一种导电陶瓷及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种导电陶瓷及其制备方法和应用，所述导电陶瓷包括以下制备原料：碳化硅

【技术实现步骤摘要】
一种导电陶瓷及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及导电材料领域，具体涉及一种导电陶瓷及其制备方法和应用
。

技术介绍

[0002]碳化硅陶瓷具有硬度高
、
耐高温
、
耐磨损
、
耐腐蚀的优良性能，但其电阻较大，影响其在要求导电性优良的产品中的应用
。
为了提高碳化硅陶瓷的导电性能，通常在碳化硅陶瓷中引入导电相
。
如在碳化硅中引入金属或碳元素，引入这些元素通常导致碳化硅陶瓷的硬度降低
。
二硼化钛具有优良的导电性，将二硼化钛引入碳化硅中制备碳化硅
‑
二硼化钛陶瓷复合材料，可以在不降低碳化硅高温性能和力学性能的基础上，使碳化硅陶瓷具有良好的导电性能
。
在碳化硅中直接添加二硼化钛制备碳化硅
‑
二硼化钛陶瓷复合材料，由于二硼化钛阻碍碳化硅的烧结，常导致复合材料难于烧结致密
。
有研究者在碳化硅原料中添加氧化钛和碳化硼，经过球磨混合后成型
、<br/>烧结，在复合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种导电陶瓷，其特征在于：所述导电陶瓷包括以下制备原料：碳化硅
、
钛源
、
硼源
、PVA、
碳水化合物和分散剂
。2.
根据权利要求1所述的导电陶瓷，其特征在于：所述碳化硅与钛源的摩尔比为1：
(0.14
～
1.73)
；所述钛源
、
硼源
、
碳水化合物的摩尔比为1：
(2
～
3)
：
(1
～
3)
；所述硼源与
PVA
的质量比为
(0.8
～
1.2)
：1；所述碳化硅与分散剂的质量比为
100
：
(0.05
～
0.15)。3.
根据权利要求1或2所述的导电陶瓷，其特征在于：所述碳水化合物包括葡萄糖
、
蔗糖
、
淀粉
、
纤维素中的至少一种；所述钛源包括硫酸钛
、
四氯化钛
、
钛酸丁酯中的至少一种；所述硼源包括硼酸；所述分散剂包括
PEG。4.
根据权利要求1所述的导电陶瓷，其特征在于：所述导电陶瓷包括以下组分：碳化硅及二硼化钛；所述碳化硅与二硼化钛的质量比为1：
(0.25
～
4)。5.
权利要求1～4任一项所述的导电陶瓷的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1
：将碳化硅和分散剂混合分...

【专利技术属性】
技术研发人员：王春华，孙卫康，茹红强，
申请(专利权)人：山东东大新材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：