半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体基底，半导体基底包括具有相对的正面和背面的衬底

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种半导体器件的形成方法
。

技术介绍

[0002]微机电系统
(MEMS
，
Micro
‑
Electro
‑
Mechanical Systems)
是将微电子技术与机械工程融合到一起的一种工业技术，它的操作范围在微米范围内
。
如今，利用各向异性磁阻
(AMR
，
anisotropic magneto resistive)
效应制造的微机电系统
(AMR MEMS)
有灵敏度高，热稳定性好，材料成本低，制备工艺简单，已经得到了广泛的应用
。
[0003]对于
AMR MEMS
产品，此产品一般包括相对设置的正面和背面的衬底，在衬底正面形成栅氧化层和栅极结构，在背面形成有
GOX
氧化层
、
栅多晶硅
、
氧化硅层和氮化硅层
>。
衬底背本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括具有相对的正面和背面的衬底
、
依次位于所述衬底正面的栅氧化层
、
栅极结构和金属层，位于衬底内部的有源区硅结构，所述金属层通过连接结构分别连接在所述有源区硅结构和栅极结构上，以及，依次位于所述衬底的背面的栅多晶硅层
、
氧化硅层和氮化硅层；在所述衬底的正面形成
IMD
介质层，以覆盖所述金属层；通过化学机械研磨的方式依次去除衬底的背面的氮化硅层和氧化硅层；研磨部分厚度的衬底的正面的所述
IMD
介质层，使得剩余的所述
IMD
介质层的表面平整；在所述
IMD
介质层内形成通孔，所述通孔露出所述金属层的表面
。2.
如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体基底还包括位于所述栅极结构和金属层之间的隔离氧化层
。3.
如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体基底还包括位于所述衬底的背面和多晶硅层之间的
GOX
氧化层
。4.

【专利技术属性】
技术研发人员：严强生，任媛媛，崔燕雯，陈宏，曹秀亮，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：