设置有按照使得最小化存储器块大小以允许管理行锤击效应的方式布置的制造技术

本发明专利技术涉及一种存储器设备，该存储器设备包括：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】设置有按照使得最小化存储器块大小以允许管理行锤击效应的方式布置的DRAM存储器电路的存储器设备


[0001]本专利技术涉及存储器领域，并且特别地涉及动态随机存取存储器领域
。
[0002]特别地，本专利技术涉及存储器行锤击效应的管理
。
[0003]在这方面，本专利技术提出了一种存储器设备的架构，使得可以管理和防止针对大容量存储器设备的存储器行锤击效应，而不损害所述设备的性能
。

技术介绍

[0004]动态随机存取存储器
(“DRAM”)
中的行锤击效应是本领域中的技术人员众所周知的
。
[0005]该效应源于
DRAM
组的行的重复激活
。
更特别地，当被称为“攻击者行”的给定行的激活数量超过临界锤击值时，与其紧邻的被称为“受害者行”的行发现它们的位中的一些位被反转
。
[0006]为了防止行锤击效应，可以设想在行变为攻击者之前，根据预防性刷新过程来刷新两个相邻受害者行
。
[0007]在这方面，在文献
FR3066842
中描述了这种预防性刷新过程
。
该文献特别地公开了一种设置有用于检测行锤击的触发的逻辑部件的存储器设备
。
该检测逻辑部件被配置为监测和
/
或计数存储器设备的组或子组的每一行的激活的数量
。
在这方面，计数数据被存储在一个或更多个表中，该一个或更多个表的条目数量直接取决于存储器设备的大小
(
以及特别地存储器设备的容量
)。
[0008]只要临界锤击值保持大于
40000
，从现有技术中已知的该存储器设备就特别高效
。
[0009]然而，存储器设备的不断增加的容量需要考虑包括更多数量的条目的表，并且其因此消耗多得多的资源
。
[0010]此外，如文献
FR3066842
中所提出的，当根据精细几何并且特别地以小于
20nm
的尺度制造存储器设备时，仅考虑在紧邻攻击者行的行处的行锤击达到其极限
。
[0011]实际上，对更精细的图案或几何的考虑不可避免地导致增加行锤击效应的范围
。
特别地，存储器的组或子组的索引为“i”的攻击者行将不仅影响与其紧邻的行
(
具有索引“i
‑
1”和“i+1”)
，而且在较小程度上影响具有索引“i
‑
k”和“i+k”的行
(
其中“k”为严格大于1的整数
)。
[0012]增大锤击效应的范围因此具有两种结果
。
首先，其有助于增加可以在文献
FR3066842
中考虑的表的大小
。
其次，其施加远低于
40000
或甚至低于
4800
的临界锤击值
。
[0013]这两个组合效应直接影响在该文献中提出的用于检测行锤击的触发的逻辑部件的效果
。
[0014]为了克服这些问题，在文献美国专利
No.10,885,966
中已提出了用于防止行锤击效应的另一算法
。
该文献也实现了表，并且考虑了超出紧邻攻击者行的行的锤击效应的范围
。
更特别地，为了限制对于其实现所必需的资源，所提出的算法监测按照子组级别的激
活
。
[0015]甚至比在文献
FR3066842
中提出的算法更高效的该算法可以针对某些存储器设备架构而被改善
。
[0016]特别地，通常使用静态随机存取存储器
(“SRAM”)
块来实现该算法
。
然而，增加的存储器设备容量和所使用的几何的小的大小增加了对于适当执行用于防止行锤击效应的算法所必需的表的大小
。
[0017]因此，这些因素使得有必要考虑具有更大容量的
SRAM
存储器块
。
然而，该类型的存储器消耗空间，并且能够显著增加存储器系统的总成本
。
[0018]专利技术目的
[0019]本专利技术的一个目的是提出一种存储器设备，该存储器设备实现用于防止行锤击效应的算法，并且对于该存储器设备，
SRAM
存储器块具有有限的大小
。

