一种高比刚度的碳化硅陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术涉及碳化硅陶瓷技术领域，公开了一种高比刚度的碳化硅陶瓷及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
一种高比刚度的碳化硅陶瓷及其制备方法


[0001]本专利技术涉及碳化硅陶瓷
，具体涉及一种高比刚度的碳化硅陶瓷及其制备方法
。

技术介绍

[0002]随着半导体制造装备在加工尺度
、
精度和速度等指标上的不断提升，对装备核心结构零部件的要求也不断提高
。
陶瓷结构件作为高端半导体装备制造的核心结构零部件，正随着技术的更替变得越来越重要，而碳化硅陶瓷因具有优良的常温力学性能
(
高强度
、
高硬度
、
高弹性模量等
)、
优异的高温稳定性
(
高导热系数
、
低热膨胀系数等
)
以及良好的比刚度和光学加工性能成为制备光刻机等集成电路装备用精密陶瓷结构件的重要原料
。
[0003]在碳化硅陶瓷的应用中，碳化硅陶瓷的比刚度的最大化对于减小核心结构零部件的重量至关重要
。
比刚度定义为材料的杨氏模量
/
质量密度
。/>碳化硅陶瓷的最大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种高比刚度的碳化硅陶瓷，其特征在于，包括以下重量份的各组分混合压制成型后再烧结制成：碳化硅粉料
70
～
95
份，碳化硼粉料
0.5
～
20
份，石墨烯
0.5
～3份，分散剂
0.5
～
2.5
份
、
粘结剂2～5份，表面活性剂
0.25
～2份
。2.
根据权利要求1所述的高比刚度的碳化硅陶瓷，其特征在于，各组分的质量百分含量为：碳化硅粉料
78
～
83
份，碳化硼粉料
10
～
15
份，石墨烯
0.5
～3份，分散剂
0.5
～
2.5
份
、
粘结剂2～5份，表面活性剂
0.25
～2份
。3.
根据权利要求1或2所述的高比刚度的碳化硅陶瓷，其特征在于，碳化硼粉料的纯度
≥99%
；和
/
或，碳化硼粉料的粒径范围为
0.1
～1μ
m。4.
根据权利要求1或2所述的高比刚度的碳化硅陶瓷，其特征在于，石墨烯的比表面积为
100
～
200m2/g。5.
根据权利要求1或2所述的高比刚度的碳化硅陶瓷，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙中慧，马玉琦，
申请(专利权)人：杭州大和江东新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：