具有电压跌落补偿电路的低压差（制造技术

本公开涉及一种装置，该装置包括：耦合在第一电压轨与负载之间的第一组一个或多个场效应晶体管

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有电压跌落补偿电路的低压差(LDO)电压调节器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求于
2021
年4月
23
日提交并且转让给本专利申请的受让人的题为“LOW
‑
DROPOUT(LDO)VOLTAGE REGULATOR WITH VOLTAGE DROOP COMPENSATION CIRCUIT”的未决美国非临时申请第
17/239,377
号的优先权，该申请由此通过引用明确并入本专利申请，如同在下文中充分阐述并且用于所有适用目的
。


[0003]本公开的各方面总体上涉及电压调节器，并且具体地涉及具有电压跌落补偿电路的低压差
(LDO)
电压调节器
。

技术介绍

[0004]集成电路
(IC)
通常包括电源管理集成电路
(PMIC)
或电源电路，以向
IC
的一个或多个信号处理核提供一个或多个电源电压
。
因为信号处理核经常在不同时间执行各本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种装置，包括：第一组一个或多个场效应晶体管
(FET)
，耦合在第一电压轨与负载之间；第二组一个或多个
FET
，耦合在所述第一电压轨与所述负载之间；栅极电压控制电路，被配置为：根据第一操作模式分别向所述第一组一个或多个
FET
的第一栅极和所述第二组一个或多个
FET
的第二栅极提供第一组栅极电压；以及根据第二操作模式分别向所述第一组一个或多个
FET
的所述第一栅极和所述第二组一个或多个
FET
的所述第二栅极提供第二组栅极电压；以及电压跌落补偿电路，被配置为在从所述第一操作模式到所述第二操作模式的转变期间控制跨所述负载的输出电压
。2.
根据权利要求1所述的装置，其中所述第一组一个或多个
FET
包括第一有效沟道宽长比
(W/L)
，其中所述第二组一个或多个
FET
包括第二有效
W/L
，并且其中所述第二有效
W/L
大于所述第一有效
W/L。3.
根据权利要求1所述的装置，其中所述电压跌落补偿电路包括电压跌落检测器，所述电压跌落检测器被配置为响应于检测到所述输出电压中的降低到或低于参考电压的电压跌落而生成电压跌落检测信号
。4.
根据权利要求3所述的装置，其中所述电压跌落检测器包括比较器，所述比较器包括被配置为接收所述输出电压的第一输入
、
被配置为接收所述参考电压的第二输入
、
以及被配置为产生所述电压跌落检测信号的输出
。5.
根据权利要求3所述的装置，其中所述电压跌落补偿电路还包括电压控制电路，所述电压控制电路被配置为响应于所述电压跌落检测信号而控制所述输出电压
。6.
根据权利要求5所述的装置，其中所述电压控制电路包括栅极充电电路，所述栅极充电电路被配置为响应于所述电压跌落检测信号而对所述第二组一个或多个
FET
的所述第二栅极进行充电
。7.
根据权利要求6所述的装置，其中所述栅极充电电路包括开关器件，所述开关器件耦合在所述第一电压轨与所述第二组一个或多个
FET
的所述第二栅极之间
。8.
根据权利要求6所述的装置，其中所述栅极充电电路包括：第一
FET
，包括耦合在一起的栅极和漏极；电流源，与所述第一
FET
串联耦合在所述第一电压轨与第二电压轨之间；以及第二
FET
，与开关器件串联耦合在所述第一电压轨与所述第二组一个或多个
FET
的所述第二栅极之间，其中所述第二
FET
包括耦合到所述第一
FET
的所述栅极的栅极
。9.
根据权利要求6所述的装置，其中所述电压控制电路还包括电压调节器，所述电压调节器被配置为响应于所述输出电压响应于所述第二组一个或多个
FET
的所述第二栅极的充电而达到第一阈值电压而调节所述输出电压
。10.
根据权利要求9所述的装置，其中所述电压调节器被配置为响应于所述输出电压达到所述第一阈值电压而禁用所述栅极充电电路
。11.
根据权利要求9所述的装置，其中所述电压调节器被配置为将所述输出电压调节到由所述第一阈值电压和第二阈值电压界定的范围内
。12.
根据权利要求9所述的装置，其中所述电压调节器包括：
推挽式电荷泵；第一比较器，包括被配置为接收第二阈值电压的第一输入
、
被配置为接收所述输出电压的第二输入
、
以及耦合到所述推挽式电荷泵的输出；以及第二比较器，包括被配置为接收所述输出电压的第一输入
、
被配置为接收所述第一阈值电压的第二输入
、
以及耦合到所述推挽式电荷泵的输出
。13.
根据权利要求9所述的装置，其中所述电压调节器包括：第一电流源；第一开关器件；第二开关器件；第二电流源，其中所述第一电流源
、
所述第一开关器件
、
所述第二开关器件和所述第二电流源串联耦合在所述第一电压轨与第二电压轨之间，并且其中所述第一开关器件与所述第二开关器件之间的节点耦合到所述第二组一个或多个
FET
的所述第二栅极；第一比较器，包括被配置为接收所述第二阈值电压的第一输入
、
被配置为接收所述输出电压的第二输入
、
以及耦合到所述第一开关器件的输出；以及第二比较器，包括被配置为接收所述输出电压的第一输入
、
被配置为接收所述第一阈值电压的第二输入
、
以及耦合到所述第二开关器件的输出
。14.
根据权利要求
13
所述的装置，其中所述第二比较器的所述输出耦合到所述栅极充电电路
。15.
根据权利要求1所述的装置，还包括栅极电压切换电路，所述栅极电压切换电路被配置为：根据所述第一操作模式将所述第一组栅极电压中的一个栅极电压路由到所述第二组一个或多个
FET
的所述第二栅极；以及根据所述第二操作模式将所述第二组栅极电压中的一个栅极电压路由到所述第二组一个或多个
FET
的所述第二栅极
。16.
根据权利要求
15
所述的装置，其中所述栅极电压切换电路包括：第一开关器件，耦合在所述第一组一个或多个
FET
的所述第一栅极与所述第二组一个或多个
FET
的所述第二栅极之间；第二开关器件，耦合在第二电压轨与所述第二组一个或多个
FET
的所述第二栅极之间；以及第三开关器件，耦合在所述电压跌落补偿电路与所述第二组一个或多个
FET
的所述第二栅极之间
。17.
根据权利要求
16
所述的装置，还包括控制器，所述控制器被配置为：根据所述第一操作模式断开所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：X，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：