技术实现思路

[0020]本专利技术涉及一种存储器设备，并且更特别地，涉及如下存储器设备，当所述存储器设备的密度及其总容量增加时，该存储器设备的架构使得可以有效地管理行锤击效应
。
[0021]存储器设备包括“DRAM”类型的存储器电路，其总容量被划分为第一部分以及第二部分，该第一部分被称为“直接受保护部分”，该第二部分被称为“间接受保护部分”并且比第一部分大
。
[0022]根据本专利技术，存储器设备包括控制电路，该控制电路实现分别被称为第一算法和第二算法的两种保护算法
。
[0023]更特别地，控制电路包括实现第一算法的第一块以及实现第二算法的第二块
。
[0024]在这方面，第一算法被配置为保护第一部分免受行锤击效应
。
[0025]第二算法就其本身而言被配置为保护第二部分免受行锤击效应
。
第二算法特别地实现被保存在第一部分中的至少一个表，该表被称为主表
。
[0026]本专利技术的目的通过一种存储器设备来实现，该存储器设备包括：
[0027]‑
存储器电路，这些电路包括“DRAM”类型的存储器，所述存储器电路的总容量被划分为第一部分以及第二部分，第一部分被称为“直接受保护部分”，第二部分被称为“间接受保护部分”并且比第一部分大；
[0028]‑
控制电路，该控制电路被配置为访问存储器电路，控制电路包括：
[0029]‑
第一块，该第一块被配置为执行第一算法，第一算法旨在保护第一部分免
[0030]受行锤击效应；
[0031]‑
第二块，该第二块被配置为执行第二算法，第二算法旨在保护第二部分免受可能发生的行锤击效应，第二算法使用被存储在第一部分中的主表；
[0032]根据一个实施方式，控制电路包括功能块，该功能块被配置为执行第二部分中的计算功能和程序，并且有利地也执行第一部分中的计算功能和程序
。
[0033]根据一个实施方式，第一部分和第二部分被布置成使得由第一部分中的一行或第二部分中的一行施加的行锤击效应不被第一部分或第二部分中的另一者感觉到
。
[0034]根据一个实施方式，第一部分和第二部分是根据以下配置中的一种配置被配置的：
[0035]‑
第一部分和第二部分不相交，以不共享
DRAM
存储器电路；
[0036]‑<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种存储器设备
(10)
，所述存储器设备包括：
‑
存储器电路
(100)
，这些电路包括“DRAM”类型的存储器，所述存储器电路的总容量被划分为第一部分
(102)
以及第二部分
(103)
，所述第一部分
(102)
被称为“直接受保护部分”，所述第二部分
(103)
被称为“间接受保护部分”并且比所述第一部分
(102)
大；
‑
控制电路
(200)
，所述控制电路被配置为访问所述存储器电路，所述控制电路包括：
‑
第一块
(201)
，所述第一块被配置为执行第一算法
(201A)
，所述第一算法旨在保护所述第一部分
(102)
免受行锤击效应；
‑
第二块
(202)
，所述第二块被配置为执行第二算法
(202A)
，所述第二算法旨在保护所述第二部分
(103)
免受可能发生的行锤击效应，所述第二算法
(202A)
使用被存储在所述第一部分
(102)
中的主表
。2.
根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述控制电路包括功能块
(300)
，所述功能块被配置为执行所述第二部分
(103)
中的计算功能和程序，并且有利地也执行所述第一部分
(102)
中的计算功能和程序
。3.
根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述第一部分
(102)
和所述第二部分
(103)
被布置成使得由所述第一部分
(102)
中的一行或所述第二部分
(103)
中的一行施加的行锤击效应不被所述第一部分
(102)
或所述第二部分
(103)
中的另一者感觉到
。4.
根据权利要求3所述的设备，其中，所述第一部分
(102)
和所述第二部分
(103)
是根据以下配置中的一种配置被配置的：
‑
所述第一部分
(102)
和所述第二部分
(103)
不相交，以不共享
DRAM
存储器电路；
‑
所述第一部分
(102)
和所述第二部分
(103)
各自包括特定于它们的
DRAM
存储器电路组；
‑
在同一
DRAM
存储器电路组内，所述第一部分
(102)
和所述第二部分
(103)
各自包括特定于它们的一个或更多个子组，所述子组然后被布置成使得由所述第一部分
(102)
的子组的行施加的行锤击效应不被所述第二部分
(103)
的子组感觉到，并且由所述第二部分
(103)
的子组的行施加的行锤击效应不被所述第一部分
(102)
的子组感觉到；
‑
所述第一部分
(102)
和所述第二部分
(103)
共同具有被称为公共组的
DRAM
存储器电路组，所述公共组包括未使用的存储器行并且将所述公共组的与所述第一部分
(102)
相关联的区段与所述公共组的与所述第二部分
(103)
相关联的另一区段分开，未使用的存储器行的数量被选择为使得在所述公共组的两个区段中的各个区段之间不发生行锤击效应
。5.
根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述第一部分
(102)
和所述第二部分
(103)
能够相互施加行锤击效应，并且其中，所述第一算法
(201A)
和所述第二算法
(202A)
被配置为防止所述第一部分
(102)
对所述第二部分
(103)
的所述行锤击效应，并且被配置为防止所述第二部分
(103)
对所述第一部分
(102)
的所述行锤击效应
。6.
根据权利要求1至5中的一项所述的设备，其中，所述第二块
(202)
包括高速缓存存储器
(202B)
，所述高速缓存存储器旨在存储由所述第二算法
(202A)
使用的所述主表的数据
。7.
根据权利要求1至6中的一项所述的设备，其中，所述第一部分
(102)
的大小对应于所述第二部分
(103)
的大小的小于
0.1
％
。8.
根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：优普梅姆公司，
类型：发明
国别省市：