【技术实现步骤摘要】
输出级电路及其静电防护结构、电子设备
[0001]本公开涉及电子
,特别涉及一种输出级电路及其静电防护结构
、
电子设备
。
技术介绍
[0002]静电释放
(electro
‑
static discharge
,
ESD)
是电子
中不可避免的现象之一,会对电路系统
(
如,驱动电路中的输出级电路
)
的工作带来不利影响
。
[0003]相关技术中,针对包括
N
型晶体管和
P
型晶体管的输出级电路,为解决
ESD
带来的不利影响,通常考虑在膜层结构中拉开晶体管的漏端,即拉大漏端,使得漏端占用面积较大,进而为
ESD
提供释放路径
。
且,因
ESD
对
N
型晶体管的影响更大,故通常多拉开输出级电路中
N
型晶体管的漏端,实现静电释放
。
[000 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种输出级电路的静电防护结构,其特征在于,所述输出级电路分别与第一电源端
、
第二电源端
、
多个开关控制端和输出接口耦接,并用于响应于所述多个开关控制端提供的开关控制信号,控制所述第一电源端和所述第二电源端与所述输出接口的通断;所述静电防护结构包括:开关控制电路,耦接于所述第一电源端和所述第二电源端之间,且还分别与前级控制端和输出节点耦接,并用于:若确定静电释放发生,则控制所述第一电源端与所述输出节点导通,使得所述输出级电路控制所述第二电源端与所述输出接口导通;若确定静电释放未发生,则响应于所述前级控制端提供的前级控制信号,控制所述第一电源端或所述第二电源端与所述输出节点导通;所述输出节点用于与所述多个开关控制端中的至少一个开关控制端耦接;静电释放电路,耦接于所述第一电源端和所述第二电源端之间,且还用于分别与所述输出级电路和所述输出接口耦接,并用于:若静电释放发生,则将静电释放产生的静电电流释放至所述第二电源端
。2.
根据权利要求1所述的静电防护结构,其特征在于,所述开关控制电路包括:第一控制子电路,耦接于所述第一电源端和所述第二电源端之间,且还与第一中间节点耦接,并用于:若确定静电释放发生,则控制所述第二电源端与所述第一中间节点导通;若确定静电释放未发生,则控制所述第一电源端与所述第一中间节点导通;第二控制子电路,耦接于所述第一电源端和所述第二电源端之间,且还分别与所述第一中间节点
、
所述前级控制端和所述输出节点耦接,并用于:若所述第二电源端与所述第一中间节点导通,则控制所述第一电源端与所述输出节点导通;若所述第一电源端与所述第一中间节点导通,则响应于所述前级控制信号,控制所述第一电源端或所述第二电源端与所述输出节点导通
。3.
根据权利要求2所述的静电防护结构,其特征在于,所述第一控制子电路包括:第一电阻和第一晶体管;其中,所述第一电阻的一端与所述第一电源端耦接;所述第一电阻的另一端和所述第一晶体管的栅极均与所述第一中间节点耦接;所述第一晶体管的第一极和第二极均与所述第二电源端耦接
。4.
根据权利要求2所述的静电防护结构,其特征在于,所述第二控制子电路包括:第一控制单元,耦接于所述第一电源端和所述第二电源端之间,且还分别与所述第一中间节点和第二中间节点耦接,并用于:若所述第二电源端与所述第一中间节点导通,则控制所述第一电源端与所述第二中间节点导通;若所述第一电源端与所述第一中间节点导通,则控制所述第二电源端与所述第二中间节点导通;第二控制单元,耦接于所述第一电源端和所述第二电源端之间,且还分别与所述第二中间节点
、
所述前级控制端和第三中间节点耦接,并用于:若所述第一电源端与所述第二中间节点导通,则控制所述第二电源端与所述第三中间节点导通;若所述第二电源端与所述第二中间节点导通,则响应于所述前级控制信号,控制所述第一电源端或所述第二电源端与所述第三中间节点导通;第三控制单元,耦接于所述第一电源端和所述第二电源端之间,且还分别与所述第三中间节点和所述输出节点耦接,并用于:若所述第二电源端与所述第三中间节点导通,则控
制所述第一电源端与所述输出节点导通;若所述第一电源端与所述第三中间节点导通,则控制所述第二电源端与所述输出节点导通
。5.
根据权利要求4所述的静电防护结构,其特征在于,所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:谷欣明,江哲维,南帐镇,姜心愿,张炳城,李春燕,
申请(专利权)人:北京奕斯伟计算技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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