一种自限温半导体加热膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及加热膜技术领域，尤其涉及一种自限温半导体加热膜，包括基底

【技术实现步骤摘要】
一种自限温半导体加热膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及加热膜
，具体为一种自限温半导体加热膜及其制备方法
。

技术介绍

[0002]电热膜，又称发热膜或加热膜，电热膜有合适的电阻率，超快的加热速率，极高的导热性和快速散热能力，能迅速将热量传导到其它材料，这也是其它结构碳材料和金属材料难以达到的；但是，正式由于电热膜超快的加热速率
、
极高的导热性和快速散热能力，在使用过程中会出现急速升温，同时会出现发热膜温度不均匀的现象，这很大程度上限制了电热膜的适用范围
。

技术实现思路

[0003]为解决上述的技术问题，本专利技术提供如下技术方案：
[0004]一种自限温半导体加热膜，包括基底
、
设置于所述基底上的加热层和设置于所述加热层上的两个电极，所述加热层用于加热膜的加热，所述加热层包括半导体加热层和蓄热缓释层；
[0005]所述半导体加热层为
ITO、AZO、FTO
或
GZO
的一种或多种的组合；
[0006]所述蓄热缓释层由蓄热缓释浆料制成；
[0007]所述加热层的一侧设置有远红外增强涂层，所述远红外增强涂层以氧化物为主体原料配制的远红外增强涂料涂覆于所述发热层的一侧成膜状结构；
[0008]所述加热层上设置有限温层，所述限温层用于限制加热膜的温度
。
[0009]作为本专利技术所述自限温半导体加热膜的制备方法的一种优选方案，其中：所述蓄热缓释浆料包括蓄热填料
10
～
20
份
、
第二树脂3～8份
、
溶剂
10
～
20
份
、
第二助剂
15
～
30
份；
[0010]所述蓄热填料为氧化铝粒子
、
白炭黑粒子和氧化锌粒子中的一种或多种的组合；
[0011]所述第二树脂为水性聚氨酯树脂
、
水性丙烯酸树脂
、
水性醇酸树脂
、
环氧树脂
、
酚醛树脂和硅丙树脂中的一种或多种的组合；
[0012]所述第二助剂为分散剂
、
消泡剂
、pH
调节剂和增稠剂中的一种或多种的组合
。
[0013]作为本专利技术所述自限温半导体加热膜的制备方法的一种优选方案，其中：所述氧化物为氧化锆
、
氧化钛
、
三氧化二铁
、
三氧化二铬
、
二氧化硅中的一种或多种的组合
。
[0014]作为本专利技术所述自限温半导体加热膜的制备方法的一种优选方案，其中：所述限温层的组分包括钛酸盐和含有第一掺杂元素的物质；
[0015]所述第一掺杂元素为稀土元素；
[0016]所述稀土元素为镧
、
铈
、
钕
、
钇
、
镨和钐中的一种或多种的组合；
[0017]所述含有第一掺杂元素的物质为第一掺杂元素单质或者含有第一掺杂元素的化合物；
[0018]所述含有第一掺杂元素的物质与所述钛酸盐的质量比为
0.0015
～
0.003。
[0019]作为本专利技术所述自限温半导体加热膜的制备方法的一种优选方案，其中：所述基
底为聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜的柔性基底；
[0020]所述限温层设置在所述远红外增强涂层上；
[0021]所述限温层与红外增强涂层之间设置有阻挡层
。
[0022]作为本专利技术所述自限温半导体加热膜的制备方法的一种优选方案，其中：所述限温层远离阻挡层的一侧设置有屏蔽层，所述屏蔽层远离限温层的一侧设置有防水层
。
[0023]一种自限温半导体加热膜的制备方法，其特征在于，包括：
[0024]将含有半导体加热层和蓄热缓释层的加热层镀设在基底上；
[0025]在所述加热层的表面层涂覆以氧化物为主体原料配制的红外增强涂料，经烘干后形成远红外增强涂层；
[0026]在所述远红外增强涂层的表面或远红外增强涂层的侧边沉积含有第一掺杂元素的物质和钛酸盐的限温层；
[0027]在所述加热层上或所述限温层上设置电极，得到自限温半导体加热膜
。
