑
屏蔽层；
32
‑
调节层；
33
‑
阻抗层；
331
‑
环状单元；
331a
‑
导体部；
331b
‑
半导体部；
34
‑
基底层；4‑
信号增大器
。
具体实施方式
[0019]为使本专利技术实施例的目的
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员
在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0020]在本专利技术实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“第一”、“第二”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；除非另有规定或说明，术语“多个”是指两个或两个以上；术语“连接”、“固定”等均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，或电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连
。
对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义
。
[0021]本说明书的描述中，需要理解的是，本专利技术实施例所描述的“上”、“下”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本专利技术实施例的限定
。
此外，在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件连接在另一个元件“上”或者“下”时，其不仅能够直接连接在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接连接在另一个元件“上”或者“下”。
[0022]本专利技术实施例提供一种减少非必要
NFC
识别次数的
SOC
芯片，包括：芯片主体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种减少非必要
NFC
识别次数的
SOC
芯片，其特征在于，包括：芯片主体（1），用于将接收到的射频信号转换为反馈信号以完成近场通信；筛选结构（2），设置在所述芯片主体（1）用于接收信号和发射信号的一侧，所述筛选结构（2）用于使部分穿过所述筛选结构（2）的射频信号发生全反射；所述芯片主体（1）和所述筛选结构（2）之间设置屏蔽结构（3），所述屏蔽结构（3）用于屏蔽信号强度低于预设值的射频信号；所述芯片主体（1）和所述屏蔽结构（3）之间设置信号增大器（4），所述信号增大器（4）用于增强穿过所述屏蔽结构（3）传输向所述芯片主体（1）的信号
。2.
根据权利要求1所述的
SOC
芯片，其特征在于，所述筛选结构（2）为层状，所述筛选结构（2）的制备材料的折射率小于空气的折射率
。3.
根据权利要求1所述的
SOC
芯片，其特征在于，所述筛选结构（2）为球形，所述筛选结构（2）的制备材料的折射率大于空气的折射率
。4.
根据权利要求1所述的
SOC
芯片，其特征在于，所述屏蔽结构（3）的制备材料包括导电材料
。5.
根据权利要求4所述的
SOC
芯片，其特征在于，所述屏蔽结构（3）包括金属板
。6.
根据权利要求5所述的
SOC
芯片，其特征在于，所述屏蔽结构（3）沿厚度方向依次包括屏蔽层（
31
）和调节层（
32
），所述屏蔽层（
31
）为金属板，所述调节层（
32...

【专利技术属性】
技术研发人员：王嘉诚，张少仲，
申请(专利权)人：中诚华隆计算机技术有限公司，
类型：发明
国别省市：