半导体结构的制备方法技术

本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，用于降低欧姆接触电阻率并提升制备欧姆接触的一致性

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制备方法
。

技术介绍

[0002]随着半导体科技的发展，具有热导率高
、
电子漂移速率高
、
耐高温
、
化学性质稳定的半导体器件，在高频
、
高温
、
微波领域具有广泛的应用前景
。
[0003]高功率半导体器件，例如氮化镓高电子迁移率晶体管
(gallium nitride high electron mobilitytransistor
，
GaN HEMT)
器件，由于其特有的高电子迁移率
、
高二维电子气面密度
、
高击穿电场
、
高沟道电子浓度和高温度稳定性等优点，使得其具备更高的输出功率密度，因而被广泛应用于射频
/
微波功率放大电路等集成电路中
。
[0004]为了提高高功率半导体器件的总输出功率，通常通过降低欧姆接触电阻率来减小器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成层叠设置的沟道层和势垒膜；在所述势垒膜上形成源极凹槽和漏极凹槽；所述源极凹槽和所述漏极凹槽之间具有间隔；利用湿法刻蚀对所述源极凹槽和所述漏极凹槽的底部进行平坦化处理，形成势垒层；形成源极和漏极；所述源极位于所述源极凹槽，所述漏极位于所述漏极凹槽，所述源极与所述势垒层欧姆接触，所述漏极与所述势垒层欧姆接触
。2.
根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述势垒膜的材料包括铝，所述湿法刻蚀的蚀刻液包括铝刻蚀液
。3.
根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述铝刻蚀液包括含氢氧化钾
、
氢氧化钠
、
氢氧化铵中任意一种的碱性溶液；或者，所述铝刻蚀液包括含磷酸的酸性溶液
。4.
根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液中碱的浓度不低于
0.2
％；所述酸性溶液中酸的浓度不低于
0.2
％
。5.
根据权利要求1‑4任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成势垒层，包括：利用湿法刻蚀去除位于所述源极凹槽和所述漏极凹槽底部的部分所述势垒膜，形成势垒层；所述源极与所述源极凹槽的槽底欧姆接触，所述漏极与所述漏极凹槽的槽底欧姆接触
。6.
根据权利要求1‑4任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成势垒层，包括：利用湿法刻蚀去除位于所述源极凹槽和所述漏极凹槽底部的所述势垒膜，形成势垒层；所述源极凹槽和所述漏极凹槽均贯穿所述势垒层
。7.
根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成源极和漏极之前，所述制备方法还包括：在所述源极凹槽和所述漏极凹槽内形成半导体层
。8.
根据权利要求1‑7任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述势垒膜上形成源极凹槽和漏极凹槽，包括：利用电感耦合等离子体干法刻蚀工艺在所述势垒膜上形成源极凹槽和漏极凹槽；刻蚀气体包括氯
、
氢
、
氩
、
氧或者氮中至少一种，刻蚀速率不高于
15nm/s。9.
根据权利要求1‑8任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，利用湿法刻蚀对所述源极凹槽和所述漏极凹槽的底部进行平坦化处理，包括：湿法刻蚀的时间不小于
10
秒，刻蚀温度在
2...

【专利技术属性】
技术研发人员：武龙，何林峰，苏帅，魏巍，张亚文，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：