【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制作方法与显示装置
[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种显示面板及其制作方法与显示装置
。
技术介绍
[0002]目前指纹传感器有电容传感器，超声波传感器，小孔成像的光学传感器等，都有各自的优缺点：电容式由于穿透距离的限制只能集成覆盖，不能用于屏下；超声波式由于材料限制，不易集成屏内，且大面积超声波指纹识别功耗高，价格昂贵，技术不成熟，同时声波在柔软物质和空气中损耗大，导致手机无法贴膜，影响用户体验；小孔成像的光学传感器的优势在于可以最大程度上避免环境光的干扰，在极端环境下的稳定性更好，不足在于制作多大指纹识别区域，就需要多大的指纹识别传感器，成本比较昂贵
。
缩小识别区域则存在识别率还不够高，识别面积小，另外长期点亮屏幕特定区域，
OLED
屏容易出现老化问题
。
[0003]以上指纹识别方案，或无法集成于屏内，或集成于屏内困难，并且存在识别效率不高的问题
。
技术实现思路
[0004]本申请实施例的目的在于提供一种显示面板及其制作方法与显示装置，将指纹识别传感器集成于屏内，减少占用空间，提高指纹识别效率
。
具体技术方案如下：
[0005]本申请第一方面提出一种显示面板，所述显示面板包括：衬底基板；设置在所述衬底基板的一侧的多个第一薄膜晶体管和多个
PIN
光电二极管，所述光电二极管的
P
层和
N
层至少部分与所述第一薄膜晶体管的有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：衬底基板；设置在所述衬底基板的一侧的多个第一薄膜晶体管和多个
PIN
光电二极管，所述光电二极管的
P
层和
N
层至少部分与所述第一薄膜晶体管的有源层同层设置，所述
PIN
光电二极管的
I
层位于所述
P
层和所述
N
层之间；所述
I
层远离所述衬底基板一侧的表面具有微纳复合绒面结构，所述微纳复合绒面结构由微米或纳米尺度的具有锥状的硅微柱或硅微坑构成
。2.
根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述微纳复合绒面结构利用
SF6/O2等离子体轰击所述
I
层远离所述衬底基板一侧的表面得到
。3.
根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述
P
层
、
所述
N
层和所述
I
层与所述有源层同层设置
。4.
根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括缓冲层，所述缓冲层设于所述有源层靠近所述衬底基板的一侧，所述缓冲层设有沿垂直于所述衬底基板所在平面的第一方向贯穿所述缓冲层第一过孔，所述
P
层和所述
N
层的一部分分别搭接于形成所述第一过孔的两侧壁，另一部分位于所述缓冲层远离所述衬底基板的表面，所述
I
层位于所述
P
层和所述
N
层之间，并至少与所述
P
层和所述
N
层远离所述衬底基板的表面齐平
。5.
根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括设于所述有源层远离所述衬底基板一侧的第一栅极绝缘层
、
栅极和层间绝缘层，所述层间绝缘层设有多个第二过孔，所述第二过孔沿所述第一方向贯穿所述层间绝缘层
、
所述第一栅极绝缘层分别延伸至所述有源层的导体化区
、
所述
P
层和所述
N
层；所述第一薄膜晶体管的源漏极层与所述
PIN
光电二极管的电极层包括同层设置于所述层间绝缘层远离所述衬底基板的一侧的部分，所述源漏极层通过第二过孔与所述有源层的导体化区电连接，所述电极层通过所述第二过孔与所述
P
层和所述
N
层电连接
。6.
根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二过孔在所述缓冲层的正投影位于所述
P
层和所述
N
层之间，所述第二过孔至少暴露所述
P
层和所述
N
层位于所述第一过孔内的部分，所述
I
层位于所述第二过孔内
。7.
根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括钝化层，所述钝化层设于所述层间绝缘层远离所述衬底基板的一侧，且所述钝化层覆盖所述
I
层
。8.
根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述栅极和所述层间绝缘层之间还设有第二栅极绝缘层和第一金属层，所述第一金属层在所述衬底基板的正投影和所述栅极在所述衬底基板的正投影至少部分交叠形成存储电容
。9.
根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二栅极绝缘层设有第三过孔，所述第三过孔在所述缓冲层的正投影位于所述
P
层和所述
N
层之间，所述第三过孔至少暴露所述
P
层和所述
N
层位于所述第一过孔内的部分，所述
I
层位于所述第三过孔内
。10.
根据权利要求1‑9中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏维，郭远征，侯鹏，文强，李泽亮，王彦强，马德钊，高涛，黄鹏，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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