[0028]作为本专利技术所述自限温半导体加热膜的制备方法的一种优选方案，其中：
[0029]所述蓄热缓释浆料的制备方法，包括以下步骤：将蓄热填料
10
～
20
份
、
第二树脂3～8份和溶剂
10
～
20
份混合；然后加入第二助剂
15
～
30
份，混合形成浆料；再研磨浆料至粒径在
20
～
50
μ
m
，即制成蓄热缓释浆料
。
[0030]作为本专利技术所述自限温半导体加热膜的制备方法的一种优选方案，其中：所述加热层的制备方法，包括以下步骤：
[0031]将半导体加热材料镀设在基底表面，经烘干处理后形成半导体加热层；
[0032]将制备的蓄热缓释浆料镀设在半导体加热层的上方，经烘干处理后形成加热层
。
[0033]借由上述技术方案，本专利技术提供了一种自限温半导体加热膜及其制备方法，至少具备以下有益效果：
[0034]该自限温半导体加热膜及其制备方法，通过加热层的改进，其实现了加热膜在使用过程中匀速逐步升温以及在断电后缓慢降温，同时还能够使得各处温度极为均匀，且加热膜的阻值稳定不会随电流冲击数增加而增加，能有效延长自限温电热薄膜的使用寿命，可减少特定应用场景的不必要取暖，降低能源消耗，提高了适用范围
。
附图说明
[0035]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本申请的一部分：
[0036]图1为本专利技术实施例中自限温半导体加热膜的整体结构示意图；
[0037]图2为本专利技术实施例中自限温半导体加热膜的第一种结构示意图；
[0038]图3为本专利技术实施例中自限温半导体加热膜的第二种结构示意图；
[0039]图4为本专利技术实施例中自限温半导体加热膜的第三种结构示意图
。
[0040]图中：
1、
基底；
2、
加热层；
21、
电极；
3、
远红外增强涂层；
4、
阻挡层；
5、
限温层；
6、
屏蔽层；
7、
防水层
。
具体实施方式
[0041]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种自限温半导体加热膜，包括基底
(1)、
设置于所述基底
(1)
上的加热层
(2)
和设置于所述加热层
(2)
上的两个电极
(21)
，其特征在于：所述加热层
(2)
用于加热膜的加热，所述加热层
(2)
包括半导体加热层和蓄热缓释层；所述半导体加热层为
ITO、AZO、FTO
或
GZO
的一种或多种的组合
。
所述蓄热缓释层由蓄热缓释浆料制成；所述加热层
(2)
的一侧设置有远红外增强涂层
(3)
，所述远红外增强涂层以氧化物为主体原料配制的远红外增强涂料涂覆于所述发热层的一侧成膜状结构；所述加热层
(2)
上设置有限温层
(5)
，所述限温层
(5)
用于限制加热膜的温度
。2.
根据权利要求1所述的自限温半导体加热膜，其特征在于：所述蓄热缓释浆料包括蓄热填料
10
～
20
份
、
第二树脂3～8份
、
溶剂
10
～
20
份
、
第二助剂
15
～
30
份；所述蓄热填料为氧化铝粒子
、
白炭黑粒子和氧化锌粒子中的一种或多种的组合；所述第二树脂为水性聚氨酯树脂
、
水性丙烯酸树脂
、
水性醇酸树脂
、
环氧树脂
、
酚醛树脂和硅丙树脂中的一种或多种的组合；所述第二助剂为分散剂
、
消泡剂
、pH
调节剂和增稠剂中的一种或多种的组合
。3.
根据权利要求1所述的自限温半导体加热膜，其特征在于：所述氧化物为氧化锆
、
氧化钛
、
三氧化二铁
、
三氧化二铬
、
二氧化硅中的一种或多种的组合
。4.
根据权利要求1所述的自限温半导体加热膜，其特征在于：所述限温层的组分包括钛酸盐和含有第一掺杂元素的物质；所述第一掺杂元素为稀土元素；所述稀土元素为镧
、
铈
、
钕
、
钇
、
镨和钐中的一种或多种的组合；所述含有第一掺杂元素的物质为第一掺杂元素单质或者含有第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：马帅，
申请(专利权)人：桐文科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：