【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多模式相控阵列元件
[0001]本公开总体上涉及电子器件，并且更具体地涉及射频
(RF)
发射器和接收器
。
技术介绍
[0002]无线通信设备和技术变得越来越普遍
。
无线通信设备一般发射和接收通信信号
。
通信信号典型地由各种不同的组件和电路处理
。
在一些现代通信系统中，可以在一个或多个方向上形成和操纵通信波束
。
一种类型的波束控制系统使用所谓的相控阵列或相控阵列天线系统
。
相控阵列可以使用多个不同的元件和天线，其中每个元件可以处理在相位上偏移一定量的发射和
/
或接收信号，导致相控阵列系统的不同元件处理发射和
/
或接收信号的轻微相移版本
。
相控阵列系统可以产生窄的
、
可操纵的
、
高功率的通信波束
。
相控阵列天线系统也可构成大规模多输入多输出
(MIMO)
系统的一部分
。
专...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种相控阵列元件，包括：发射部分，具有多个放大器路径，每个放大器路径具有驱动器放大器和功率放大器；第一变压器和第二变压器，所述第一变压器耦合到所述多个放大器路径中的第一放大器路径中的所述功率放大器，所述第二变压器耦合到所述多个放大器路径中的第二放大器路径中的所述功率放大器，所述第一变压器和所述第二变压器中的每一者的次级绕组通过公共变压器段耦合在一起；发射移相器，可切换地耦合到所述多个放大器路径；接收部分，耦合到所述第二变压器，所述接收部分具有接收路径，所述接收路径具有低噪声放大器
(LNA)
；以及接收移相器，耦合到所述
LNA。2.
根据权利要求1所述的相控阵列元件，其中所述第二变压器的所述次级绕组通过凸块过渡耦合到天线元件
。3.
根据权利要求1的相控阵列元件，其中所述相控阵列元件位于毫米波集成电路
(mmWIC)
上
。4.
根据权利要求1所述的相控阵列元件，其中多个相控阵列元件位于毫米波集成电路
(mmWIC)
上，并且耦合到相应天线的相控阵列元件的数目少于所述多个相控阵列元件的总数
。5.
根据权利要求1所述的相控阵列元件，其中所述相控阵列元件被配置为将所述第一放大器路径中的所述功率放大器的输出与所述第二放大器路径中的所述功率放大器的输出进行组合，并且将所组合的输出提供给天线元件
。6.
根据权利要求1所述的相控阵列元件，其中所述第一变压器还包括三级绕组，并且所述第二变压器包括三级绕组，所述第一变压器的所述三级绕组耦合到终端阻抗，所述第二变压器的所述三级绕组耦合到所述
LNA。7.
根据权利要求1所述的相控阵列元件，其中所述第一放大器路径被禁用，所述第二放大器路径被启用并且被耦合到天线元件，并且所述公共变压器段被耦合到系统地
。8.
根据权利要求1所述的相控阵列元件，其中所述第一放大器路径和所述第二放大器路径均被启用，并且所述公共变压器段被配置为将所述第一放大器路径和所述第二放大器路径的所述功率进行组合
。9.
根据权利要求1所述的相控阵列元件，其中所述发射部分还包括可变电容，所述可变电容被配置为维持第一发射模式和第二发射模式的频率响应
。10.
根据权利要求1所述的相控阵列元件，其中所述第一放大器路径和所述第二放大器路径被配置为提供基本上相等的功率电平
。11.
根据权利要求1所述的相控阵列元件，其中所述第一放大器路径和所述第二放大器路径被配置为提供不同的功率电平
。12.
根据权利要求
10
所述的相控阵列元件，其中所述第一放大器路径和所述第二放大器路径一起被配置为提供比单独的所述第一放大器路径和所述第二放大器路径中的任一者高大约
3dB
的功率电平
。13.
根据权利要求1所述的相控阵列元件，其中所述第一放大器路径被配置为提供比由所述第二放大器路径提供的功率电平高大约
3dB
的输出
。
14.
根据权利要求1所述的相控阵列元件，还包括开关，所述开关被配置为将所述公共变压器段可切换地耦合到系统地，其中所述第一变压器
、
所述第二变压器和所述公共变压器段被配置为：当所述第一放大器路径和所述第二放大器路径被启用并且所述开关不导通时，通过电压组合将所述第一放大器路径和所述第二放大器路径的功率进行组合
。15.
根据权利要求1所述的相控阵列元件，还包括开关，所述开关被配置为将所述公共变压器段的第一部分与所述公共变压器段的第二部分进行可切换地耦合，所述公共变压器段的所述第一部分耦合到所述第一变压器，所述公共变压器段的所述第二部分耦合到所述第二变压器，其中所述第一变压器
、
所述第二变压器和所述公共变压器段被配置为：当所述第一放大器路径和所述第二放大器路径被启用并且所述开关导通时，通过电流组合来将所述第一放大器路径和所述第二放...
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